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光子晶体微腔半导体激光器的研究进展
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作者 高鹏 毛陆虹 +3 位作者 李斌桥 陈弘达 孙增辉 陈永权 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第12期94-97,共4页
概述了光子晶体微腔半导体激光器的研究进展 ,从物理机理、数值模拟、以及工艺实现方法等方面作了详细的叙述 ,并对其在光子集成中的应用前景进行了展望。
关键词 光子晶体微腔半导体激光器 PBG 垂直面发射激光器 VCSEL 光子禁带
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微腔半导体激光器的两种新调制方法 被引量:9
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作者 郑云龙 王英龙 丁文革 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第11期987-990,共4页
本文提出微腔半导体激光器的两种新调制方法:自发发射寿命调制和光子寿命调制.小信号近似分析的数值模拟结果表明。
关键词 半导体激光器 自发发射 光子寿命调制
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光子晶体调制半导体激光器侧模 被引量:3
3
作者 张建心 刘磊 +2 位作者 陈微 渠红伟 郑婉华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第1期69-72,共4页
为了实现半导体激光器的单侧模稳定工作,提出了一种在激光器的脊条两侧引入光子晶体结构滤除半导体激光器高阶侧模的方法。通过调整激光器上表面的刻蚀深度、光子晶体区域的条宽和间隔来改变激光器内部的模场分布,同时结合选择性的载流... 为了实现半导体激光器的单侧模稳定工作,提出了一种在激光器的脊条两侧引入光子晶体结构滤除半导体激光器高阶侧模的方法。通过调整激光器上表面的刻蚀深度、光子晶体区域的条宽和间隔来改变激光器内部的模场分布,同时结合选择性的载流子注入来增强基模的激射优势,进而减少侧模的数量。实验上制作了主脊条宽度为6μm,光子晶体周期5μm,波长1 550 nm的半导体激光器。测试结果表明:在连续工作的情况下,电流300 mA的时候,高阶侧模受到抑制,水平发散角变为10.2°,证实了光子晶体结构调制激光器侧模的可行性。 展开更多
关键词 光子晶体 侧模 半导体激光器
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半导体微腔激光器瞬态响应及调制特性分析 被引量:3
4
作者 张晓霞 潘炜 +2 位作者 罗斌 吕鸿昌 陈建国 《激光技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期221-224,共4页
针对半导体微腔激光器的结构特点 ,考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应 ,采用传统速率方程的表示形式 ,建立了微腔激光器的速率方程 ,着重讨论了微腔激光器的瞬态响应及调制特性 ,给出了其动态特性的仿真结果 ,分析了自发辐射因子... 针对半导体微腔激光器的结构特点 ,考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应 ,采用传统速率方程的表示形式 ,建立了微腔激光器的速率方程 ,着重讨论了微腔激光器的瞬态响应及调制特性 ,给出了其动态特性的仿真结果 ,分析了自发辐射因子、注入电流和腔长对微腔激光器的激射阈值、延迟时间、驰豫振荡频率和光输出等参量的影响 。 展开更多
关键词 半导体激光器 瞬态响应 调制特性
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语音信号调制的微腔半导体激光器的抗噪音性能 被引量:3
5
作者 王英龙 李惠青 +4 位作者 郑云龙 丁文革 赵顺龙 孙江 尚勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期441-444,共4页
