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基于改进YOLOv7-Tiny的轻量化激光器芯片缺陷检测算法被引量：2: 1; 作者胡玮赵菊敏李灯熬《太原理工大学学报》北大核心 2025年第1期137-147,共11页; 【目的】高功率半导体激光器的光学灾变损伤是限制其可靠性和寿命的主要因素,因此,有效的缺陷检测对于优化激光器芯片的制造工艺和结构设计至关重要。提出了一种基于改进YOLOv7-Tiny的轻量化激光器芯片缺陷检测算法,旨在解决深度学习应... 展开更多; 关键词光学灾变损伤半导体激光器芯片缺陷检测轻量化模型剪枝; 在线阅读下载PDF 职称材料

大功率780nm单管连续输出16W和巴条连续输出180W半导体激光器被引量：1: 2; 作者李弋王浩淼 +8 位作者张亮贺钰雯周坤杜维川何林安胡耀武德勇高松信唐淳《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期17-22,共6页; 设计并制备了780 nm大功率半导体激光器的单管和巴条。采用金属有机化学气相沉积技术制备的外延结构,分别使用GaAsP和GaInP作为量子阱和波导层,限制层是具有高带隙的AlGaInP材料。量子阱与波导层带隙0.15 eV,波导层与限制层带隙0.28 eV... 展开更多; 关键词半导体激光器泵浦源高效率腔面光学灾变损伤硒化锌; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究（英文）被引量：11: 3; 作者刘翠翠林楠 +4 位作者熊聪曼玉选赵碧瑶刘素平马骁宇《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期203-216,共14页; 光学灾变损伤(COD)常发生于量子阱半导体激光器的前腔面处,极大地影响了激光器的出光功率及寿命。通过杂质诱导量子阱混杂技术使腔面区波长蓝移来制备非吸收窗口是抑制腔面COD的有效手段,也是一种高效率、低成本方法。本文选择了Si杂质... 展开更多; 关键词量子阱半导体激光器光学灾变损伤量子阱混杂蓝移; 在线阅读下载PDF 职称材料

带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管被引量：5: 4; 作者刘翠翠林楠 +2 位作者马骁宇井红旗刘素平《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期110-118,共9页; 为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析。首先,对于带有非吸收窗口的二极... 展开更多; 关键词半导体激光二极管腔面光学灾变损伤量子阱混杂非吸收窗口; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究(特邀) 被引量：1: 5; 作者王予晓朱凌妮 +4 位作者仲莉祁琼李伟刘素平马骁宇《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期103-109,共7页; 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一。为制备高功率和高可靠性半导体器件,初步探索了Si杂质诱导量子阱混杂技术,并将其应用于975 nm半导体激光器件的非吸收窗口制备工艺。采用循环退火方式,研究了不... 展开更多; 关键词半导体激光器量子阱混杂非吸收窗口腔面光学灾变损伤硅退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究被引量：1: 6; 作者王予晓朱凌妮 +3 位作者仲莉孔金霞刘素平马骁宇《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期426-432,共7页; 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法。为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索。本文使用Si介... 展开更多; 关键词量子阱混杂半导体激光器腔面光学灾变损伤; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于改进YOLOv7-Tiny的轻量化激光器芯片缺陷检测算法被引量：2: 1; 作者胡玮赵菊敏李灯熬; 机构太原理工大学电子信息工程学院太原理工大学计算机科学与技术学院(大数据学院) 太原理工大学大数据融合分析与应用山西省重点实验室太原理工大学山西省智能感知工程研究中心; 出处《太原理工大学学报》北大核心 2025年第1期137-147,共11页; 基金国家重大科研仪器研制项目(62027819) 山西省关键核心技术和共性技术研发攻关专项项目(2020XXX007)。; 文摘【目的】高功率半导体激光器的光学灾变损伤是限制其可靠性和寿命的主要因素,因此,有效的缺陷检测对于优化激光器芯片的制造工艺和结构设计至关重要。提出了一种基于改进YOLOv7-Tiny的轻量化激光器芯片缺陷检测算法,旨在解决深度学习应用于缺陷检测时面临的高计算量和参数量问题。【方法】利用轻量化卷积神经网络替换特征提取主干有效减少对计算资源消耗,有效提取电致发光图像中缺陷特征。为从上下文特征获取更丰富的信息,引入多分支重参数化卷积块重构聚合模块,通过多路径分支丰富特征表示,训练与推理的解耦保证检测效率。此外,结合坐标注意力,提升定位精度。进行了剪枝实验和模型部署,验证算法的初步应用。【结果】在电致发光缺陷数据集上的实验结果显示,本文方法能在较低的参数和计算量下准确地检测出芯片缺陷,展现出良好的性能。