光导型碲镉汞探测器在波段外连续激光辐照下的载流子输运 被引量：3

1

作者 江天 郑鑫 +3 位作者 程湘爱 许中杰 江厚满 陆启生 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期216-221,共6页

利用连续波段外激光辐照光导型碲镉汞探测器.实验表明,探测器对波段外激光有响应,且存在一个特定拐点温度T0.当探测器温度T<T0时,响应电压随温度升高而增大;当T>T0时,响应电压随温度的升高而减小.研究表明,探测器胶层的热瓶颈作... 利用连续波段外激光辐照光导型碲镉汞探测器.实验表明,探测器对波段外激光有响应,且存在一个特定拐点温度T0.当探测器温度T<T0时,响应电压随温度升高而增大;当T>T0时,响应电压随温度的升高而减小.研究表明,探测器胶层的热瓶颈作用会导致响应电压存在两个响应时间尺度,拐点温度由芯片掺杂浓度决定.当T<T0时,响应电压主要由随温度变化的载流子迁移率决定;当T>T0时,响应电压主要受热激发载流子的影响. 展开更多

关键词 波段外激光 光导型碲镉汞探测器 热激发载流子 迁移率

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光导型碲镉汞探测器的氢化研究 被引量：2

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作者 乔辉 周文洪 +2 位作者 叶振华 李向阳 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期261-264,共4页

为了提高碲镉汞红外探测器的性能,对ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理研究,发现处理效果与氢等离子体密度和ZnS钝化层的厚度密切相关。对于ZnS层厚度固定的器件,通过改变氢等离子体密度发现低等离子体密度条件氢化处理更有利... 为了提高碲镉汞红外探测器的性能,对ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理研究,发现处理效果与氢等离子体密度和ZnS钝化层的厚度密切相关。对于ZnS层厚度固定的器件,通过改变氢等离子体密度发现低等离子体密度条件氢化处理更有利于提高器件的性能,表现在处理后器件响应信号提高且噪声下降,从光谱响应上表现为器件短波方向的响应抬高;对于同样的氢化处理条件,通过改变ZnS钝化层的厚度,发现具有较大厚度ZnS层的器件的氢化效果更好。SIMS测试发现氢化过程中氢离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,分析认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度,提高了器件的性能。 展开更多

关键词 氢化 钝化 碲镉汞 光导探测器

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小型多元光导碲镉汞线列红外探测器组件 被引量：1

3

作者 王官俊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期55-56,共2页

文章介绍了小型实用化长波光导碲镉汞线列红外探测器组件在华北光电技术研究所的发展近况，其制造技术和性能均得到显著的提高。

关键词 光导 碲镉汞 红外探测器 组件 红外 小型 多元

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长波光导60元碲镉汞红外探测器通用组件 被引量：3

4

作者 朱惜辰 梁宏林 杨文运 《红外技术》 CSCD 1996年第1期1-5,共5页

报道了工程化长波光导６０无碲镉汞红外探测器组件研制的结果，该组件由探测器芯片、杜瓦和制冷器组成。探测器组件的主要指标达到：ＤＢ＝１．７×１Ｏ１０ＣｍＨｚ１／２／ＷＶＢ＝１６×１０４Ｖ／Ｗ。组件的体积小，重量轻... 报道了工程化长波光导６０无碲镉汞红外探测器组件研制的结果，该组件由探测器芯片、杜瓦和制冷器组成。探测器组件的主要指标达到：ＤＢ＝１．７×１Ｏ１０ＣｍＨｚ１／２／ＷＶＢ＝１６×１０４Ｖ／Ｗ。组件的体积小，重量轻，并达到了国军标所规定的红外探测器高、低温实验，温度循环实验，振动实验和冲击等环境实验的要求。 展开更多

关键词 碲镉汞 长波光导 红外探测器 工程化组件

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不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究

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作者 乔辉 周文洪 +2 位作者 叶振华 李向阳 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期738-740,743,共4页

利用氢等离子体对阳极氧化层和ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理,发现对于阳极氧化层钝化的器件,氢化处理后性能衰退,表现在信号的降低和噪声的增加,从表面形貌的观察,发现原来呈蓝色的阳极氧化层在氢化处理后几乎完全消失,... 利用氢等离子体对阳极氧化层和ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理,发现对于阳极氧化层钝化的器件,氢化处理后性能衰退,表现在信号的降低和噪声的增加,从表面形貌的观察,发现原来呈蓝色的阳极氧化层在氢化处理后几乎完全消失,从光谱响应上表现为短波方向的响应下降,认为由于氢化过程中介质层的消失使得氢离子直接轰击碲镉汞表面,造成少子表面复合速度增加。对ZnS钝化的器件氢化处理后性能改善,表现为信号的提高和噪声的下降,从光谱响应上表现为短波方向的响应抬高,从表面形貌观察发现ZnS的颜色略有变化,台阶仪测试表明氢化后ZnS的厚度减薄了约70nm,通过SIMS测试分析发现氢化过程中H离子可以穿过ZnS层到达ZnS与碲镉汞的界面处,认为氢离子对界面态起到了钝化作用,降低了界面态密度从而提高了器件的性能。 展开更多

