不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应 被引量：3

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作者 陈睿 陆妩 +6 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 费武雄 李茂顺 兰博 崔江维 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1252-1256,共5页

对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行... 对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。 展开更多

关键词 模数转换器 60Coγ辐照 室温退火 偏置条件

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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响

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作者 王利斌 王信 +3 位作者 吴雪 李小龙 刘默寒 陆妩 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2020年第5期60-66,共7页

本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数... 本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。 展开更多

关键词 SIGE BICMOS 偏置条件 电离总剂量 氧化物陷阱电荷 界面态

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不同偏置下10位双极模数转换器高低剂量率的辐射效应

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作者 胥佳灵 陆妩 +5 位作者 吴雪 何承发 胡天乐 卢健 张乐情 于新 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期578-582,622,共6页

研究了10位双极模数转换器(ADC)在60Coγ射线不同剂量率、不同偏置条件辐照下的电离辐射效应及退火特性。研究结果发现,此类模数混合信号电路在不同偏置和不同剂量率辐照下的电离辐照响应有较大差异。同一电参数既表现出低剂量率损伤增... 研究了10位双极模数转换器(ADC)在60Coγ射线不同剂量率、不同偏置条件辐照下的电离辐射效应及退火特性。研究结果发现,此类模数混合信号电路在不同偏置和不同剂量率辐照下的电离辐照响应有较大差异。同一电参数既表现出低剂量率损伤增强效应(ELDRS)又表现出时间相关效应(TDE)。研究结果进一步表明,低剂量率辐照0 V偏置是最劣偏置;与之相反,高剂量率辐照5 V偏置是最劣偏置,而加电阻偏置对辐照损伤有一定的抑制作用。最后,结合空间电荷模型和边缘电场效应对其辐照损伤差异及退火机理进行了初步探讨。 展开更多

关键词 双极模数转换器 60Coγ辐照 偏置条件 ELDRS 室温退火

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不同偏置下CCD器件γ射线及质子辐射研究 被引量：1

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作者 杨智康 文林 +3 位作者 周东 李豫东 冯婕 郭旗 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第9期915-921,共7页

电荷耦合器件(CCD)是用于空间光电系统可见光成像的图像传感器,在空间应用环境下受辐射效应作用导致CCD性能退化甚至失效。对于CCD空间辐射效应的地面模拟试验研究,辐照试验中CCD采用合适的偏置条件是分析其空间辐射损伤的必要措施。由... 电荷耦合器件(CCD)是用于空间光电系统可见光成像的图像传感器,在空间应用环境下受辐射效应作用导致CCD性能退化甚至失效。对于CCD空间辐射效应的地面模拟试验研究,辐照试验中CCD采用合适的偏置条件是分析其空间辐射损伤的必要措施。由于CCD对质子辐照导致的电离总剂量效应和位移损伤效应均非常敏感,因此针对CCD空间应用面临的电离总剂量效应和位移损伤效应威胁,开展不同辐照偏置下CCD的辐射效应及损伤机理研究。针对一款国产埋沟CCD器件,开展不同偏置条件下的γ射线和质子辐照试验,获得了CCD的暗电流、光谱响应等辐射敏感参数的电离总剂量效应,位移损伤效应退化规律以及辐照偏置对CCD辐射效应的影响机制。研究表明,γ射线辐照下CCD的偏置产生重要影响,质子辐照下没有明显的偏置效应。根据CCD结构和辐照后的退火试验结果,对CCD的辐射效应损伤机理进行分析。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 电离总剂量效应 位移损伤效应 偏置条件

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偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响 被引量：1

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作者 何玉娟 罗宏伟 恩云飞 《电子器件》 CAS 2011年第5期511-513,共3页

通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60%～80%,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程... 通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60%～80%,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程中更容易产生非发光陷阱所致。 展开更多

关键词 可靠性 辐照 总剂量 光耦合器 偏置条件

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双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性 被引量：2

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作者 胡天乐 陆妩 +4 位作者 何承发 席善斌 周东 胥佳灵 吴雪 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期657-663,共7页

介绍了LM837双极运算放大器分别在不同能量(1.8、1 MeV)不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后3种退火温度(室温,100、125℃)下随时间的变化,并讨论了引起电... 介绍了LM837双极运算放大器分别在不同能量(1.8、1 MeV)不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后3种退火温度(室温,100、125℃)下随时间的变化,并讨论了引起电参数失效的机理。结果表明:与1 MeV辐照相比,1.8MeV电子辐照引起的LM837辐射损伤更明显;辐照过程中正偏条件下的偏置电流变化较零偏时的稍大;LM837辐照后的退火行为与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关。 展开更多

关键词 双极运算放大器 电子辐照 偏置条件 退火

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10位双极数模转换器的电离辐射效应 被引量：2

7

作者 王义元 陆妩 +4 位作者 任迪远 郑玉展 高博 李鹏伟 于跃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期551-555,共5页