假定微腔半导体激光器输入调制信号为实际语音信号 ,伴随语音信号的噪音为加性白噪音 ,在小信号近似下 ,得到了电流调制和自发发射寿命调制下激光器的传递函数 ;在大信噪比的前提下 ,对激光器进行了频域分析 ,得到了不同参量下的信噪比... 假定微腔半导体激光器输入调制信号为实际语音信号 ,伴随语音信号的噪音为加性白噪音 ,在小信号近似下 ,得到了电流调制和自发发射寿命调制下激光器的传递函数 ;在大信噪比的前提下 ,对激光器进行了频域分析 ,得到了不同参量下的信噪比增益 .数值模拟结果表明 ,在偏置电流的变化范围内 ,存在极低信噪比增益区 ,大自发发射因子、小自发发射寿命有利于使该区变窄 ;语音信号的通带范围和功率谱密度分布特征参量的适当选取 。 展开更多
关键词 半导体激光器 抗噪音性能 语音信号调制 光纤通信
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使用外腔半导体激光器对远距离微小振动的干涉测量 被引量:2
6
作者 江鹏飞 张静娟 +1 位作者 赵伟瑞 谢福增 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2004年第3期253-255,共3页
采用中心波长为942.4nm,线宽大于3.6nm的半导体激光器,使用Littrow型自准直光栅外腔结构,得到功率恒定、模式单一稳定、线宽优于1.2MHz(Δλ<3.5×10-6nm)的激光输出;使用正弦光频调制方式完成了对远距离的微小振动(纳米量级)的... 采用中心波长为942.4nm,线宽大于3.6nm的半导体激光器,使用Littrow型自准直光栅外腔结构,得到功率恒定、模式单一稳定、线宽优于1.2MHz(Δλ<3.5×10-6nm)的激光输出;使用正弦光频调制方式完成了对远距离的微小振动(纳米量级)的测量,对振动的辐值和频率都具备良好的探测效果。 展开更多
关键词 干涉测量 振动测量 半导体激光器 窄线宽
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微腔半导体激光器的结模型 被引量:2
7
作者 郑云龙 王英龙 丁文革 《量子电子学报》 CAS CSCD 1999年第3期224-228,236,共6页
本文提出微腔半导体激光器的站模型,并分析讨论了自发发射因子β=1的微腔半导体激光器的一些稳态和瞬态特性.
关键词 半导体激光器 站模型
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半导体微腔激光器瞬态特性的分析 被引量:1
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作者 潘炜 张晓霞 +2 位作者 罗斌 吕鸿昌 陈建国 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期39-42,共4页
建立了反映半导体微腔激光器特性的模型。借助计算机手段 ,运用 Matlab软件直接给出了半导体微腔激光器瞬态响应的仿真结果及载流子密度和光子密度的相图。分析了自发辐射因子、注入电流和腔长对微腔激光器的激射阈值、延迟时间、驰豫... 建立了反映半导体微腔激光器特性的模型。借助计算机手段 ,运用 Matlab软件直接给出了半导体微腔激光器瞬态响应的仿真结果及载流子密度和光子密度的相图。分析了自发辐射因子、注入电流和腔长对微腔激光器的激射阈值、延迟时间、驰豫振荡频率和光输出等参量的影响。该模型及有关结论为半导体微腔激光器的工艺制作 ,改善的高频调制特性和优化器件结构提供了理论依据。 展开更多
关键词 半导体激光器 激光器 瞬态特性
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半导体微腔激光器中的自发辐射耦合增强效应 被引量:1
9
作者 潘炜 张晓霞 +1 位作者 罗斌 陈建国 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期216-218,224,共4页
针对半导体微腔激光器的结构特点 ,以及腔量子电动力学中自发辐射增强效应 ,采用光增益与载流子密度的对数关系 ,引入增益饱和项和非辐射复合项的贡献 ,指出即便是对于理想的封闭微腔 ,由于非辐射衰减速率的影响 ,光输出并不随泵浦线性... 针对半导体微腔激光器的结构特点 ,以及腔量子电动力学中自发辐射增强效应 ,采用光增益与载流子密度的对数关系 ,引入增益饱和项和非辐射复合项的贡献 ,指出即便是对于理想的封闭微腔 ,由于非辐射衰减速率的影响 ,光输出并不随泵浦线性变化。结合频谱和相图分析 ,给出了自发辐射耦合因子与微腔激光器的激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量关系的仿真结果 ,这对于微腔激光器的理论研究和优化器件结构有所裨益。 展开更多
关键词 半导体激光器 自发辐射耦合因子 瞬态响应 增强效应
