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退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响
被引量：
17
1
作者
吴桂芳
史守华
+3 位作者
何玉平
王磊
陈良
孙兆奇
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第2期139-142,共4页
采用光学相移法 ,对Si基片上Cu膜应力随退火温度的变化进行了研究。研究表明 :随退火温度的升高 ,Cu膜应力减小 ,2 0 0℃时平均应力减小为 - 0 2 6 1× 10 8Pa,且应力分布均匀 ,在选区范围内应力差仅为 2 2 4 4× 10 8Pa。同...
采用光学相移法 ,对Si基片上Cu膜应力随退火温度的变化进行了研究。研究表明 :随退火温度的升高 ,Cu膜应力减小 ,2 0 0℃时平均应力减小为 - 0 2 6 1× 10 8Pa,且应力分布均匀 ,在选区范围内应力差仅为 2 2 4 4× 10 8Pa。同时用X射线衍射技术测量分析了Cu膜经过不同退火温度热处理后的微结构组织 。
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关键词
溅射Cu膜
退火温度
微结构
应力
光学相移法
硅基片
集成电路
铜薄膜
微电子技术
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职称材料
Ar压强对硅基Al膜应力和微结构的影响
被引量：
2
2
作者
宋学萍
饶淑玲
+1 位作者
方伟
孙兆奇
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期150-153,158,共5页
用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5min和10min,氩气压强分别为0.7、3、6Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化进行了研究。应力分析表明在同一溅射时间,随着氩气压强的减小,Al...
用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5min和10min,氩气压强分别为0.7、3、6Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化进行了研究。应力分析表明在同一溅射时间,随着氩气压强的减小,Al膜厚度增大,在相同选区范围内,Al膜的应力差变小,应力分布趋于均匀。结构分析表明制备的Al膜呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方,在相同溅射时间下,压强为0.7Pa的Al膜结晶度最好。随着压强的减小,平均晶粒尺寸和晶格常数增大。
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关键词
Al膜
微结构
应力和
压强
直流磁控溅射
法
硅基
AR
X射线衍射
法
平均晶粒尺寸
光学相移法
应力分布
面心立方
晶体结构
晶格常数
分析表
时间
膜厚度
应力差
结晶度
制备
氩气
减小
增大
多晶
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职称材料
不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究
被引量：
1
3
作者
李秀宇
吴月花
+1 位作者
李志国
付厚奎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期47-51,共5页
采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化。研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同。SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大。200℃下退火4 h后,应力减小明显,且分布趋向均匀。同时...
采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化。研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同。SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大。200℃下退火4 h后,应力减小明显,且分布趋向均匀。同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,模拟结果与实验结果相符。
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关键词
钝化层
光学相移法
应力
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职称材料
题名
退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响
被引量：
17
1
作者
吴桂芳
史守华
何玉平
王磊
陈良
孙兆奇
机构
安徽大学物理系
中国科学院固体物理所内耗与固体缺陷开放实验室
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第2期139-142,共4页
基金
国家自然科学基金 (No .5 9972 0 0 1)
安徽省教育厅科研基金 (No .99JL0 0 2 4)资助课题
文摘
采用光学相移法 ,对Si基片上Cu膜应力随退火温度的变化进行了研究。研究表明 :随退火温度的升高 ,Cu膜应力减小 ,2 0 0℃时平均应力减小为 - 0 2 6 1× 10 8Pa,且应力分布均匀 ,在选区范围内应力差仅为 2 2 4 4× 10 8Pa。同时用X射线衍射技术测量分析了Cu膜经过不同退火温度热处理后的微结构组织 。
关键词
溅射Cu膜
退火温度
微结构
应力
光学相移法
硅基片
集成电路
铜薄膜
微电子技术
Keywords
Sputtering Cu film,Annealing temperature,Microstructure,Stress,Optical phase shift technology
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
O484.2 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
Ar压强对硅基Al膜应力和微结构的影响
被引量：
2
2
作者
宋学萍
饶淑玲
方伟
孙兆奇
机构
安徽大学物理与材料科学学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期150-153,158,共5页
基金
国家自然科学基金(No.59972001)
安徽省自然科学基金(No.01044901)
+2 种基金
安徽省教育厅科研基金(No.2003KJ025)
安徽省人材专项基金(No.2004Z029)
安徽大学人材队伍建设基金资助项目
文摘
用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5min和10min,氩气压强分别为0.7、3、6Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化进行了研究。应力分析表明在同一溅射时间,随着氩气压强的减小,Al膜厚度增大,在相同选区范围内,Al膜的应力差变小,应力分布趋于均匀。结构分析表明制备的Al膜呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方,在相同溅射时间下,压强为0.7Pa的Al膜结晶度最好。随着压强的减小,平均晶粒尺寸和晶格常数增大。
关键词
Al膜
微结构
应力和
压强
直流磁控溅射
法
硅基
AR
X射线衍射
法
平均晶粒尺寸
光学相移法
应力分布
面心立方
晶体结构
晶格常数
分析表
时间
膜厚度
应力差
结晶度
制备
氩气
减小
增大
多晶
Keywords
Aluminum
Argon
Grain size and shape
Lattice constants
Magnetron sputtering
Microstructure
Pressure
Silicon wafers
Stresses
分类号
TQ153.3 [化学工程—电化学工业]
O348.1 [理学—固体力学]
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职称材料
题名
不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究
被引量：
1
3
作者
李秀宇
吴月花
李志国
付厚奎
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期47-51,共5页
基金
电子元器件可靠性物理及应用技术国防科技重点实验室资助项目(51433020305QT0101)
北京工业大学第四届研究生科技基金资助(ykj-2005-096)
文摘
采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化。研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同。SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大。200℃下退火4 h后,应力减小明显,且分布趋向均匀。同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,模拟结果与实验结果相符。
关键词
钝化层
光学相移法
应力
Keywords
passivation layer
optical phase shift technology
stress
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响
吴桂芳
史守华
何玉平
王磊
陈良
孙兆奇
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002
17
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Ar压强对硅基Al膜应力和微结构的影响
宋学萍
饶淑玲
方伟
孙兆奇
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究
李秀宇
吴月花
李志国
付厚奎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
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职称材料
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