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先进制程芯片失效定位技术现状及发展
1
作者
李振远
徐昊
+3 位作者
贾沛
万永康
张凯虹
孟智超
《电子与封装》
2024年第4期75-84,共10页
芯片工艺节点从2011年的28/22 nm、2015年的16/14 nm正向3/2 nm演进,晶体管的结构也由平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)转向立体的鳍式场效应晶体管(FinFET)。失效定位是芯片失效分析中承上启下的关键一步,随着芯片工艺制程的...
芯片工艺节点从2011年的28/22 nm、2015年的16/14 nm正向3/2 nm演进,晶体管的结构也由平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)转向立体的鳍式场效应晶体管(FinFET)。失效定位是芯片失效分析中承上启下的关键一步,随着芯片工艺制程的减小、晶体管结构的转变,传统失效定位技术在定位精度上已不能满足需求。为适应市场变化,先进制程芯片的失效定位技术也有了对应的发展和突破。重点介绍了先进制程芯片中常见的电子、光学失效定位技术,通过原理、案例明确各种技术的优缺点及优先适用的失效模式,并对未来的定位技术发展进行了展望。
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关键词
失效
分析
先进制程芯片
电子
失效
定位
光学失效定位
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职称材料
题名
先进制程芯片失效定位技术现状及发展
1
作者
李振远
徐昊
贾沛
万永康
张凯虹
孟智超
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
无锡中微腾芯电子有限公司
出处
《电子与封装》
2024年第4期75-84,共10页
基金
科技部重点研发计划(2018YFB2202900)。
文摘
芯片工艺节点从2011年的28/22 nm、2015年的16/14 nm正向3/2 nm演进,晶体管的结构也由平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)转向立体的鳍式场效应晶体管(FinFET)。失效定位是芯片失效分析中承上启下的关键一步,随着芯片工艺制程的减小、晶体管结构的转变,传统失效定位技术在定位精度上已不能满足需求。为适应市场变化,先进制程芯片的失效定位技术也有了对应的发展和突破。重点介绍了先进制程芯片中常见的电子、光学失效定位技术,通过原理、案例明确各种技术的优缺点及优先适用的失效模式,并对未来的定位技术发展进行了展望。
关键词
失效
分析
先进制程芯片
电子
失效
定位
光学失效定位
Keywords
failure analysis
advanced process chip
electronic failure localization
optical failure localization
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
先进制程芯片失效定位技术现状及发展
李振远
徐昊
贾沛
万永康
张凯虹
孟智超
《电子与封装》
2024
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