不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究 被引量：22

1

作者 叶振华 胡晓宁 +3 位作者 张海燕 廖清君 李言谨 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期86-90,共5页

对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗 面积值 (R0 A) ... 对B+注入的n on p平面结和分子束外延 (MBE)技术原位铟掺杂的n+ n p台面异质结的碲镉汞 (HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析 .与n on p平面结器件相比 ,原位掺杂的n+ n p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗 面积值 (R0 A) .通过与实验数据拟合 ,从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的R0 A和在不同偏压下的暗电流 。 展开更多

关键词 光伏探测器 暗电流 碲镉汞材料 异质结 分子束外延技术 铟掺杂 红外探测器

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短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制 被引量：13

2

作者 张永刚 顾溢 +3 位作者 朱诚 郝国强 李爱珍 刘天东 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期6-9,共4页

采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征... 采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级. 展开更多

关键词 光伏探测器 短波红外 INGAAS 气态源分子束外延

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Hg_(1-x)Cd_xTe长波光伏探测器的低频噪声研究 被引量：5

3

作者 孙涛 梁晋穗 +2 位作者 陈兴国 胡晓宁 李言谨 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期273-276,共4页

在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件的低频噪声和暗电流进行了测试.发现单层钝化的器件在反偏较高时具有较高的低频噪声,在对器件的暗电流拟合计算中发现,单层钝化的器件具有较大... 在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件的低频噪声和暗电流进行了测试.发现单层钝化的器件在反偏较高时具有较高的低频噪声,在对器件的暗电流拟合计算中发现,单层钝化的器件具有较大的表面隧道电流,而这正是单层钝化器件具有较高低频噪声的原因.并通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术RSM(reciprocalspacemapping)研究了两种钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高的低频噪声和表面隧道电流的原因. 展开更多

关键词 HGCDTE 光伏探测器 钝化 倒易点阵 暗电流

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纳秒激光辐照下HgCdTe光伏探测器的瞬态响应特性退化 被引量：4

4

作者 徐作冬 张检民 +1 位作者 林新伟 邵碧波 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第1期134-138,共5页

为研究光伏探测器瞬态响应特性在短脉冲激光作用下的变化规律,以一种室温下零偏压工作的HgCdTe光电二极管为实验对象,测量了该器件对脉冲宽度约16 ns的不同强度响应波段内激光的响应信号波形。在探测器的对数线性响应区内,随着入射激光... 为研究光伏探测器瞬态响应特性在短脉冲激光作用下的变化规律,以一种室温下零偏压工作的HgCdTe光电二极管为实验对象,测量了该器件对脉冲宽度约16 ns的不同强度响应波段内激光的响应信号波形。在探测器的对数线性响应区内,随着入射激光能量密度从约7.2 nJ/cm^2增大到75μJ/cm^2,响应波形的宽度逐渐增大,半高宽约由55 ns增大到235 ns,底宽约由170 ns增大到380 ns。脉冲响应波形的展宽意味着器件的瞬态响应特性发生了退化。通过分析强注入条件下光电二极管准中性区光生载流子扩散过程,以及结电场与结电容变化对过剩载流子输运过程的影响,对上述光伏探测器瞬态响应特性退化的特征进行了机理解释。 展开更多

关键词 激光辐照效应 光伏探测器 瞬态响应 脉冲信号展宽 HGCDTE

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不同钝化层结构的长波碲镉汞光伏探测器的γ辐照效应 被引量：2

5

作者 乔辉 邓屹 +4 位作者 胡伟达 胡晓宁 张勤耀 李向阳 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期6-9,68,共5页

对采用单层ZnS和双层CdTe/ZnS两种钝化层结构的长波碲镉汞光伏器件进行了实时γ辐照效应研究.通过辐照过程中实时测试器件的电流-电压特性,发现随着辐照剂量的增加,两种器件表现出不同的辐照效应.结合光伏器件的电流机制分析,对器件的电... 对采用单层ZnS和双层CdTe/ZnS两种钝化层结构的长波碲镉汞光伏器件进行了实时γ辐照效应研究.通过辐照过程中实时测试器件的电流-电压特性,发现随着辐照剂量的增加,两种器件表现出不同的辐照效应.结合光伏器件的电流机制分析,对器件的电阻-电压曲线进行数值拟合,发现器件的主要电流机制在偏压较大时为间接隧道电流,在偏压较小及零偏压附近时为产生-复合电流.对辐照前后器件的电阻-电压曲线进行对比分析,认为CdTe/ZnS双层钝化结构有助于降低辐照位移效应的影响,使得器件间接隧道电流随辐照剂量无明显的增加;同时发现辐照电离效应的影响与器件材料的初始性能参数密切相关,拟合得到ZnS单层钝化结构的器件具有较高的少子产生-复合寿命,受电离效应的影响较大,导致其产生-复合电流随着辐照剂量增加持续增大. 展开更多

