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相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术 被引量:15
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作者 冯伯儒 张锦 +2 位作者 侯德胜 周崇喜 苏平 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-5,共5页
详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。
关键词 相移掩模 光学邻近效应校正 光刻技术
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一类考虑光学邻近效应的片内互连寄生电容提取方法
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作者 何剑春 王晓东 +2 位作者 章旌红 贾立新 王涌 《浙江工业大学学报》 CAS 2006年第5期538-540,545,共4页
大规模集成电路(ULSI)的高速发展使光刻中曝光线条的特征尺寸日益接近曝光系统的理论分辨极限,光学邻近效应可导致实际光刻版图的较大畸变.文中基于BEM和神经网络技术,通过定义等效长度概念,建立了一个计算寄生参数的小型专家系统NNCE,... 大规模集成电路(ULSI)的高速发展使光刻中曝光线条的特征尺寸日益接近曝光系统的理论分辨极限,光学邻近效应可导致实际光刻版图的较大畸变.文中基于BEM和神经网络技术,通过定义等效长度概念,建立了一个计算寄生参数的小型专家系统NNCE,以实现对光刻后实际版图的寄生电容参数的有效提取.一些简单环境中的矩形互连实例被用来比较光刻前后寄生参数的变化,数值模拟表明该方法具有良好的精度. 展开更多
关键词 NNCE 光学邻近效应 寄生参数 边界元方法
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光学邻近效应的产生机理分析
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作者 石瑞英 郭永康 +1 位作者 曾阳素 黄晓阳 《激光杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期43-45,共3页
基于部分相干成像理论 ,考虑了投影曝光系统成像的非线性滤波特点 ,分析了投影光刻中的光学邻近效应 (OPE)产生的机理 ,模拟了掩模上线条的线宽、线间距的变化对光刻成像质量的影响。
关键词 光学邻近效应 相干成像 投影光刻
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偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应修正
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作者 陆梅君 金晓亮 +1 位作者 毛智彪 梁强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期673-675,679,共4页
提出了一种新型的与制程窗口紧密相关,被称为偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应模型,该模型包含制程参数变化的信息。该模型引导得到的修正的图形在工艺参数变化时也会表现得非常稳定,而且相对标准模型而言,缩短了建立模型的周期,... 提出了一种新型的与制程窗口紧密相关,被称为偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应模型,该模型包含制程参数变化的信息。该模型引导得到的修正的图形在工艺参数变化时也会表现得非常稳定,而且相对标准模型而言,缩短了建立模型的周期,节省了光罩出版的时间。 展开更多
关键词 偏离最佳 光学邻近效应 制程窗口
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光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量 被引量:5
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作者 石瑞英 郭永康 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期20-26,共7页
论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。
关键词 亚微米光刻 光学邻近效应 光学邻近校正 图形质量
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用在可制造性设计中的光刻规则检查 被引量:1
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作者 陆梅君 金晓亮 +1 位作者 毛智彪 梁强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期920-923,共4页
可制造性设计(DFM)已经发展成为优化通晓制造技术设计中的有效工具,它包含从理论、规则到工具的整体应用来提升从设计到硅片的流程。基于制程模型的光刻规则检查(LRC),可查出没被设计规则检查(DRC)出来的设计布局的不足之处。本设计把... 可制造性设计(DFM)已经发展成为优化通晓制造技术设计中的有效工具,它包含从理论、规则到工具的整体应用来提升从设计到硅片的流程。基于制程模型的光刻规则检查(LRC),可查出没被设计规则检查(DRC)出来的设计布局的不足之处。本设计把光刻规则检查加入到设计流程中,用来优化设计规则,改善布局更有利光学邻近效应修正,使布局图形有更大的制程窗口。 展开更多
关键词 可制造性设计 光刻规则检查 光学邻近效应修正 设计规则 制程窗口
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厚胶接近式光刻中掩模优化研究(英文)
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作者 何骏 刘世杰 +2 位作者 王斌 郭猛 王岳亮 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期203-208,共6页
