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像增强型图像传感器在总剂量辐照下的光响应度
被引量：
5
1
作者
闫劲云
江洁
张广军
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期3153-3159,共7页
采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验,以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预定剂量点时,采用离线测试的方法定量测试了器件的光响应度变化情况。实验结果表明,随着辐照总剂量的增加,...
采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验,以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预定剂量点时,采用离线测试的方法定量测试了器件的光响应度变化情况。实验结果表明,随着辐照总剂量的增加,器件的光响应度迅速下降;当总剂量达60krad(Si)时,相对光响应度降低至辐照前的6%。根据像增强型图像传感器的构成,分析了光响应度下降的原因,并推导了光响应度随辐照剂量变化的经验公式。实验显示,提高像增强型图像传感器的增益电压可补偿光响应度的衰减,总剂量达25krad(Si)时,增益提高0.23V其光响应度即可恢复至未接受辐照前的100%,并保持良好的微光探测能力。研究表明,像增强型图像传感器可承受25krad(Si)的总剂量辐射。
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关键词
像增强型图像传感器
互补金属氧化物半导体(CMOS)
总剂量辐射效应
光响应度
增益补偿
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职称材料
题名
像增强型图像传感器在总剂量辐照下的光响应度
被引量：
5
1
作者
闫劲云
江洁
张广军
机构
北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院精密光机电一体化技术教育部重点实验室
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期3153-3159,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.61222304)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(No.20121102110032)
文摘
采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验,以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预定剂量点时,采用离线测试的方法定量测试了器件的光响应度变化情况。实验结果表明,随着辐照总剂量的增加,器件的光响应度迅速下降;当总剂量达60krad(Si)时,相对光响应度降低至辐照前的6%。根据像增强型图像传感器的构成,分析了光响应度下降的原因,并推导了光响应度随辐照剂量变化的经验公式。实验显示,提高像增强型图像传感器的增益电压可补偿光响应度的衰减,总剂量达25krad(Si)时,增益提高0.23V其光响应度即可恢复至未接受辐照前的100%,并保持良好的微光探测能力。研究表明,像增强型图像传感器可承受25krad(Si)的总剂量辐射。
关键词
像增强型图像传感器
互补金属氧化物半导体(CMOS)
总剂量辐射效应
光响应度
增益补偿
Keywords
image-intensified sensor
Intensified Complementary Metal Oxide Semiconductor（ICMOS）
total dose effect
photoelectric response
gain compensation
分类号
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
TN144 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
像增强型图像传感器在总剂量辐照下的光响应度
闫劲云
江洁
张广军
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
5
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