关键词 辐照效应 电流机制 钝化 光伏探测器 碲镉汞

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Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的钝化研究 被引量：1

6

作者 孙涛 李言谨 +3 位作者 王庆学 陈兴国 胡晓宁 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期469-472,共4页

用倒易二维点阵对HgCdTe光伏探测器钝化及其热处理行为进行了研究,发现测射沉积的钝化膜会引起HgCdTe的晶面弯曲,严重的会出现晶面扭曲和mosaic结构,而钝化后的热处理能改善MCT晶体的完整性.在不同的钝化介质层钝化MCT的研究中发现,ZnS... 用倒易二维点阵对HgCdTe光伏探测器钝化及其热处理行为进行了研究,发现测射沉积的钝化膜会引起HgCdTe的晶面弯曲,严重的会出现晶面扭曲和mosaic结构,而钝化后的热处理能改善MCT晶体的完整性.在不同的钝化介质层钝化MCT的研究中发现,ZnS钝化层在高温下并不稳定,而CdTe钝化层却能保持较高的耐温性能. 展开更多

关键词 光伏探测器 钝化层 介质层 MCT 晶面 二维 点阵 E光 晶体 发现

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中波碲镉汞光伏探测器的实时gamma辐照效应（英文） 被引量：1

7

作者 乔辉 李淘 +1 位作者 龚海梅 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期129-132,共4页

对中波碲镉汞光伏探测器进行了实时gamma辐照效应研究.通过在辐照过程中对器件的电流—电压特性曲线进行测试,得到了器件电学性能随着gamma辐照剂量的变化.研究发现器件在辐照过程中表现出两种典型的辐照效应:电离效应和位移效应.电离... 对中波碲镉汞光伏探测器进行了实时gamma辐照效应研究.通过在辐照过程中对器件的电流—电压特性曲线进行测试,得到了器件电学性能随着gamma辐照剂量的变化.研究发现器件在辐照过程中表现出两种典型的辐照效应:电离效应和位移效应.电离效应可以通过辐照过程中类似光电流的产生来表现出来,而位移效应则通过辐照过程中器件串联电阻的增加来体现.两种效应都表现为总剂量效应.分析认为,由于位移效应引入的辐照损伤随着辐照剂量的增加越来越多,辐照电离效应产生的自由载流子产额随之逐渐降低,说明随着辐照剂量增加,电离效应逐渐降低,而位移效应则逐渐增强,导致器件性能衰退. 展开更多

关键词 gamma辐照 实时辐照效应 光伏探测器 碲镉汞

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HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制 被引量：1

8

作者 李欣 王淑芬 +1 位作者 毛京湘 赵晋云 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期189-192,共4页

P-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔P-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温,I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在... P-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔P-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温,I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在不同温度及不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.希望利用分析计算结果了解工艺中存在的问题,对改进工艺及提高器件性能提供理论依据. 展开更多

关键词 暗电流 碲镉汞 光伏探测器 实验分析 模拟计算

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1 MeV电子辐照对短波Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的影响 被引量：5

9

作者 黄杨程 乔辉 +2 位作者 贾嘉 李向阳 龚海梅 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期25-28,共4页

研究了1MeV电子辐照对短波Hg1-xCdxTe光伏探测器的影响。通过测试电子辐照前后光伏 探测器的响应光谱、信号、噪声、暗电流等性能参数,分析了电子辐照对Hg1-xCdxTe光伏器件的影响机制。实 验结果发现:电子辐照后器件响应光谱在... 研究了1MeV电子辐照对短波Hg1-xCdxTe光伏探测器的影响。通过测试电子辐照前后光伏 探测器的响应光谱、信号、噪声、暗电流等性能参数,分析了电子辐照对Hg1-xCdxTe光伏器件的影响机制。实 验结果发现:电子辐照后器件响应光谱在短波处有变窄的趋势,但响应峰值波长和截止波长基本无变化;随着 辐照剂量的增加,通过p n结的暗电流有所增加,光伏器件的探测率有减小的趋势。 展开更多

关键词 碲镉汞 光伏探测器 电子辐照 辐照效应

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HgCdTe光伏探测器反偏暗电流机制分析 被引量：1

10

作者 田亚芳 余连杰 史衍丽 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第11期630-633,共4页