随着光刻胶厚度的不断增大,制作的光刻图形畸变愈发严重,这极大的影响了微结构器件的性能与应用。针对高深宽比柱状微结构在光刻胶厚度方向上畸变的特点,提出了双面曝光和亮衬线、灰阶掩模相结合的办法,利用遗传算法对失真影响最大的区... 随着光刻胶厚度的不断增大,制作的光刻图形畸变愈发严重,这极大的影响了微结构器件的性能与应用。针对高深宽比柱状微结构在光刻胶厚度方向上畸变的特点,提出了双面曝光和亮衬线、灰阶掩模相结合的办法,利用遗传算法对失真影响最大的区域进行搜索,光刻胶内部各层的衍射光场分布作为评价函数,对光刻过程引起的畸变进行优化。仿真结果显示,优化后光刻胶各层面型质量得到极大的改善,特征尺寸和边墙角等参数与理论值吻合得更好。优化算法具有很好的灵活性,因此在用于更厚光刻胶、更复杂掩模图形的优化上,具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 光刻 光学邻近效应 掩模优化 厚胶 遗传算法
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用于光刻系统仿真的多边形处理算法
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作者 吕楠 史峥 +1 位作者 罗凯升 耿臻 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2014年第9期124-127,共4页
为提高光刻仿真效率,通过对光刻原理进行研究,提出了2种多边形处理算法,将掩模上的多边形图案进行切分优化,将其划分成若干矩形或三角形。在Linux环境下应用C语言设计出一个完整的光刻仿真系统,设计的具体光学参数为:光源波长为193nm,... 为提高光刻仿真效率,通过对光刻原理进行研究,提出了2种多边形处理算法,将掩模上的多边形图案进行切分优化,将其划分成若干矩形或三角形。在Linux环境下应用C语言设计出一个完整的光刻仿真系统,设计的具体光学参数为:光源波长为193nm,数值孔径为0.3~0.8,部分相干系数可调范围为0.2~0.8,可一次性仿真1μm×1μm到10μm×10μm范围内的45 nm^0.18μm工艺的复杂版图,并通过多次实验进行验证。实验结果表明:原版图图像的边缘细节得到保留,且该算法有效地减少了光刻模拟的计算复杂度与计算时间,整体效率提升20%以上,为当前智能传感器系统芯片的制造节省了宝贵时间。 展开更多
关键词 传感器 多边形切分 光刻仿真 光学邻近效应 部分相干系数
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微细加工技术与设备
9
《中国光学》 EI CAS 2001年第1期96-96,共1页
TN305.7 2001010649用灰阶编码掩模实现邻近效应精细校正的研究=Finecorrection of optical proximity effect by usinggray-tone coding mask[刊,中]/杜惊雷,粟敬钦,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),罗克俭,崔铮(内... TN305.7 2001010649用灰阶编码掩模实现邻近效应精细校正的研究=Finecorrection of optical proximity effect by usinggray-tone coding mask[刊,中]/杜惊雷,粟敬钦,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),罗克俭,崔铮(内江教育学院.内江(6141002))∥光学学报.-2000,20(4).-518-524提出了用灰阶编码的二元掩模代替灰阶掩模实现邻近效应精细校正的新方法,并阐述了新方法的特点。讨论了灰阶编码与灰阶掩模的等效关系,给出了灰阶编码掩模实现光学邻近效应校正的模拟结果。 展开更多
关键词 光学邻近效应校正 灰阶编码掩模 灰阶掩模 大学物理 校正机理 新方法 衰减相移掩模 四川 二元掩模 教育学院
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微细加工技术与设备
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《中国光学》 EI CAS 1999年第4期93-97,共5页
TN305.2 99042750液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶=Nano—crystallinecarbon nitrides prepared by laser ablatingsolid target in liquid[刊,中]/刘秋香,王金斌,杨国伟(湘潭大学现代物理研究所.湖南,湘潭(411105))//微细加工技... TN305.2 99042750液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶=Nano—crystallinecarbon nitrides prepared by laser ablatingsolid target in liquid[刊,中]/刘秋香,王金斌,杨国伟(湘潭大学现代物理研究所.湖南,湘潭(411105))//微细加工技术.—1998,(2). 展开更多
关键词 微细加工技术 激光熔蚀 纳米晶 光刻胶灰化工艺 中科院 技术研究所 光刻技术 氮化碳 光学邻近效应校正 四川
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微细加工技术与设备
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《中国光学》 EI CAS 2000年第2期101-102,共2页
TN305.7 2000021426激光直写邻近效应的校正=Optical proximity correctionin laser direct writing[刊,中]/杜惊雷,黄奇忠,姚军,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),邱传凯(中科院光电所微细加工光学技术国家开放实验室... TN305.7 2000021426激光直写邻近效应的校正=Optical proximity correctionin laser direct writing[刊,中]/杜惊雷,黄奇忠,姚军,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),邱传凯(中科院光电所微细加工光学技术国家开放实验室.四川,成都(610209)),崔铮(英国卢瑟福国家实验室)//光学学报.-1999,19(7).-953-957邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素,它也限制了激光直写在亚微米和亚半微米光刻中的应用。分析了激光直写邻近效应产生的原因,指出它和电子束直写及投影光刻的区别。 展开更多
关键词 激光直写 光学邻近效应 大学物理 国家实验室 四川 亚微米 微细加工光学技术 亚半微米光刻 电子束直写 开放实验室
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