关键词 氢化 钝化 光导探测器 碲镉汞

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连续激光辐照碲镉汞探测器仿真研究

6

作者 蒋成龙 王彦斌 +2 位作者 肖文健 张德锋 周旋风 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期1879-1884,共6页

激光有源压制干扰是对抗红外成像导引头的有效手段,不同入射条件下的饱和阈值是研究对红外成像导引头干扰效果的核心参数。为获得红外成像导引头在强激光照射下的饱和阈值,本文基于COMSOL多物理场仿真平台,开展了连续激光干扰短波、中... 激光有源压制干扰是对抗红外成像导引头的有效手段,不同入射条件下的饱和阈值是研究对红外成像导引头干扰效果的核心参数。为获得红外成像导引头在强激光照射下的饱和阈值,本文基于COMSOL多物理场仿真平台,开展了连续激光干扰短波、中波和长波红外碲镉汞探测器的建模仿真。首先,对碲镉汞材料和典型的平面结碲镉汞像元结构进行了模型构建;然后采用电磁波与半导体耦合多物理场接口计算光生伏特效应,分析了不同激光波长、功率、工作温度等因素对零偏压碲镉汞红外探测器像元光生电动势的影响,展示了COMSOL多物理仿真平台仿真激光辐照效应的可行性。仿真结果可为激光干扰效应半实物仿真提供参考依据。 展开更多

关键词 碲镉汞 红外探测器 激光干扰 光生电动势 COMSOL

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多元光导碲镉汞和双波段红外探测器 被引量：2

7

作者 范正风 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期48-51,共4页

本文简单叙述长波１６０元光导碲镉汞红外探测器，３～５μｍ锑化铟和８～１２μｍ光导碲镉汞双波段红外探测器的制造工艺过程，性能和使用情况。

关键词 长波 碲镉汞 双波段 红外探测器 多元 光导

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多元光导碲镉汞探测器的电串音 被引量：5

8

作者 梁宏林 蔡毅 姚英 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期77-80,共4页

讨论了一个多元光导碲镉汞探测器电串音的物理模型，理论计算表明，探测元电串音的大小为（Ｎ－１）Ｒｅ／Ｒｂ。

关键词 碲镉汞 光导探测器 多元线列 电串音 热像仪

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航空遥感用碲镉汞光导探测器的研究 被引量：1

9

作者 徐国森 朱龙源 +1 位作者 靳秀芳 唐军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期257-260,共4页

介绍几种航空遥感用碲镉汞光导红外探测器的基本设计原理、结构及性能.

关键词 碲镉汞 光导探测器 航空 遥感

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短波紫外光照射对n型碲镉汞探测器的影响

10

作者 史衍丽 陈铁金 +1 位作者 冯文清 吴兴惠 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期443-447,共5页

用波长以１８４９和２５３７为主的短波紫外光对经阳极氧化的光电导器件进行一定时间的照射，结果表明，器件探测率和响应率显著提高．

关键词 光电导探测器 碲镉汞 短波紫外光 红外探测器

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180元长波碲镉汞线列光导探测器研制

11

作者 徐国森 方家熊 沈杰 《红外与激光技术》 CSCD 1993年第2期10-14,共5页

本文报道了长波180元碲镉汞线列光导探测器的初步研制结果,较为详细地介绍了各步探测器制造工艺以及探测器性能的测试结果。最终得到的拼接和单片180元线列器件,其平均峰值探测率D_(xp)~*达2.0×10^(10)cmHz^(1/2)W^(-1),电串音小于... 本文报道了长波180元碲镉汞线列光导探测器的初步研制结果,较为详细地介绍了各步探测器制造工艺以及探测器性能的测试结果。最终得到的拼接和单片180元线列器件,其平均峰值探测率D_(xp)~*达2.0×10^(10)cmHz^(1/2)W^(-1),电串音小于5％,功耗小于150mW。 展开更多

关键词 碲镉汞 光导探测器 红外探测器

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不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究 被引量：22

12

作者 叶振华 胡晓宁 +3 位作者 张海燕 廖清君 李言谨 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期86-90,共5页

对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗 面积值 (R0 A) ... 对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗 面积值 (R0 A) .通过与实验数据拟合 ,从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的R0 A和在不同偏压下的暗电流 。 展开更多

关键词 光伏探测器 暗电流 碲镉汞材料 异质结 分子束外延技术 铟掺杂 红外探测器

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光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价

13

作者 钱大憨 贾嘉 +4 位作者 陈昱 王韡 汤亦聃 朱龙源 李向阳 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第6期328-331,344,共5页

