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题名相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术
被引量：15
- 1
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作者
冯伯儒
张锦
侯德胜
周崇喜
苏平
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机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
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出处
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期1-5,共5页
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基金
国家自然科学基金项目 !(697760 2 8)
中国科学院光电技术研究所所长基金
微细加工光学技术国家重点实验室开放基金资助项目
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文摘
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。
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关键词
相移掩模
光学邻近效应校正
光刻技术
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Keywords
Masks
Phase shift
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名一种离线光学邻近效应匹配方法的研究和仿真
被引量：1
- 2
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作者
宋之洋
郭沫然
苏晓菁
刘艳松
粟雅娟
韦亚一
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机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第3期197-203,共7页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2013ZX02303)
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文摘
目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研究对象,阐述了匹配的原理及流程,提出了一种利用常用的OPC建模工具实现离线匹配的方法,模拟分析了该方法对成像误差的补偿效果,揭示了不同性质的误差对成像性能的影响规律,验证了该方法的正确性,为不同光刻机间的工艺转移提供了新的思路。
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关键词
光刻
计算光刻
光学邻近效应校正(OPC)
光学邻近效应匹配
工艺窗口控制
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Keywords
lithography
computational lithography
optical proximity correction （OPC）
opticalproximity matching
process window control
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名光学光刻的波前工程
被引量：3
- 3
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作者
翁寿松
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机构
无锡市罗特电子有限公司
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出处
《电子工业专用设备》
2003年第5期50-52,共3页
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文摘
介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。
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关键词
光学光刻
波前工程
移相掩模
光学邻近效应校正
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Keywords
optical lithography
wave front
PSM
OPC.
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名光学光刻技术向纳米制造挺进
- 4
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作者
葛劢冲
刘玄博
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机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2004年第3期22-26,共5页
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文摘
概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。
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关键词
光学光刻
光学邻近效应校正
下一代光刻
纳米制造
优势与前景
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Keywords
Photolithography
OPC
NGL
Nano-fabrication
Advantages and prospects
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分类号
TN350.7
[电子电信—物理电子学]
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题名光刻、OPC与DFM
被引量：5
- 5
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作者
翁寿松
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机构
无锡市罗特电子有限公司
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出处
《电子工业专用设备》
2006年第4期18-22,共5页
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文摘
讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。
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关键词
芯片设计
光刻
光学邻近效应校正
可制造性设计
分辨率增强技术
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Keywords
Chip design
Lithography
Optical proximity effect correction（OPC）
Design for manufacturing（DFM）
Resolution euhancement thchmology（RET）
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名掩模曝光剂量的精细控制工艺设计
- 6
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作者
胡广荣
李文石
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机构
苏州大学电子信息学院微电子学系
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出处
《中国集成电路》
2007年第11期88-91,共4页
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文摘
本文从光学邻近效应的机理出发,基于区域划分掩模特征线条,实施曝光剂量控制,从而达到光学邻近效应的精细校正。通过模拟测试图形得到改进后的掩模图形畸变率,与传统曝光剂量校正法相比,减少了约4%。
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关键词
光学邻近效应校正
特征线条区域划分
图形畸变率
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Keywords
Optical Proximity Correction （OPC）, Circuit Feature Decomposition, Feature Deviation Rate
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名迎接亚100nm的挑战
- 7
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作者
本刊编辑部
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出处
《电子工业专用设备》
2003年第5期1-3,83,共4页
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关键词
光刻技术
光学邻近效应校正
半导体
分辨力增强技
掩模制造
晶体管
介电率
离子注入
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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