研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器(D/A转换器)在不同偏置和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明:D/A转换器对偏置条件和辐照剂量率都很敏感。大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;而在低剂量率... 研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器(D/A转换器)在不同偏置和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明:D/A转换器对偏置条件和辐照剂量率都很敏感。大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;而在低剂量率辐照情况下,各参数变化显著,超出器件允许范围,器件功能失效。因此,D/A转换器表现出明显的低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)。零偏时,D/A转换器功能参数损伤变化更加严重。最后,结合边缘电场效应和空间电荷模型对这种不同偏置和剂量率条件下的损伤机理进行了初步的探讨。 展开更多

关键词 双极数模转换器 ^60Co辐照 低剂量率辐射损伤增强效应 偏置条件

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MOSFET输出阻抗对混频器线性度影响分析 被引量：2

8

作者 唐守龙 罗岚 陆生礼 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期169-173,共5页

深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响 ,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型 ,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件 .基于 0 .2 5 μmCMOS工艺的Gilbert混频器验证结果表明 ,预测得到的线性度最优理论偏置... 深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响 ,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型 ,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件 .基于 0 .2 5 μmCMOS工艺的Gilbert混频器验证结果表明 ,预测得到的线性度最优理论偏置值与验证结果之间的误差小于 10 % . 展开更多

关键词 MOSFET 输出阻抗 混频器 线性度 CMOS工艺 非线性模型 偏置条件 最优理论 验证

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考虑弛豫效应的SiC MOSFET阈值电压测量方法研究 被引量：2

9

作者 王臻卓 任婷婷 《电子器件》 CAS 北大核心 2023年第1期74-78,共5页

碳化硅(SiC)MOSFET栅极氧化层中的陷阱造就了其独特的阈值电压弛豫效应的特性,使得SiC MOSFET的阈值电压定义和测量成为一个棘手的问题。首先基于弛豫效应的饱和现象,提出了“预偏置+测量”组合的测量方法,一共需要测量两次阈值电压,以... 碳化硅(SiC)MOSFET栅极氧化层中的陷阱造就了其独特的阈值电压弛豫效应的特性,使得SiC MOSFET的阈值电压定义和测量成为一个棘手的问题。首先基于弛豫效应的饱和现象,提出了“预偏置+测量”组合的测量方法,一共需要测量两次阈值电压,以确定阈值电压漂移的上下限,并以其平均值定义为阈值电压。然后设计实验测量电路,对某型号SiC MOSFET器件在不同预偏置条件下进行实验测量,分析预偏置电压和脉冲持续时间对测量结果的影响,结果表明合理选择预偏置阶段的实验条件可以确保弛豫效应达到饱和,并可得到重复性的阈值电压测量结果。 展开更多

关键词 SiC MOSFET 阈值电压测量 弛豫效应 预偏置条件

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电离总剂量辐照试验流程阐述 被引量：3

10

作者 王文双 费武雄 《电子产品可靠性与环境试验》 2012年第B05期163-166,共4页

空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素,是当前航天电子技术研究的重点。针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标准,阐述了MOS的辐照试验流程,并对其中包含的机理进行了详细的分析;同时,对试验方法中有关偏置条件、辐... 空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素,是当前航天电子技术研究的重点。针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标准,阐述了MOS的辐照试验流程,并对其中包含的机理进行了详细的分析;同时,对试验方法中有关偏置条件、辐照后测试时间的规定等内容进行了详细的分析。 展开更多

关键词 电离总剂量 金属-氧化物-半导体器件 辐照流程 偏置条件

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三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法

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作者 林洁馨 杨发顺 +2 位作者 马奎 唐昭焕 傅兴华 《现代电子技术》 北大核心 2016年第24期137-140,共4页

二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件... 二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件,以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法,并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象,在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。 展开更多

关键词 漏极持续电流 三维集成 自加热效应 导通偏置条件

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一种适用于改进P/E循环性能NAND闪存设计方法

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作者 何勇翔 朱家骅 《中国集成电路》 2021年第8期42-47,共6页

随着NAND闪存工艺尺寸的缩小,为了确保闪存阈值电压分布在相对狭窄的区间,通常使用ISPP/ISPE(步进式编写操作/步进式擦除操作)对闪存操作。但是随着P/E循环的增加,相应的操作时间也随之改变,会极大的影响闪存的性能。因此本设计对传统IS... 随着NAND闪存工艺尺寸的缩小,为了确保闪存阈值电压分布在相对狭窄的区间,通常使用ISPP/ISPE(步进式编写操作/步进式擦除操作)对闪存操作。但是随着P/E循环的增加,相应的操作时间也随之改变,会极大的影响闪存的性能。因此本设计对传统ISPP/ISPE进行改良,通过使用额外的寄存器,针对P/E循环次数的不同阶段,调整ISPP/ISPE操作参数,使系统在不同的P/E循环次数下,仍能维持稳定的擦写性能。 展开更多

关键词 步进式编写操作/步进式擦除操作 NAND闪存 寄存器 偏置条件 擦写循环

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