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题名光导型InAsSb红外探测器的研制
被引量：2
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作者
郭轶
吴广会
冯彦斌
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机构
陕西华星电子集团有限公司
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出处
《电子设计工程》
2012年第18期93-95,共3页
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文摘
针对室温(293 K)条件下使用要求,采用InAsSb单晶材料加浸没透镜制作成2～9μm波段高灵敏度光导型InAsSb红外探测器。实测光谱响应值出现在1.656 5～8.989μm。在光谱响应波段范围内,最大响应度值为对比组C2、C3组。初步实现了室温(293 K)使用要求,响应光谱2～9μm波段光导型InAsSb红外探测器设计目的。
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关键词
光导型红外探测器
INASSB
长波红外材料
熔体外延
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Keywords
infrard detector
InAsSb
long wavelength IR material
melt epitaxy
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分类号
TM23
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价
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作者
钱大憨
贾嘉
陈昱
王韡
汤亦聃
朱龙源
李向阳
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机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所中科院红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院研究生院
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出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2011年第6期328-331,344,共5页
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基金
国家自然科学基金项目
编号:60907048
+1 种基金
上海市自然科学基金项目
编号:09ZR1436200
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文摘
制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察,发现在延伸台阶的侧面有孔洞出现。通过改进镀膜工艺,延伸台阶侧面的金属薄膜致密无孔洞。这表明宏观的电阻表征对微观缺陷不敏感,对电极可靠性的表征要结合微观形貌表征进行;同时适当的薄膜制备条件可以使大台阶侧面获得致密的金属薄膜,从而获得良好的台阶覆盖性。
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关键词
曲面延伸电极
光导型碲镉汞红外探测器
电阻表征
扫描电子显微镜
微观形貌
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Keywords
curved extended-electrode
HgCdTe IR photoconductor
resistance characterization
SEM
Micro topography characterization
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分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
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