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光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量 被引量:5
1
作者 石瑞英 郭永康 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期20-26,共7页
论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。
关键词 亚微米光刻 光学邻近效应 光学邻近校正 图形质量
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用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型 被引量:1
2
作者 王国雄 史峥 +2 位作者 严晓浪 陈志锦 付萍 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期634-637,684,共5页
提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确... 提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确定的光强阈值来预测CD(criticaldimension)变化,从而使光刻仿真的结果更精确地附合实际测量数据.由于正确地表征了实际工艺的特性,模拟结果显示,多参数光刻胶模型更适于实际开发的光学邻近校正(opticalproximitycorrection,OPC)仿真工具. 展开更多
关键词 光刻仿真 光学邻近校正 可变阈值光刻胶模型 集成电路 制造工艺 空间影像
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基于光刻模型的光学邻近校正切分优化方法 被引量:1
3
作者 沈泫 史峥 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第23期211-213,225,共4页
在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获... 在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获得稳定的配方调试时间,且与参考配方结果相比,具有较好的光学邻近校正精度,可使边位置误差平均降低5%。 展开更多
关键词 光学邻近校正 基于模型的切分 纹波抑制 格点搜索
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相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术 被引量:15
4
作者 冯伯儒 张锦 +2 位作者 侯德胜 周崇喜 苏平 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-5,共5页
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。
关键词 相移掩模 光学邻近效应校正 光刻技术
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基于模型的光学校正系统的设计与实现 被引量:6
5
作者 王国雄 严晓浪 +1 位作者 史峥 陈志锦 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期521-524,548,共5页
为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用... 为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用光刻模拟器直接对输入待校正的掩模图形进行优化.最后通过对掩模版图的验证,保证校正后的掩模图形满足成像图形的精度要求.应用实例证明,该系统准确实现了版图的精确设计与校正. 展开更多
关键词 光刻模拟 光学邻近校正 移相掩模
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亮暗衬线法校正邻近效应及其实验研究 被引量:1
6
作者 杜惊雷 粟敬钦 +4 位作者 姚军 张怡霄 高福华 杨丽娟 崔铮 《激光技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期213-217,共5页
光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想 ,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正的方法 ,分析了其校正机理 ,采用这种新方法 ,在可加工 0 .7μm光刻图形的I线投影曝光装置上加工出了 0... 光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想 ,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正的方法 ,分析了其校正机理 ,采用这种新方法 ,在可加工 0 .7μm光刻图形的I线投影曝光装置上加工出了 0 .5μm的光刻图形 ,取得了较好的实验结果 ,并与其它邻近效应的校正方法进行了比较。 展开更多
关键词 邻近效应 光学邻近校正 亚微米光剂 亮暗补线法
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成品率驱动的光刻校正技术 被引量:1
7
作者 王国雄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期10-13,共4页
光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制造中关键的技术。简要介绍了几种典型的光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性设计提供有价值的指导。
关键词 光刻 光学邻近校正 移相掩模 可制造性设计
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集成电路版图中的多边形匹配比较研究
8
作者 史峥 高晓莹 +1 位作者 任杰 施怡雯 《机电工程》 CAS 2007年第10期32-35,共4页
光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提... 光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提取OPC校正时的分段信息和段偏移量,使得post-OPC版图的修正能够充分利用前次OPC的结果,避免了重做OPC,提高了OPC验证后修正的效率。 展开更多
关键词 可制造性设计 光学邻近校正 分辨率增强技术 多边形匹配比较
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使用测试图形法优化亚分辨率辅助图形
9
作者 齐晶 史峥 +1 位作者 林斌 罗凯升 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期365-369,共5页
在亚波长光刻领域,基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形,且不考虑光学邻近校正的效果。提出了一种新的利用测试图形优化亚分辨率辅助图形的方法。与一般的光学邻近校正流程结合... 在亚波长光刻领域,基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形,且不考虑光学邻近校正的效果。提出了一种新的利用测试图形优化亚分辨率辅助图形的方法。与一般的光学邻近校正流程结合,该方法能解决工艺窗口过小和亚分辨率辅助图形刻出等问题。通过对标准电路版图的测试,对边放置误差和工艺窗口进行了测量。边放置误差相比传统方法减小了10%,同时,不同工艺窗条件下的边放置误差也有改善。 展开更多
关键词 可制造性设计 光刻 亚分辨率辅助图形 光学邻近校正
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双重图形技术的优化设计
10
作者 潘意杰 陈晔 《机电工程》 CAS 2008年第12期35-38,共4页
作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解... 作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。实验结果表明,在保证版图校正精确度的同时,可节省大量的运行时间,同时也有效地缩短了DPT的流程。 展开更多
关键词 可制造性设计 双重图形技术 光学邻近校正 分辨率增强技术 重用
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微细加工技术与设备
11
《中国光学》 EI CAS 2002年第3期96-97,共2页
TN305.7 2002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximity correction for improving pattern qualityin submicron photolithography[刊,中]/石瑞英(四川大学物理系.四川,成都(610064)),郭永康(中科院微电子中心.北京(... TN305.7 2002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximity correction for improving pattern qualityin submicron photolithography[刊,中]/石瑞英(四川大学物理系.四川,成都(610064)),郭永康(中科院微电子中心.北京(100010))//半导体技术.-2001,26(3).-20-26论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。图8表1参14(李瑞琴)TN305.7 2002032299光刻技术在微细加工中的应用=Application oflithography technology to microelectronic manufacturing[刊。 展开更多
关键词 微细加工光学技术 光学邻近校正 光刻技术 半导体技术 中科院 大学物理 校正方法 四川 邻近效应 图形质量
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微细加工技术与设备
12
《中国光学》 EI CAS 2001年第1期96-96,共1页
TN305.7 2001010649用灰阶编码掩模实现邻近效应精细校正的研究=Finecorrection of optical proximity effect by usinggray-tone coding mask[刊,中]/杜惊雷,粟敬钦,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),罗克俭,崔铮(内... TN305.7 2001010649用灰阶编码掩模实现邻近效应精细校正的研究=Finecorrection of optical proximity effect by usinggray-tone coding mask[刊,中]/杜惊雷,粟敬钦,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),罗克俭,崔铮(内江教育学院.内江(6141002))∥光学学报.-2000,20(4).-518-524提出了用灰阶编码的二元掩模代替灰阶掩模实现邻近效应精细校正的新方法,并阐述了新方法的特点。讨论了灰阶编码与灰阶掩模的等效关系,给出了灰阶编码掩模实现光学邻近效应校正的模拟结果。 展开更多
关键词 光学邻近效应校正 灰阶编码掩模 灰阶掩模 大学物理 校正机理 新方法 衰减相移掩模 四川 二元掩模 教育学院
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微细加工技术与设备
13
《中国光学》 EI CAS 1999年第4期93-97,共5页
TN305.2 99042750液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶=Nano—crystallinecarbon nitrides prepared by laser ablatingsolid target in liquid[刊,中]/刘秋香,王金斌,杨国伟(湘潭大学现代物理研究所.湖南,湘潭(411105))//微细加工技... TN305.2 99042750液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶=Nano—crystallinecarbon nitrides prepared by laser ablatingsolid target in liquid[刊,中]/刘秋香,王金斌,杨国伟(湘潭大学现代物理研究所.湖南,湘潭(411105))//微细加工技术.—1998,(2). 展开更多
关键词 微细加工技术 激光熔蚀 纳米晶 光刻胶灰化工艺 中科院 技术研究所 光刻技术 氮化碳 光学邻近效应校正 四川
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