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非辐射复合对微腔半导体激光器自发发射寿命调制特性的影响 被引量:1
10
作者 丁文革 郑云龙 王英龙 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2000年第2期136-139,共4页
考虑非辐射复合,采用小信号近似方法分析了微腔半导体激光器的自发发射寿命调制。数值模拟结果表明 ,非辐射复合对微腔半导体激光器自发发射寿命调制的调制带宽有一定影响,它可使特定注入电流下的共振峰消除。
关键词 半导体激光器 自发发射寿命调制 非辐射复合
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具有氧化孔径层的方柱形微腔半导体激光器理论模型
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作者 王英龙 李惠青 +4 位作者 丁文革 常雷 孙江 郑云龙 王莹 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第3期235-238,243,共5页
对于具有大折射率衬比的氧化孔径层的方柱形垂直腔面发射微腔半导体激光器 ,基于Maxwell方程组的矢量解 ,推导了用于计算激光器阈值增益的理论模型 。
关键词 方柱形 半导体激光器 氧化孔径层
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半导体激光器微腔结构调制的脉码在光纤中的传输
12
作者 王英龙 郑云龙 赵顺龙 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期172-175,共4页
对于平面结构微腔半导体激光器的微腔结构调制,数值模拟了其输出二进制脉码在光纤中的传输眼图,给出了双态对应的微腔结构参数与脉码在线性光纤中无误码传输最大距离的数值对应关系。
关键词 半导体激光器 结构 光纤传输 眼图 电流调制
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有源区体积对微腔半导体激光器电流调制带宽的影响
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作者 丁文革 王英龙 +1 位作者 郑云龙 李惠青 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第1期13-15,共3页
主要讨论了微腔半导体激光器电流调制带宽随有源区体积的变化规律 .数值模拟结果表明 :当自发发射因子较大时 ,对于不同的有源区体积 ,电流调制带宽显著不同 .同等参数下 ,适当选择有源区体积 ,可使电流调制带宽提高 2~
关键词 有源区体积 半导体激光器 电流调制带宽 自发发射因子 调制性能 数值模拟
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平面微腔半导体激光器的横模控制
14
作者 赵一广 张宇生 +1 位作者 黄显玲 焦鹏飞 《量子电子学报》 CAS CSCD 1997年第6期573-573,共1页
关键词 半导体激光器 离阶横模
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微腔半导体激光器泵浦的光孤子源研究
15
作者 王英龙 郑云龙 +1 位作者 张荣梅 尚勇 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第9期168-174,共7页
从微腔半导体激光器考虑相位变化的速率方程和光纤非线性薛定谔方程出发,数值模拟了交变电流注入下微腔半导体激光器内腔和光纤外腔中的光振荡过程,研究了光孤子形成的可能性。结果表明,合理选择自发发射因子、有源区体积、相位振幅耦... 从微腔半导体激光器考虑相位变化的速率方程和光纤非线性薛定谔方程出发,数值模拟了交变电流注入下微腔半导体激光器内腔和光纤外腔中的光振荡过程,研究了光孤子形成的可能性。结果表明,合理选择自发发射因子、有源区体积、相位振幅耦合参数、附加相位参量等内外腔参数,可以实现稳定的孤子脉冲输出。 展开更多
关键词 光电子学与激光技术 光纤孤子 数值模拟 半导体激光器
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微腔面发射半导体激光器的像散因子
16
作者 赵一广 张宇生 +3 位作者 焦鹏飞 黄显玲 陈娓兮 林世呜 《量子电子学》 CSCD 1996年第5期442-443,共2页
