期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
位错对n型GaN光助电化学腐蚀的中止作用
1
作者
陈克林
张荣
+6 位作者
王国鹏
俞慧强
顾书林
沈波
施毅
王慧田
郑有
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2001年第4期94-95,98,共3页
对用氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的n型GaN进行光助电化学 (PEC)腐蚀研究 ,发现了位错中止腐蚀的直接证据 ,并对其机理作了探讨。
关键词
氢化物气相外延
光助电化学腐蚀
位错中止
腐蚀
氮化镓
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
位错对n型GaN光助电化学腐蚀的中止作用
1
作者
陈克林
张荣
王国鹏
俞慧强
顾书林
沈波
施毅
王慧田
郑有
机构
南京大学物理系固体微结构国家重点实验室
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2001年第4期94-95,98,共3页
基金
863计划! ( 863 715 0 0 1 0 2 2 0
863 715 0 11 0 0 3 1
+2 种基金
863 3 0 7 12 3 0 5 )
国家自然科学基金!资助项目 ( 699760 14
698
文摘
对用氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的n型GaN进行光助电化学 (PEC)腐蚀研究 ,发现了位错中止腐蚀的直接证据 ,并对其机理作了探讨。
关键词
氢化物气相外延
光助电化学腐蚀
位错中止
腐蚀
氮化镓
Keywords
Hydride vapor phase epitaxy (HVPE), Photoelectrochemical (PEC) etching, Etch stop
分类号
TG172 [金属学及工艺—金属表面处理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
位错对n型GaN光助电化学腐蚀的中止作用
陈克林
张荣
王国鹏
俞慧强
顾书林
沈波
施毅
王慧田
郑有
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2001
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