HgCdTe光伏探测器在第二代和第三代红外探测器中处于主流地位。如何降低探测器的暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度,其分析计算方法有多种。运用Synopsys半导体器件模拟软件对HgCdTe pn结各种机制下的反偏暗电流和动态微分电阻进行... HgCdTe光伏探测器在第二代和第三代红外探测器中处于主流地位。如何降低探测器的暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度,其分析计算方法有多种。运用Synopsys半导体器件模拟软件对HgCdTe pn结各种机制下的反偏暗电流和动态微分电阻进行了模拟计算。计算结果和相关文献报道的结果以及试验测试结果都吻合很好。 展开更多

关键词 HGCDTE光伏探测器 暗电流 器件模拟 Synopsys软件

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垂直p-n结的碲镉汞光伏探测器暗电流特性分析 被引量：5

11

作者 史衍丽 《红外技术》 CSCD 北大核心 2006年第8期474-477,共4页

如何提高碲镉汞焦平面探测器的制备工艺,降低暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度。本文对所研制的垂直结碲镉汞光伏探测器在工作条件下的暗电流大小和构成机制进行了模拟分析,理论计算结果和实验结果吻合很好。分析结果进一步反馈了... 如何提高碲镉汞焦平面探测器的制备工艺,降低暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度。本文对所研制的垂直结碲镉汞光伏探测器在工作条件下的暗电流大小和构成机制进行了模拟分析,理论计算结果和实验结果吻合很好。分析结果进一步反馈了工艺中存在的问题,这对改进工艺、提高器件性能有重要的理论指导作用。 展开更多

关键词 碲镉汞 垂直结 光伏探测器 暗电流 模拟计算 实验分析

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n^+-p-H gCdTe光伏探测器的化学硫化 被引量：1

12

作者 赵晓燕 彭震宇 鲁正雄 《航空兵器》 2006年第1期35-37,共3页

首次采用Na2S.9H2O在n+-p-HgCdTe表面进行化学硫化,然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明,化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度,避免了相应漏电... 首次采用Na2S.9H2O在n+-p-HgCdTe表面进行化学硫化,然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。I-V特性曲线显示,经过化学硫化的n+-p-HgCdTe器件的漏电流有所下降。分析表明,化学硫化由于抑制了表面氧化而降低了表面态密度,避免了相应漏电流的形成。 展开更多

关键词 n^+-p-HgCdTe 光伏探测器 化学硫化 Ⅰ-Ⅴ特性

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γ辐射对碲镉汞光伏探测器的暂态损伤与永久损伤

13

作者 乔辉 廖毅 +4 位作者 邓屹 张勤耀 胡晓宁 李向阳 龚海梅 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1163-1165,共3页

利用60Coγ源对碲镉汞光伏探测器进行了辐射损伤研究,通过电流-电压测试方法对器件的辐射效应进行了表征。利用数值微分方法得到器件较大反向偏压下的暗电流与缺陷中心密度的关系更为明显。通过研究辐射停止后器件的暗电流随着时间延长... 利用60Coγ源对碲镉汞光伏探测器进行了辐射损伤研究,通过电流-电压测试方法对器件的辐射效应进行了表征。利用数值微分方法得到器件较大反向偏压下的暗电流与缺陷中心密度的关系更为明显。通过研究辐射停止后器件的暗电流随着时间延长的变化,认为碲镉汞光伏探测器的γ辐射损伤存在暂态损伤和永久损伤。将这一现象进行实际应用,可以延长工作于辐射环境中的红外探测器的使用寿命。 展开更多

关键词 Γ辐射 辐射损伤 光伏探测器 碲镉汞

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一种新颖的HgCdTe光伏探测器R_0和C_d测量方法

14

作者 余连杰 史衍丽 +2 位作者 康蓉 彭曼泽 庄继胜 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第1期9-12,共4页

把碲镉汞(HgCdTe)光伏探测器的零偏压结电阻R0和结电容Cd的交流测试法与124A型锁相放大器的特点结合起来,提出了一种新颖的R0和Cd测量方法。该方法简单易行,而且能准确测量出高阻(R0≥1 k?)HgCdTe光伏探测器的零偏压结电阻R0、结电容Cd... 把碲镉汞(HgCdTe)光伏探测器的零偏压结电阻R0和结电容Cd的交流测试法与124A型锁相放大器的特点结合起来,提出了一种新颖的R0和Cd测量方法。该方法简单易行,而且能准确测量出高阻(R0≥1 k?)HgCdTe光伏探测器的零偏压结电阻R0、结电容Cd、响应时间τ和面阻抗(R0A)等参数,并采用标准探测器估算出该系统的测试误差(<5%)。这种方法还可以用来测量其他材料光伏探测器的零偏压结电阻和结电容。 展开更多

