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题名反演光刻技术的研究进展
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作者
艾飞
苏晓菁
韦亚一
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机构
中国科学院大学集成电路学院
中国科学院微电子研究所
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出处
《电子与信息学报》
北大核心
2025年第1期22-34,共13页
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基金
国家自然科学基金(62204257)
中央高校基本科研业务费专项资金(E3E43802)
中国科学院青促会项目(2021115)。
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文摘
反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC),生成的掩模具有成像效果更好,工艺窗口更大等优点,在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下,逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实现方法;其次,调研了当前反演光刻技术应用在光刻掩模优化问题上的研究进展,分析了反演光刻技术的优势和存在的问题。以希望为计算光刻及相关研究领域的研究人员提供参考,为我国先进集成电路产业的发展提供技术支持。
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关键词
先进集成电路技术
反演光刻技术
光学临近效应修正
掩模优化
研究进展
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Keywords
Advanced integrated circuit technology
Reverse lithography technology
Optical proximity effect correction
Mask optimization
Research progress
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TP301
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名一种基于IC电路设计的多次图形化方法
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作者
王雷
张顾斌
张雪
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机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第8期713-718,共6页
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文摘
集成电路光刻工艺中的多次图形化技术在版图拆分时着重强化图形分辨率,而非考虑电路复杂程度带来的图形复杂度和拆分难度,拆分后的版图依然包含多个电路设计单元,具有多种复杂结构,不利于光刻条件的进一步优化。以存储器为例,提出了一种基于电路设计的多次图形化方法,根据电路功能单元或器件工作电压对设计版图进行识别分组。将版图进行重新布局拆分,使拆分后图形具备类似的空间周期和图形特征,克服了传统光刻工艺需要兼顾各种图形带来的缺陷。对图形结构空间周期进行全周期优化和最大化优化,降低了对光刻设备的依赖程度,为多次图形化技术提供了一种新的思路和可行性方案。
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关键词
多次图形化
版图拆分
存储器
光罩
工艺窗口
光学临近效应修正(OPC)
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Keywords
multiple patterning
layout split
memory
mask
process window
optical proximity correction(OPC)
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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