微腔面发射半导体激光器的像散因子赵一广,张宇生,焦鹏飞,黄显玲,陈娓兮(北京大学物理系北京100871)林世呜(中国科学院半导体所北京100083)微腔半导体激光器的自发发射因子是当前非常热门的研究课题。理论预言,在... 微腔面发射半导体激光器的像散因子赵一广,张宇生,焦鹏飞,黄显玲,陈娓兮(北京大学物理系北京100871)林世呜(中国科学院半导体所北京100083)微腔半导体激光器的自发发射因子是当前非常热门的研究课题。理论预言,在微腔半导体激光器中自发发射因子可能... 展开更多
关键词 半导体激光器 像散因子 面发射
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硅光子芯片外腔窄线宽半导体激光器 被引量:10
17
作者 杜悦宁 陈超 +3 位作者 秦莉 张星 陈泳屹 宁永强 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期229-241,共13页
随着超高速光互连、相干光通信、相干检测等技术的不断发展,对激光光源的线宽、相频噪声、可调谐性和稳定性等都提出了更为严格的要求。利用基于CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的硅光子芯片与半导体增益芯片各自的... 随着超高速光互连、相干光通信、相干检测等技术的不断发展,对激光光源的线宽、相频噪声、可调谐性和稳定性等都提出了更为严格的要求。利用基于CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的硅光子芯片与半导体增益芯片各自的优势,将二者准单片集成实现结构紧凑、低功耗和高稳定性的窄线宽半导体激光器成为近年的研究热点。该结构可通过微环谐振器、环形反射镜和马赫曾德干涉仪等提供光反馈压窄线宽,并实现宽调谐范围和稳定功率输出。本文主要阐述了硅光子芯片外腔半导体激光器的最新研究进展,针对几种包含微环谐振器的结构进行了分类介绍,深入讨论了增加耦合效率和降低端面反射率等技术难题。针对未来空间光通信和光互连等应用前景,展望了该类激光器在功率提升和光子集成方面的未来发展方向。 展开更多
关键词 窄线宽 可调谐激光器 光子芯片 半导体激光器
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微腔半导体激光器的多模行为 被引量:2
18
作者 丁文革 郑云龙 王英龙 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1998年第3期243-245,共3页
采用数值模似的方法讨论了微腔半导体激光器的多模行为。结果表明,通过调整微腔的结构,使激射模频率落在有源介质的增益谱峰处,并且使自发发射进入该模式的效率尽量大,可实现微腔半导体激光器的单模输出。
关键词 半导体激光器 多模行为
全文增补中
微腔半导体激光器的抗噪声性能 被引量:3
19
作者 丁文革 郑云龙 +1 位作者 王英龙 阎肃 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第3期243-245,共3页
针对被假定为白噪声的电流噪声,在大信噪比的前提下,计算了微腔半导体激光器在不同参数下的信噪比增益和输出信噪比, 为高质量的光输出、高抗噪声性能的微腔半导体激光器的设计提供了理论依据。
关键词 半导体激光器 抗噪声性能
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两种调制方式下微腔半导体激光器的抗噪声性能
20
作者 赵顺龙 王英龙 +3 位作者 闫正 郑云龙 丁文革 杨保柱 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第2期133-136,140,共5页
假定输入调制信号为实际语音信号 ,伴随语音信号的噪声为加性白噪声 ,在大输入信噪比前提下 ,对微腔半导体激光器的自发发射寿命调制、光子寿命调制两种调制方式进行了频域分析 ,得到了不同参数下的信噪比增益 .数值模拟的结果表明 ,如... 假定输入调制信号为实际语音信号 ,伴随语音信号的噪声为加性白噪声 ,在大输入信噪比前提下 ,对微腔半导体激光器的自发发射寿命调制、光子寿命调制两种调制方式进行了频域分析 ,得到了不同参数下的信噪比增益 .数值模拟的结果表明 ,如带通滤波器的通带范围取为 30 0~ 34 0 0Hz ,激光器的抗噪声性能基本不依赖于腔内参数 ;当带通滤波器的通带范围增大到一定程度 ,调整偏置电流和腔内参数可以实现两种调制下半导体激光器的高抗噪声性能 . 展开更多
关键词 半导体激光器 自发发射寿命调制 光子寿命调制 抗噪声性能
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