关键词 光伏探测器 124A锁相放大器 参数测量 新颖方法

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硅光伏探测器探测α粒子研究

15

作者 罗明 张燕 +1 位作者 刘翠红 闫学昆 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1030-1031,共2页

采用蒙特卡罗方法计算了硅光伏探测器探测α粒子的能量分辨率等参数,通过实验测得了其α谱和探测效率。实验表明,硅光伏探测器对α粒子具有较高的探测效率和能量分辨率,受β、γ射线影响小,非常适合用作α粒子探测器。

关键词 硅光伏探测器 Α粒子 能量分辨率 探测效率

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HgCdTe光伏探测器外差探测极限性能的测量

16

作者 孙东松 刘兆岩 戴永江 《红外技术》 CSCD 1993年第4期1-3,共3页

本文详细地分析了外差探测的理论极限和实现的基本过程,并从实验上观察和测量了HgCdTe光伏探测器的极限探测。表明器件在本振功率为0.45mW,偏压为0.7V时,最小可探测功率达到1.7×10^(-19)W·Hz。

关键词 外差探测 激光雷达 光伏探测器

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空间用1.6μmHg_(1-x)Cd_xTe室温光伏探测器 被引量：4

17

作者 王勤 刘激鸣 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期81-86,共6页

报道了采用改进的区熔工艺生长的三元系金属化合物半导体ＨｇＣｄＴｅ材料研制的短波光伏探测器．其工作温度为室温（３００Ｋ），在响应波段１．５８～１．６４μｍ内探测率优于３．０×１０１１ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１，量子效率达... 报道了采用改进的区熔工艺生长的三元系金属化合物半导体ＨｇＣｄＴｅ材料研制的短波光伏探测器．其工作温度为室温（３００Ｋ），在响应波段１．５８～１．６４μｍ内探测率优于３．０×１０１１ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１，量子效率达７０％．暗电流主要受制于扩散电流与产生复合电流，器件经环境模拟试验，定标与联试，完全符合空间工程应用的要求． 展开更多

关键词 光伏探测器 汞镉碲 室温 红外探测器

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PbTe中红外光伏探测器 被引量：2

18

作者 魏晓东 蔡春峰 +8 位作者 张兵坡 胡炼 吴惠桢 张永刚 冯靖文 林加木 林春 方维政 戴宁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期293-296,共4页

利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量... 利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量的探测率为2×1010 cm.Hz1/2W-1,由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010 cm.Hz1/2W-1.随着温度的升高,截止波长发生蓝移,探测率降低.分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素. 展开更多

关键词 PBTE 光伏探测器 中红外

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N-On-P Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te光伏探测器参量的选择

19

作者 胡燮荣 刘兆鹏 +3 位作者 陈立信 方家熊 陈泉森 沈杰 《红外研究》 CSCD 北大核心 1989年第1期41-48,共8页

考虑了Burstein-Moss效应等因素,得到了光伏探测器的性能公式。

关键词 光伏探测器 HGCDTE

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低能离子束成结制作10．6μm碲镉汞光伏探测器 被引量：1

20

作者 翟文生 《红外与激光技术》 CSCD 1995年第1期39-42,共4页

制作光伏型碲镉汞（ＭＣＴ）探测器ＰＮ结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现，低能离子束成结更适合制作长波光伏型ＭＣＴ探测器。本文报导了低能离子束成结的１０．６μｍ光伏型碲镉汞探测器的性能，衬底为载流子浓度在０．８... 制作光伏型碲镉汞（ＭＣＴ）探测器ＰＮ结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现，低能离子束成结更适合制作长波光伏型ＭＣＴ探测器。本文报导了低能离子束成结的１０．６μｍ光伏型碲镉汞探测器的性能，衬底为载流子浓度在０．８～６×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）范围的Ｐ型ＭＣＴ材料，离子束能量范围为１００～６００ｅＶ，通过离子束处理，可在Ｐ型ＭＣＴ表面形成一薄层较低载流子浓度的Ｎ型区，而制成ＮＰ结，利用该技术成结制作的大面积、四象限１０．６μｍＭＣＴ探测器，在－２０ｍＶ的偏压，８０Ｋ的温度下，器件的峰值响应率和峰值分别为３２４．５Ｖ／Ｗ和１．１３×１０￣（１０）ｃｍＨｚ￣（１／２）／Ｗ，每元光敏面积为６．８８×１０￣（－３）ｃｍ￣２。 展开更多

关键词 碲 镉 汞 离子束 光伏探测器

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