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题名单层曲面复眼成像系统的优化设计
被引量:14
- 1
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作者
邸思
杜如虚
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机构
中国科学院香港中文大学深圳先进集成技术研究所
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出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期27-31,共5页
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文摘
与传统曲面复眼结构不同,提出了在曲面基底上设计非均一微透镜阵列的构想。整个透镜阵列呈环状对称分布,沿径向排列的各级透镜其焦距由所处位置决定,与基底到光探测阵列的距离相吻合。根据几何光学成像原理计算了各级透镜的设计参数并通过光线追迹加以验证。仿真结果表明,这种设计可对全视场在光探测阵列上聚焦,解决了传统曲面复眼边缘视场成像质量急剧下降的问题。同时还论证了采用光刻胶热熔法在曲面基底上制作非均一微透镜阵列的可行性。
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关键词
曲面复眼
微透镜阵列
光线追迹
光刻胶热熔法
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Keywords
spherical compound-eye
microlens array
ray tracing
photo-resist melting method
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分类号
O439
[机械工程—光学工程]
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题名用于短波红外探测器的微透镜阵列制作
被引量:4
- 2
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作者
冯献飞
邓军
刘明
李超慧
邹德恕
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机构
北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室
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出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第6期633-637,共5页
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基金
2017年光电子技术教育部重点实验室基金(PXM2017_014204_500034)的经费支持
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文摘
采用光刻胶热熔法制作具有特定尺寸的微透镜,制作的微透镜能将微透镜阵列技术应用于短波1μm?3μm红外探测器中,有效地提高探测器件的光电性能。采用AZ P4620厚光刻胶,利用紫外光刻技术,对透镜制作中的前烘、曝光和显影、坚膜、热熔等工艺进行了深入细致的实验研究,确定了最优的工艺参数,实现了球冠直径在(5.5±0.5)μm,曲率半径3μm的微透镜,且透镜有很好的均匀性和一致性,满足近红外探测器件的要求。
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关键词
微透镜阵列
光刻胶热熔法
前烘
热熔
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Keywords
microlens array
melting photoresist
pre-baking
hot melt
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分类号
TH741.8
[机械工程—光学工程]
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题名仿生复眼结构的制作与测试研究
被引量:1
- 3
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作者
陈德沅
石云波
邹坤
贺婷
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机构
中北大学电子测试技术国防重点实验室
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期1591-1595,共5页
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基金
国家重点基础研究发展"973"计划项目(2012CB723401)
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文摘
为了更好地利用生物复眼的光学性能,介绍了一种新型仿生复眼结构。通过使用传统光刻胶热熔法和NOA73紫外曝光固化技术,得到了NOA73和PDMS材料的微透镜阵列,比较了它们的聚焦效果和光强分布,得到NOA73材料具有更好的光学性能;然后利用PDMS的柔韧性进行了两次倒模,再通过紫外曝光把NOA73固化,得到了背靠背形式的仿生复眼结构;最后对结构进行了成像测试、光强分布测试,并对结果进行了仿真和理论分析,可知该结构具有良好的形貌,光损耗小,光学性能优异并且具有很好的重复性,制作简单,成本低,能够模仿生物复眼的部分光学特性。
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关键词
光学
仿生复眼
光刻胶热熔法
PDMS
NOA73
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Keywords
optical
biological compound eye
photoresist melting method
PDMS
NOA73
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分类号
TH161.1
[机械工程—机械制造及自动化]
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题名MOEMS器件的硅微透镜阵列制造工艺
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作者
王进
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机构
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台
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出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2019年第10期5-7,共3页
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文摘
开发了一种适于MOEMS器件的基于硅微加工技术的简易的硅微透镜阵列制造工艺。通过光刻胶热熔法与ICPRIE(感应耦合等离子反应离子刻蚀)相结合的方式,实现在硅晶圆上批量生产微透镜阵列。通过多层涂胶的方式以及以2.5℃/min的速率从115℃升温至130℃的热熔工艺,获得口径为2.41 mm、矢高99.9μm的光刻胶微透镜阵列。通过控制ICPRIE的胶与硅的刻蚀选择比达到约1∶1,将光刻胶曲率准确地转移到硅晶圆上。
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关键词
微透镜阵列
MOEMS
硅微加工技术
光刻胶热熔法
ICPRIE
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Keywords
microlens arrays
MOEMS(micro-opto-electro-mechanical systems)
silicon micromachining technique
thermal reflow method of photoresist
ICPRIE(inductively coupled plasma reaction ion etching)
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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