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基于SnSe_(2.37)薄膜材料的高性能近红外光电探测器
1
作者
祝新发
孟宪成
+5 位作者
刘哲
贺彪
段伟帅
孙春
王蒙军
范超
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第3期204-212,共9页
二维材料二硒化锡(SnSe_(2))具有高迁移率、高光吸收率和窄带隙的特点,被视为近红外(NIR)光电探测器的候选材料。然而SnSe_(2)在制备和生长的过程中会产生一定数量的硒空位,对SnSe_(2)近红外光电探测器的性能造成不利的影响。首先采用...
二维材料二硒化锡(SnSe_(2))具有高迁移率、高光吸收率和窄带隙的特点,被视为近红外(NIR)光电探测器的候选材料。然而SnSe_(2)在制备和生长的过程中会产生一定数量的硒空位,对SnSe_(2)近红外光电探测器的性能造成不利的影响。首先采用化学气相输运(CVT)法制备硒过量的二硒化锡(SnSe_(2.37))单晶,X射线光电子能谱(XPS)结果表明,Sn和Se的原子数比约为1∶2.37。然后通过机械剥离法从高品质的单晶上分离出横向尺寸为14μm×37μm且厚度为2 nm的SnSe_(2.37)薄膜材料。最后使用光刻图形转移法制备高性能的NIR光电探测器。经过测试,该NIR光电探测器对850 nm的近红外光表现出优异的光电探测性能,其中响应度可达2820 A·W^(-1),归一化探测率为1.02×10^(13)Jones,外量子效率为4.12×10^(5)%,响应时间为15 ms。
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关键词
二硒化锡(SnSe_(2))
化学气相输运(CVT)
法
光刻图形转移法
二维材料
近红外光电探测
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职称材料
题名
基于SnSe_(2.37)薄膜材料的高性能近红外光电探测器
1
作者
祝新发
孟宪成
刘哲
贺彪
段伟帅
孙春
王蒙军
范超
机构
河北工业大学电子信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第3期204-212,共9页
文摘
二维材料二硒化锡(SnSe_(2))具有高迁移率、高光吸收率和窄带隙的特点,被视为近红外(NIR)光电探测器的候选材料。然而SnSe_(2)在制备和生长的过程中会产生一定数量的硒空位,对SnSe_(2)近红外光电探测器的性能造成不利的影响。首先采用化学气相输运(CVT)法制备硒过量的二硒化锡(SnSe_(2.37))单晶,X射线光电子能谱(XPS)结果表明,Sn和Se的原子数比约为1∶2.37。然后通过机械剥离法从高品质的单晶上分离出横向尺寸为14μm×37μm且厚度为2 nm的SnSe_(2.37)薄膜材料。最后使用光刻图形转移法制备高性能的NIR光电探测器。经过测试,该NIR光电探测器对850 nm的近红外光表现出优异的光电探测性能,其中响应度可达2820 A·W^(-1),归一化探测率为1.02×10^(13)Jones,外量子效率为4.12×10^(5)%,响应时间为15 ms。
关键词
二硒化锡(SnSe_(2))
化学气相输运(CVT)
法
光刻图形转移法
二维材料
近红外光电探测
Keywords
tin diselenide(SnSe_(2))
chemical vapor transportation(CVT)method
photolithographic patterned transfer method
two-dimensional material
near-infrared photodetection
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN36 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于SnSe_(2.37)薄膜材料的高性能近红外光电探测器
祝新发
孟宪成
刘哲
贺彪
段伟帅
孙春
王蒙军
范超
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
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