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Sc_x:Fe_y:Cu_z:LN晶体的生长及非挥发性全息存储的研究
1
作者
刘兴
冷雪松
于晓艳
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期367-371,共5页
本文首次采用Czochralski法生长优质的Scx:Fey:Cuz:LN(x=0,1%,2%,3%,3.5%,y=0.1%,z=0.06%)晶体。测试了晶体抗光致散射能力,以二波耦合光路测试晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算光折变灵敏度和动态范围。结果表明:Sc(2mol%):Fe:...
本文首次采用Czochralski法生长优质的Scx:Fey:Cuz:LN(x=0,1%,2%,3%,3.5%,y=0.1%,z=0.06%)晶体。测试了晶体抗光致散射能力,以二波耦合光路测试晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算光折变灵敏度和动态范围。结果表明:Sc(2mol%):Fe:Cu:LN和Sc(3mol%):Fe:Cu:LN晶体抗光致散射能力比Fe:Cu:LN晶体高两个数量级以上,Scx:Fey:Cuz:LN晶体的写入速度、光折变灵敏度和动态范围等全息存储性能优于Fe:LN晶体。首次采用氪离子激光(482.0nm,蓝光)作开关光,氦氖激光(632.8nm,红光)做记录光,以Sc:Fe:Cu:LN晶体作为双光子全息存储记录介质,实现了双光子全息存储固定(非挥发性全息存储)。
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关键词
Scx:Fey:Cuz:LN晶体
双
光
子全息存储
衍射效率
动态范围
光折变灵敏度
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职称材料
Ce:LN晶体的生长及两波耦合性能
2
作者
赵业权
孙光跃
+2 位作者
李铭华
徐玉恒
王春生
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期261-261,共1页
本文叙述了Ce:LN晶体的生长工艺,测试了Ce:LN晶体的光折变灵敏度和双光束耦合效率。铌酸锂(LN)具有电光效应,非线性光学效应和光折变效应,在激光技术中取得了多种应用,利用光折变效应在全息存储和信息处理等领域也有应用前景,但纯LN晶...
本文叙述了Ce:LN晶体的生长工艺,测试了Ce:LN晶体的光折变灵敏度和双光束耦合效率。铌酸锂(LN)具有电光效应,非线性光学效应和光折变效应,在激光技术中取得了多种应用,利用光折变效应在全息存储和信息处理等领域也有应用前景,但纯LN晶体的光折变灵敏度很低。
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关键词
生长工艺
Ce:LN晶体
光折变灵敏度
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职称材料
Ce:LN晶体多波混频温度效应
3
作者
孙光跃
金光海
+3 位作者
李铭华
王跃森
关健民
马亚琴
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期420-420,共1页
Ce:LN晶体具有很高的光折变灵敏度和优异的位相差共轭效应。这些性能都受温度的影响,随温度的改变而发生变化。本文研究了Ce:LN晶体二波耦合温度特性,其结果表明:两光束夹角固定时,双光束耦合的信号放大系数对于温度存在一个极值。
关键词
Ce:LN晶体
温度效应
光折变灵敏度
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职称材料
题名
Sc_x:Fe_y:Cu_z:LN晶体的生长及非挥发性全息存储的研究
1
作者
刘兴
冷雪松
于晓艳
机构
黑龙江科技学院材料学院
哈尔滨工业大学材料学院
哈尔滨师范大学物理系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期367-371,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60777006)
文摘
本文首次采用Czochralski法生长优质的Scx:Fey:Cuz:LN(x=0,1%,2%,3%,3.5%,y=0.1%,z=0.06%)晶体。测试了晶体抗光致散射能力,以二波耦合光路测试晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算光折变灵敏度和动态范围。结果表明:Sc(2mol%):Fe:Cu:LN和Sc(3mol%):Fe:Cu:LN晶体抗光致散射能力比Fe:Cu:LN晶体高两个数量级以上,Scx:Fey:Cuz:LN晶体的写入速度、光折变灵敏度和动态范围等全息存储性能优于Fe:LN晶体。首次采用氪离子激光(482.0nm,蓝光)作开关光,氦氖激光(632.8nm,红光)做记录光,以Sc:Fe:Cu:LN晶体作为双光子全息存储记录介质,实现了双光子全息存储固定(非挥发性全息存储)。
关键词
Scx:Fey:Cuz:LN晶体
双
光
子全息存储
衍射效率
动态范围
光折变灵敏度
Keywords
Scx:Fey:Cuz:LN crystals
two photon holographic storage
diffraction efficiency
dynamic range
photorefractive sensitivity
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
Ce:LN晶体的生长及两波耦合性能
2
作者
赵业权
孙光跃
李铭华
徐玉恒
王春生
机构
哈尔滨工业大学应用化学系
黑龙江省科学院技术物理研究所
出处
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期261-261,共1页
文摘
本文叙述了Ce:LN晶体的生长工艺,测试了Ce:LN晶体的光折变灵敏度和双光束耦合效率。铌酸锂(LN)具有电光效应,非线性光学效应和光折变效应,在激光技术中取得了多种应用,利用光折变效应在全息存储和信息处理等领域也有应用前景,但纯LN晶体的光折变灵敏度很低。
关键词
生长工艺
Ce:LN晶体
光折变灵敏度
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
Ce:LN晶体多波混频温度效应
3
作者
孙光跃
金光海
李铭华
王跃森
关健民
马亚琴
机构
哈尔滨工业大学应用物理系
哈尔滨工业大学应用化学系
出处
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期420-420,共1页
文摘
Ce:LN晶体具有很高的光折变灵敏度和优异的位相差共轭效应。这些性能都受温度的影响,随温度的改变而发生变化。本文研究了Ce:LN晶体二波耦合温度特性,其结果表明:两光束夹角固定时,双光束耦合的信号放大系数对于温度存在一个极值。
关键词
Ce:LN晶体
温度效应
光折变灵敏度
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Sc_x:Fe_y:Cu_z:LN晶体的生长及非挥发性全息存储的研究
刘兴
冷雪松
于晓艳
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
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职称材料
2
Ce:LN晶体的生长及两波耦合性能
赵业权
孙光跃
李铭华
徐玉恒
王春生
《人工晶体学报》
CSCD
1991
0
在线阅读
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职称材料
3
Ce:LN晶体多波混频温度效应
孙光跃
金光海
李铭华
王跃森
关健民
马亚琴
《人工晶体学报》
CSCD
1991
0
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职称材料
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