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Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用: 1; 作者陈建新袁颖 +3 位作者杜春霞张时明赵玉琴沈光地《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第2期55-60,共6页; 对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。; 关键词硅硅锗半导体工艺腐蚀停止技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

各向异性腐蚀技术研究与分析被引量：8: 2; 作者沈桂芬吴春瑜 +4 位作者姚朋军杨学昌刘兴辉吕品高嵩《传感技术学报》 CAS CSCD 2001年第2期140-146,共7页; 本文详细分析了用各向异性腐蚀技术形成的压阻式压力传感器硅杯的几种腐蚀方法 ,根据实验提出了它们的优缺点 ,介绍了几种各向异性蚀的自致停止法和腐蚀中削角的补偿方法 ,对制造微量程、高灵敏度的压力传感器有一定的指导意义 .; 关键词各向异性腐蚀自致停止技术压力传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基本技术: 3; 作者王石安《沈阳体育学院学报》 2003年第B12期55-61,共7页; 后刃横滑是体会利用后刃从山上滑下时用刃的感觉。要求：保持滑行姿势，控制用刃的大小和滑下的速度，通过加大后刃的立刃和压力停止。注意：在下滑的过程中防止前刃刻雪面的摔倒。; 关键词单板滑雪技术要领后刃横滑前刃横滑直滑降停止技术转弯技术图解说明; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究(英文) 被引量：2: 4; 作者李蕾温殿忠 +1 位作者李刚赵晓锋《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期181-185,共5页; 采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶... 展开更多; 关键词 α-Si:H TFT 纳米非晶硅薄膜 SOI材料腐蚀自停止技术负阻特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用: 1; 作者陈建新袁颖杜春霞张时明赵玉琴沈光地; 机构北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室; 出处《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第2期55-60,共6页; 基金国家科委"863计划"资助项目; 文摘对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。; 关键词硅硅锗半导体工艺腐蚀停止技术; Keywords Si SiGe etching stop semiconductor technology; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名各向异性腐蚀技术研究与分析被引量：8: 2; 作者沈桂芬吴春瑜姚朋军杨学昌刘兴辉吕品高嵩; 机构辽宁大学物理系; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 2001年第2期140-146,共7页; 文摘本文详细分析了用各向异性腐蚀技术形成的压阻式压力传感器硅杯的几种腐蚀方法 ,根据实验提出了它们的优缺点 ,介绍了几种各向异性蚀的自致停止法和腐蚀中削角的补偿方法 ,对制造微量程、高灵敏度的压力传感器有一定的指导意义 .; 关键词各向异性腐蚀自致停止技术压力传感器; Keywords anisotropic etching \ silicon cup \ autostop technology; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基本技术: 3; 作者王石安; 出处《沈阳体育学院学报》 2003年第B12期55-61,共7页; 文摘后刃横滑是体会利用后刃从山上滑下时用刃的感觉。要求：保持滑行姿势，控制用刃的大小和滑下的速度，通过加大后刃的立刃和压力停止。注意：在下滑的过程中防止前刃刻雪面的摔倒。; 关键词单板滑雪技术要领后刃横滑前刃横滑直滑降停止技术转弯技术图解说明; 分类号 G863.1 [文化科学—体育训练]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究(英文) 被引量：2: 4; 作者李蕾温殿忠李刚赵晓锋; 机构黑龙江大学电子工程学院重点实验室; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期181-185,共5页; 基金 supported by National Natural Science Foundation of China(60676044,61006057) Electronics Engineering of College of Heilongjiang Province(DZZD20100013); 文摘采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶液EPW、射频溅射技术和等离子体刻蚀等工艺实现α-Si:H TFT的制作。在给出一般α-Si:H TFT特性分析和实验结果的基础上,又采用建模方式对α-Si:H TFT出现的负阻特性进行研究。提取纳米氢化非晶硅薄膜与栅氧化层界面处能带图的结果表明,在靠近漏端0.5μm范围内,漏压由6V增加到30V时,随漏压的增加,价带能量逐渐下降。研究结果表明,距离漏端0.5μm范围内的压降导致负阻特性产生。; 关键词 α-Si:H TFT 纳米非晶硅薄膜 SOI材料腐蚀自停止技术负阻特性; Keywords α-Si:H TFT nanoα-Si:H film silicon-on-insulator materials etch-stop technique negative resistance characteristics; 分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用	陈建新袁颖杜春霞张时明赵玉琴沈光地	《北京工业大学学报》 CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	各向异性腐蚀技术研究与分析	沈桂芬吴春瑜姚朋军杨学昌刘兴辉吕品高嵩	《传感技术学报》 CAS CSCD	2001	8	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基本技术	王石安	《沈阳体育学院学报》	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究(英文)	李蕾温殿忠李刚赵晓锋	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料