; 关键词光学灾变损伤半导体激光器芯片缺陷检测轻量化模型剪枝; Keywords catastrophic optical damage semiconductor laser chip defect detection lightweight model pruning; 分类号 TP183 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程] TP399 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大功率780nm单管连续输出16W和巴条连续输出180W半导体激光器被引量：1: 2; 作者李弋王浩淼张亮贺钰雯周坤杜维川何林安胡耀武德勇高松信唐淳; 机构中国工程物理研究院应用电子学研究所中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室; 出处《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期17-22,共6页; 文摘设计并制备了780 nm大功率半导体激光器的单管和巴条。采用金属有机化学气相沉积技术制备的外延结构,分别使用GaAsP和GaInP作为量子阱和波导层,限制层是具有高带隙的AlGaInP材料。量子阱与波导层带隙0.15 eV,波导层与限制层带隙0.28 eV,抑制了载流子泄露。1.55μm厚非对称大光学腔波导结构抑制快轴高阶模,同时缓解腔面损伤问题。为进一步提高腔面损伤阈值,利用超高真空解理和钝化技术,在腔面上沉积了非晶ZnSe钝化层。条宽150μm、腔长4 mm的单管器件,在电流为15 A时,输出连续功率16.3 W未出现COD现象,斜率效率达到1.27 W/A,电光转换效率为58%,慢轴发散角9.9°,光谱半高宽为1.81 nm。填充因子为40%的厘米巴条,在192 A下实现连续输出功率180 W,电光转换效率为50.7%,光谱宽度仅为2.2 nm。; 关键词半导体激光器泵浦源高效率腔面光学灾变损伤硒化锌; Keywords semiconductor laser pump source high efficiency catastrophic optical mirror damage ZnSe; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究（英文）被引量：11: 3; 作者刘翠翠林楠熊聪曼玉选赵碧瑶刘素平马骁宇; 机构中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心中国科学院大学; 出处《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期203-216,共14页; 基金半导体激光器军民两用基金预研项目(No.41414010302)~~; 文摘光学灾变损伤(COD)常发生于量子阱半导体激光器的前腔面处,极大地影响了激光器的出光功率及寿命。通过杂质诱导量子阱混杂技术使腔面区波长蓝移来制备非吸收窗口是抑制腔面COD的有效手段,也是一种高效率、低成本方法。本文选择了Si杂质作为量子阱混杂的诱导源,使用金属有机化学气相沉积设备生长了InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光器外延结构、Si杂质扩散层及Si 3 N 4保护层。热退火处理后,Si杂质扩散诱导量子阱区和垒区材料互扩散,量子阱禁带变宽,输出波长发生蓝移。退火会影响外延片的表面形貌,而表面形貌则可能会影响后续封装工艺中电极的制备。结合光学显微镜及光致发光谱的测试结果,得到825℃/2 h退火条件下约93 nm的最大波长蓝移量,也证明退火对表面形貌的改变,不会影响波长蓝移效果及后续电极工艺。; 关键词量子阱半导体激光器光学灾变损伤量子阱混杂蓝移; Keywords quantum well semiconductor laser diodes catastrophe optical damage quantum well intermixing blue shift; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学] TN314.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管被引量：5: 4; 作者刘翠翠林楠马骁宇井红旗刘素平; 机构中国原子能科学研究院核物理所国防科技工业抗辐照应用技术创新中心中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心中国科学院大学; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期110-118,共9页; 基金国家自然科学基金(11690044) 国家重点研发计划(2018YFB1107300)资助项目。; 文摘为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析。首先,对于带有非吸收窗口的二极管,在其谐振腔上方前后腔面附近的窗口区域覆盖50 nm Si/100 nm SiO_(2)组合介质层,在远离腔面的增益区域覆盖50 nm Si/100 nm TiO_(2)组合介质层,并采用875℃/90 s快速热处理工艺促进Si杂质扩散诱导量子阱混杂并去除非辐射复合中心。然后,基于相同外延结构、相同流片工艺制备了无非吸收窗口的激光二极管作对照组。测试结果显示,带有非吸收窗口的新型激光二极管平均峰值输出功率提升约33.6%,平均峰值输出电流提升约50.4%,腔面光学灾变损伤的发生概率和破坏程度均明显降低,且其阈值电流、斜率效率及半高全宽等特性也无任何退化。该研究证明,采用Si杂质诱导量子阱混杂技术制备的非吸收窗口,对近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管腔面光学灾变损伤有明显的抑制效果。