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光学浮区法生长Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶及其光谱性质研究
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作者 杨晓龙 唐慧丽 +5 位作者 张超逸 孙鹏 黄林 陈龙 徐军 刘波 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期202-211,共10页
超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)因出色的光电特性而成为研究的焦点。元素掺杂对β-Ga_(2)O_(3)光谱性质的影响是材料科学领域的一个重要研究方向,具有显著的研究价值和应用前景。本研究通过光学浮区(OFZ)法,在CO_(2)环境中成功生长出β-G... 超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)因出色的光电特性而成为研究的焦点。元素掺杂对β-Ga_(2)O_(3)光谱性质的影响是材料科学领域的一个重要研究方向,具有显著的研究价值和应用前景。本研究通过光学浮区(OFZ)法,在CO_(2)环境中成功生长出β-Ga_(2)O_(3)∶6%Bi单晶,并着重研究Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶的光谱性质。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)结合能量色散X射线光谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)以透过光谱和荧光光谱等先进的表征技术,对样品的晶体结构、元素组成及光谱性质进行了较全面的测试与分析。实验结果揭示,由于离子半径差异大,Bi离子较难掺入β-Ga_(2)O_(3)晶格,掺入的Bi离子主要替代了GaO_(6)八面体中的Ga离子位置。与非故意掺杂β-Ga_(2)O_(3)相比,Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶在红外区域的透射率降低,载流子浓度增加;荧光发射光谱强度降低,荧光衰减时间缩短。这些发现不仅深化了对Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶光谱性质的理解,而且为该材料在闪烁和辐射探测等领域的应用提供了技术启示。 展开更多
关键词 bi掺杂β-Ga_(2)O_(3) 光学区法 晶体生长 拉曼光谱 光谱特性 发射光谱强度 荧光衰减时间
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光学浮区法生长Bi_2Sr(Ca)_2Co_2O_y晶体及电输运性质研究
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作者 孙宁 董松涛 姚淑华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1997-2001,共5页
采用光学浮区法生长了层状过渡金属氧化物Bi2Sr2-x Ca x Co2O y(x=0,2)晶体。通过XRD,SEM和TEM结构表征,表明了生长的晶体为层状晶体,并确定了晶体生长的方向垂直与c轴。研究了晶体的热电性能,包括Bi2Ca2Co2O y和Bi2Sr2Co2O y晶体ab面的... 采用光学浮区法生长了层状过渡金属氧化物Bi2Sr2-x Ca x Co2O y(x=0,2)晶体。通过XRD,SEM和TEM结构表征,表明了生长的晶体为层状晶体,并确定了晶体生长的方向垂直与c轴。研究了晶体的热电性能,包括Bi2Ca2Co2O y和Bi2Sr2Co2O y晶体ab面的Seeback系数和电阻率,表明了Bi2Ca2Co2O y具有较好的热电势和电导,并分析了电输运性能与晶体失配结构的关系。 展开更多
关键词 光学区法bi2sr(ca)2co2oy晶体 电输运
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