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题名薄膜铌酸锂复杂波导的光刻工艺参数优化
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作者
石照耀
唐长发
杨登才
杨锋
李子琰
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机构
北京工业大学机械与能源工程学院
北京工业大学物理与光电学院
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出处
《北京工业大学学报》
北大核心
2025年第9期1121-1128,共8页
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基金
四川省重点实验室基金资助项目(2023-07)。
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文摘
近年来不断有新技术应用于光刻来提升光刻分辨率,由于研究和资金等方面的问题,其技术难度呈指数级增长,研究如何改进光刻工艺技术,寻找更优秀的工艺方法,已成为当前优化光刻图形、提升光刻最小分辨率的研究方向。提出了一种光刻参数优化方法,该方法通过定义最大允许时差的概念,来表征光刻工艺参数之间的相互关系。分别选用图案线宽为1.5、2.0、2.5μm的掩模版,用优化前后的光刻参数在SUSS MJB4光刻机下套刻。经过实验测试,用优化后光刻参数套刻得到的线条宽度窄于同样条件下未优化光刻参数套刻得到的线条宽度。
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关键词
薄膜铌酸锂
光波导
光刻分辨率
光刻工艺
最大允许时差
优化设计
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Keywords
lithium niobate on insulator(LNOI)
waveguide
lithographic resolution
lithography process
maximum allowable time difference
optimal design
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分类号
TN252
[电子电信—物理电子学]
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题名利用RELACS辅助技术制作“T”型栅
被引量：1
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作者
付兴昌
胡玲
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期748-750,共3页
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文摘
利用RELACS化学收缩辅助技术制作了i线三层胶结构的"T"型栅。首先利用水溶性的化学收缩试剂RELACS,涂在曝光完成的光刻图形上,然后借由混合烘焙让光刻胶中的光酸分子因受热而产生扩散运动并进入到RELACS试剂内,催化RELACS试剂,让RELACS试剂中的高分子与交链分子产生交链反应,使得光刻胶表面形成新的一层不溶于水的交链层而达到光刻图形收缩的目的。此方法增加了细栅光刻的宽容度,降低了细栅光刻制作的难度,极易将0.5μm的栅条收缩到0.3μm,甚至更小,不但有效地减小了栅长,而且提高了细栅光刻的成品率。RELACS技术可以应用于不同光刻胶类型的"T"型栅制作中。
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关键词
分辨率增强光刻辅助化学收缩
“T”型栅
i线光刻胶
三层胶结构
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Keywords
resolution enhancement lithography assisted by chemical shrink （RELACS）
T-gate
i-line resist
tri-layer resist structure
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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