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题名背减薄过程中面阵探测器形变研究
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作者
孟超
司乐飞
张晓玲
孟庆端
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机构
中国空空导弹研究院红外探测器技术航空科技重点实验室
河南质量工程职业学院
河南科技大学信息工程学院
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出处
《航空兵器》
2017年第2期55-59,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(61505048)
航空科学基金项目(20152442001)
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文摘
为提高Insb面阵探测器的探测率,需要借助背减薄工序把Insb光敏元芯片从300tzm减薄到10μm,这一过程通常决定了面阵探测器的成品率。为了解面阵探测器在背减薄工序中的形变规律,针对典型器件结构,借助ANSYS软件,基于等效建模思路,建立了适用于Insb面阵探测器的三维结构模型,调整Insb光敏元芯片厚度,模拟探测器形变特征及分布随背减薄工艺实施过程的变化规律。模拟结果表明:当InSb光敏元芯片较厚时,面阵探测器的整体形变以弯曲变形为主,其中心区域上凸明显;随着InSb光敏元芯片逐步减薄,其中心区域的上凸变形逐步弱化,当InSb光敏元芯片厚度减薄到12μm时,探测器上表面屈曲变形占优,且随着Insb光敏元芯片厚度的减小而愈加清晰可见,此时探测器整体弯曲变形很弱。
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关键词
面阵探测器
INSB
光敏元芯片
芯片厚度
形变
ANSYS
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Keywords
infrared focal plane array detector
InSb
photosensitive chip
thickness of chip
de-formation
ANSYS
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分类号
TJ760
[兵器科学与技术—武器系统与运用工程]
TN215
[电子电信—物理电子学]
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