检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

STI埋层的高光电流和低暗计数率单光子雪崩二极管（英文）被引量：2: 1; 作者金湘亮彭亚男 +4 位作者曾朵朵杨红姣蒲华燕彭艳罗均《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期149-153,共5页; 研究和分析了一种0. 18μm CMOS工艺单光子雪崩二极管(SPAD),其结构能抑制过早的边缘击穿(PEB),同时获得较大的光电流和低的暗计数率(DCR).该SPAD由p-well/deep n-well的感光结,deep n-well向上扩散形成的区域和边缘Shallow Trench Isol... 展开更多; 关键词单光子雪崩二极管边缘击穿暗计数率互补金属氧化物半导体光子探测概率; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能单光子雪崩二极管在180 nm CMOS工艺中的设计与实现（英文）被引量：3: 2; 作者金湘亮曹灿杨红姣《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期30-34,128,共6页; 为了实现大阵列电路集成,文中设计和实现了一种能与主动淬火电路集成的宽光谱范围和快速的单光子雪崩二极管(SPAD)芯片.一个精确的单光子雪崩二极管电路模型模拟了其在盖革模式下的静态和动态行为.该有源区直径为8μm的单光子雪崩二极... 展开更多; 关键词单光子雪崩二极管光子探测概率模型盖革模式 CMOS图像传感器技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

p-well/DNW单光子雪崩二极管保护环的最小化设计（英文）被引量：3: 3; 作者杨红姣金湘亮《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期527-532,共6页; 为了进一步缩小SPAD探测器的尺寸,基于0. 18μm CMOS图像传感器(CIS)工艺对p-well/DNW(deep n-well) SPAD的保护环尺寸进行设计,并制造了不同保护环尺寸的SPAD器件.测试结果表明,保护环尺寸减小到0. 4μm仍然能有效防止器件发生过早边... 展开更多; 关键词单光子雪崩二极管(SPAD) 保护环边缘击穿(PEB) 暗计数率(DCR) 光子探测概率(PDP); 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	STI埋层的高光电流和低暗计数率单光子雪崩二极管（英文）	金湘亮彭亚男曾朵朵杨红姣蒲华燕彭艳罗均	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高性能单光子雪崩二极管在180 nm CMOS工艺中的设计与实现（英文）	金湘亮曹灿杨红姣	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	p-well/DNW单光子雪崩二极管保护环的最小化设计（英文）	杨红姣金湘亮	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	3	在线阅读下载PDF 职称材料