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用于光刻胶刻蚀过程模拟的二维动态CA模型被引量：2: 1; 作者周再发黄庆安 +1 位作者李伟华卢伟《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期906-910,共5页; 针对光刻工艺模拟,首次建立了光刻胶刻蚀过程模拟的2-D动态元胞自动机(CA)模型,通过制定规则来确定模拟过程中不断更新的表面元胞,使得模拟只需要计算表面元胞的刻蚀过程.模型既有稳定性好的优点,又有运算速度快的优点.采用一些公认的... 展开更多; 关键词元胞自动机工艺模拟光刻模拟工艺模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术被引量：2: 2; 作者李季史峥 +1 位作者沈珊瑚陈晔《江南大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第6期679-684,共6页; 讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨... 展开更多; 关键词离轴照明次分辨率辅助图形分辨率增强技术光刻模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于模型的光学校正系统的设计与实现被引量：6: 3; 作者王国雄严晓浪 +1 位作者史峥陈志锦《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期521-524,548,共5页; 为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用... 展开更多; 关键词光刻模拟光学邻近校正移相掩模; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于DILL模型的SU8厚胶曝光仿真被引量：2: 4; 作者刘韧郑津津 +3 位作者沈连婠田扬超刘刚周洪军《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期32-39,共8页; 基于DILL经典曝光模型,对其分别在深度轴和时间轴上进行扩展:在深度轴上,以基尔霍夫衍射公式为基础,引入复折射率,利用光束传输法的思想计算了某曝光时刻下胶体内部的光场分布;在时间轴上,分析SU8光刻胶的特点及曝光反应过程,建立合适... 展开更多; 关键词光刻模拟 SU8胶厚胶轮廓曝光模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米标准单元库的可制造性设计被引量：1: 5; 作者李宁王国雄《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期771-775,共5页; 针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库。使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准。实例表明,新的工... 展开更多; 关键词标准单元库可制造性工艺规则光刻模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

标准单元可制造性分级: 6; 作者张子文龚敏陈岚《现代电子技术》 2008年第24期34-36,共3页; 随着制造工艺尺寸的缩小,可制造性不只是工厂需要关注的问题,更是设计者需要考虑的重点,从而提高良率和版图面积的利用率。为了使设计者更好地理解和控制可制造性,对标准单元的可制造性分级显得尤为重要。用加权重的方法对标准单元进行... 展开更多; 关键词可制造性标准单元权重光刻模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于光刻胶刻蚀过程模拟的二维动态CA模型被引量：2: 1; 作者周再发黄庆安李伟华卢伟; 机构东南大学MEMS教育部重点实验室; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期906-910,共5页; 基金国家杰出青年科学基金(No.50325519); 文摘针对光刻工艺模拟,首次建立了光刻胶刻蚀过程模拟的2-D动态元胞自动机(CA)模型,通过制定规则来确定模拟过程中不断更新的表面元胞,使得模拟只需要计算表面元胞的刻蚀过程.模型既有稳定性好的优点,又有运算速度快的优点.采用一些公认的光刻速率分布测试函数非常有效地模拟了光刻过程,模型在刻蚀速率变化非常大的区域也非常稳定.; 关键词元胞自动机工艺模拟光刻模拟工艺模型; Keywords cellular automata process simulation photolithography simulation model; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术被引量：2: 2; 作者李季史峥沈珊瑚陈晔; 机构浙江大学超大规模集成电路设计研究所; 出处《江南大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第6期679-684,共6页; 基金国家自然科学基金项目(60176015); 文摘讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.; 关键词离轴照明次分辨率辅助图形分辨率增强技术光刻模拟; Keywords off-axis illumination sub-resolution assistance feature resolution enhancement technology optical lithography simulation; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于模型的光学校正系统的设计与实现被引量：6: 3; 作者王国雄严晓浪史峥陈志锦; 机构浙江大学超大规模集成电路设计研究所; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期521-524,548,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60176015).; 文摘为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用光刻模拟器直接对输入待校正的掩模图形进行优化.最后通过对掩模版图的验证,保证校正后的掩模图形满足成像图形的精度要求.应用实例证明,该系统准确实现了版图的精确设计与校正.; 关键词光刻模拟光学邻近校正移相掩模; Keywords Error correction Integrated circuit manufacture Lithography Masks Optical design; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于DILL模型的SU8厚胶曝光仿真被引量：2: 4; 作者刘韧郑津津沈连婠田扬超刘刚周洪军; 机构中国科学技术大学精密机械与精密仪器系国家同步辐射实验室; 出处《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期32-39,共8页; 基金国家自然科学基金(10575097 10775128) +2 种基金中国科学院"百人计划" "111引智工程"(B07033)资助; 文摘基于DILL经典曝光模型,对其分别在深度轴和时间轴上进行扩展:在深度轴上,以基尔霍夫衍射公式为基础,引入复折射率,利用光束传输法的思想计算了某曝光时刻下胶体内部的光场分布;在时间轴上,分析SU8光刻胶的特点及曝光反应过程,建立合适的光交联反应动力学模型,计算不同曝光时刻下的光场分布。通过整个曝光模型的建立,最终给出一定曝光时间后的光场分布;结果表明,在曝光阶段,胶内深层光场整体分布随时间变化不大,曝光时间对曝光阶段光场分布的影响较小,这种影响将在后烘阶段得以放大。; 关键词光刻模拟 SU8胶厚胶轮廓曝光模型; Keywords lithography simulation SU-8 photoresist figure of thick resist exposure model; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米标准单元库的可制造性设计被引量：1: 5; 作者李宁王国雄; 机构浙江大学超大集成电路设计研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期771-775,共5页; 文摘针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库。使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准。实例表明,新的工艺规则和方法与生产厂家默认规则相比,在芯片设计初始阶段能够提高产品成品率,有利于缩短设计周期,增强芯片的市场竞争力。基于改进后的0.18μm工艺规则,完成标准单元库的可制造性设计工作,具有良好的应用前景。; 关键词标准单元库可制造性工艺规则光刻模拟; Keywords standard cell manufacturability design rules lithography simulation; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名标准单元可制造性分级: 6; 作者张子文龚敏陈岚; 机构四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室四中国科学院微电子研究所共性技术研究室; 出处《现代电子技术》 2008年第24期34-36,共3页; 文摘随着制造工艺尺寸的缩小,可制造性不只是工厂需要关注的问题,更是设计者需要考虑的重点,从而提高良率和版图面积的利用率。为了使设计者更好地理解和控制可制造性,对标准单元的可制造性分级显得尤为重要。用加权重的方法对标准单元进行可制造性分级,该方法不但包含可制造性规则对版图的约束,还创新性地把工艺参数变化对其造成的影响考虑了进去。用一套简化的可制造性规则和版图来演示此种分级方法的实现,并用模拟结果验证了它的有效性。该分级方法具有统一性和标准性,可以被广泛采用。; 关键词可制造性标准单元权重光刻模拟; Keywords DFM standard cell weighting approach litho - simulation; 分类号 TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用于光刻胶刻蚀过程模拟的二维动态CA模型	周再发黄庆安李伟华卢伟	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术	李季史峥沈珊瑚陈晔	《江南大学学报（自然科学版）》 CAS	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于模型的光学校正系统的设计与实现	王国雄严晓浪史峥陈志锦	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于DILL模型的SU8厚胶曝光仿真	刘韧郑津津沈连婠田扬超刘刚周洪军	《光电工程》 CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	深亚微米标准单元库的可制造性设计	李宁王国雄	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	标准单元可制造性分级	张子文龚敏陈岚	《现代电子技术》	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料