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TOSA中pin背光探测器的P-I非线性特性研究
被引量：
1
1
作者
丁国庆
杜治国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期119-123,共5页
TOSA中用到的pin背光探测器是监测与控制LD前光输出特性的敏感器件,其光功率(P)和光电流(I)应具有线性关系。测试发现,不同结构和尺寸的探测器的P-I特性可能有所不同。目前普遍使用的正面进光的pin平面型光探测器,常存在某种范围的P-I...
TOSA中用到的pin背光探测器是监测与控制LD前光输出特性的敏感器件,其光功率(P)和光电流(I)应具有线性关系。测试发现,不同结构和尺寸的探测器的P-I特性可能有所不同。目前普遍使用的正面进光的pin平面型光探测器,常存在某种范围的P-I非线性。分析指出,这种非线性与器件内部结构、表面接触层情况、入射光密度、外加负偏压大小和负载电阻有关;并指出,当pin-PD中pi结位置合适、外加负偏压1.5 V以上,负载电阻1 kW,LD前光入射光功率8 mW以下,则pin背光探测器的P-I非线性可忽略。
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关键词
光
发射组件
pin背
光
探测器
P-I非线性
光
吸收层
载流子漂移
速度
光传输速度
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题名
TOSA中pin背光探测器的P-I非线性特性研究
被引量：
1
1
作者
丁国庆
杜治国
机构
武汉华工正源光子技术有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期119-123,共5页
文摘
TOSA中用到的pin背光探测器是监测与控制LD前光输出特性的敏感器件,其光功率(P)和光电流(I)应具有线性关系。测试发现,不同结构和尺寸的探测器的P-I特性可能有所不同。目前普遍使用的正面进光的pin平面型光探测器,常存在某种范围的P-I非线性。分析指出,这种非线性与器件内部结构、表面接触层情况、入射光密度、外加负偏压大小和负载电阻有关;并指出,当pin-PD中pi结位置合适、外加负偏压1.5 V以上,负载电阻1 kW,LD前光入射光功率8 mW以下,则pin背光探测器的P-I非线性可忽略。
关键词
光
发射组件
pin背
光
探测器
P-I非线性
光
吸收层
载流子漂移
速度
光传输速度
Keywords
TOSA
pin-PD
P-I nonlinear
light absorbing layer
carriers drifting velocity
optical transmission speed
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
TOSA中pin背光探测器的P-I非线性特性研究
丁国庆
杜治国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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