; 关键词半导体激光二极管腔面光学灾变损伤量子阱混杂非吸收窗口; Keywords semiconductor lasers catastrophic optical mirror damage quantum well intermixing non-absorption window; 分类号 TP248.4 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TH314.3 [机械工程—机械制造及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究(特邀) 被引量：1: 5; 作者王予晓朱凌妮仲莉祁琼李伟刘素平马骁宇; 机构中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心中国科学院大学电子电气与通信工程学院中国科学院大学材料科学与光电技术学院; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期103-109,共7页; 基金国家自然科学基金(No.62174154)。; 文摘腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一。为制备高功率和高可靠性半导体器件,初步探索了Si杂质诱导量子阱混杂技术,并将其应用于975 nm半导体激光器件的非吸收窗口制备工艺。采用循环退火方式,研究了不同条件下Si杂质诱导量子阱混杂的效果,当退火温度为830℃,退火时间为10 min,循环次数为3次时,达到最大波长蓝移量59 nm。分别在800℃5次10 min和830℃3次10 min退火条件下制备了非吸收窗口。与普通器件相比,制备非吸收窗口的器件阈值电流增大,斜率效率下降,工作电流大于10 A后器件斜率效率降低,电流-工作电流曲线呈现饱和趋势。相较之下,800℃5次10 min条件下对应的器件性能相对较好。工作电流达到15 A后普通器件失效,而制备了非吸收窗口的器件则在电流大于20 A后仍可正常工作,腔面光学灾变损伤阈值提高了33.0%以上。; 关键词半导体激光器量子阱混杂非吸收窗口腔面光学灾变损伤硅退火; Keywords Semiconductor laser Quantum well intermixing Non-absorbing window Catastrophic optical mirror degradation Si Annealing; 分类号 TN314.3 [电子电信—物理电子学] TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究被引量：1: 6; 作者王予晓朱凌妮仲莉孔金霞刘素平马骁宇; 机构中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心中国科学院大学电子电气与通信工程学院中国科学院大学材料科学与光电技术学院; 出处《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期426-432,共7页; 文摘腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法。为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索。本文使用Si介质层作为扩散源,采用管式炉高温退火的方法进行Si杂质扩散诱导量子阱混杂研究。实验并分析了介质膜厚度、退火条件、量子垒材料、牺牲层材料等因素对InGaAs/GaAs(P)量子阱蓝移量的影响。实验发现,量子阱和量子垒的混杂效果随着扩散时间以及退火温度增加而增大,且对温度尤其敏感。当退火条件为780℃、10 h时,InGaAs/GaAsP结构的波长蓝移量达到70.5 nm,量子垒为GaAsP时比GaAs有更好的促进蓝移效果。相同外延结构下,InGaP牺牲层结构相比AlGaAs牺牲层有更大的波长蓝移。; 关键词量子阱混杂半导体激光器腔面光学灾变损伤; Keywords quantum well intermixing semiconductor laser diodes COMD; 分类号 TN314.3 [电子电信—物理电子学] TN315.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于改进YOLOv7-Tiny的轻量化激光器芯片缺陷检测算法	胡玮赵菊敏李灯熬	《太原理工大学学报》北大核心	2025	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	大功率780nm单管连续输出16W和巴条连续输出180W半导体激光器	李弋王浩淼张亮贺钰雯周坤杜维川何林安胡耀武德勇高松信唐淳	《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究（英文）	刘翠翠林楠熊聪曼玉选赵碧瑶刘素平马骁宇	《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	11	在线阅读下载PDF 职称材料
4	带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管	刘翠翠林楠马骁宇井红旗刘素平	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究(特邀)	王予晓朱凌妮仲莉祁琼李伟刘素平马骁宇	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究	王予晓朱凌妮仲莉孔金霞刘素平马骁宇	《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料