制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察,... 制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察,发现在延伸台阶的侧面有孔洞出现。通过改进镀膜工艺,延伸台阶侧面的金属薄膜致密无孔洞。这表明宏观的电阻表征对微观缺陷不敏感,对电极可靠性的表征要结合微观形貌表征进行;同时适当的薄膜制备条件可以使大台阶侧面获得致密的金属薄膜,从而获得良好的台阶覆盖性。 展开更多

关键词 曲面延伸电极 光导型碲镉汞红外探测器 电阻表征 扫描电子显微镜 微观形貌

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结构和工艺对碲镉汞光导探测器响应率的影响

14

作者 袁继俊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期27-30,共4页

分析了探测器表面复合和扫出效应对光激发非平衡栽流子寿命和响应率的影响。并进行了实例数字计算,提出了表面和扫出的影响是目前8～14μm碲镉汞光导探测器在工艺和结构上必须予以重视的问题。

关键词 光导探测器 碲镉汞 工艺 响应率

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大面积光伏碲镉汞四象限探测器的设计考虑

15

作者 庄继胜 《红外技术》 CSCD 北大核心 1997年第6期1-4,共4页

介绍了ＣＯ２激光制导用大面积光伏碲镉汞四象限探测器的参数设计和工艺考虑，重点讨论了材料参数对器件主要性能参数的影响，得出ｐ型衬底浓度的最佳选择范围为（０．５～１．５）×１０１６ｃｍ－３。研制结果表明，探测器的各项... 介绍了ＣＯ２激光制导用大面积光伏碲镉汞四象限探测器的参数设计和工艺考虑，重点讨论了材料参数对器件主要性能参数的影响，得出ｐ型衬底浓度的最佳选择范围为（０．５～１．５）×１０１６ｃｍ－３。研制结果表明，探测器的各项性能参数均达到了设计指标要求。 展开更多

关键词 碲镉汞 光伏探测器 四象限 红外探测器

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碲镉汞光导探测器掺杂表面层特性

16

作者 黄印权 《红外与激光技术》 CSCD 1991年第1期43-50,共8页

把掺杂层对HgCdTe光导探测器表面的影响视为掺杂层电活性载流子与基底材料电活性载流子之比的函数关系,作了理论研究。结论是:在较薄层正面和背面作适当掺杂,可能提高光导探测器的响应率。

关键词 碲镉汞 光导探测器 掺杂 响应率

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60元光导碲镉汞探测器实用化组件

17

作者 王海华 《红外与激光技术》 CSCD 1994年第5期21-24,共4页

本文论述了电子工业部十一所６０元光导碲镉汞探测器实用化组件的最新技术进展，着重分析了影响探测器组件性能指标的诸多因素，并且首次发表了几只组件达到的主要技术指标。

关键词 碲镉汞 红外探测器 光导器件

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碲镉汞光导探测器的性能

18

作者 周航宇 《红外与激光技术》 CSCD 1993年第1期41-49,共9页

本文分析了探测器长度对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响。分析是针对工作在77～300K温度范围3～5μm和8～14μm波段的器件进行的。将由几个厂商制造的探测器的实验数据与基于Rittner模型及我们为有阻挡接触点的光导器件开创的理论... 本文分析了探测器长度对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响。分析是针对工作在77～300K温度范围3～5μm和8～14μm波段的器件进行的。将由几个厂商制造的探测器的实验数据与基于Rittner模型及我们为有阻挡接触点的光导器件开创的理论研究所做的理论预测进行了比较。力图阐明理论与实验结果之间的差异。 展开更多

关键词 碲镉汞 光导探测器 红外探测器

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2.35μm碲镉汞光伏探测器离子注入工艺研究

19

作者 夏春华 李韶先 《红外与激光技术》 CSCD 1989年第4期12-17,共6页

利用p型Hg_(1-x)Cd_xTe(或简称MCT)组分x=0.44体晶材料,研究了B^+离子注入平面工艺制备2.35μm截止波长12元双线列光伏探测器。探测器主要性能D_λ~平均达4.4×10^(11)cmHz^(1/2)W,λ_p、λ_c比波段要求平均低约3.2％和5.1％。

关键词 离子注入 探测器 碲镉汞 光伏型

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1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响 被引量：8

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作者 乔辉 贾嘉 +2 位作者 陈新禹 李向阳 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期172-175,共4页

研究了 1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响 .通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数 ,结果发现经过电子辐照 ,器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动 .在辐照剂量大于 10 15... 研究了 1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响 .通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数 ,结果发现经过电子辐照 ,器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动 .在辐照剂量大于 10 15/cm2 时 ,器件的室温电阻和响应率明显下降 . 展开更多

关键词 碲镉汞 光导型探测器 电子辐照 辐照效应 电流响应率 响应光谱

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