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AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析
被引量：
1
1
作者
陈欢欢
张贺秋
+9 位作者
邢鹤
夏晓川
张振中
蔡涛
叶宇帆
郭文平
席庆南
黄慧诗
梁晓华
梁红伟
《大连理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期90-95,共6页
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极...
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极泄漏电流机制.随着HTGB时间的增加,栅极泄漏电流持续增大,受到应力器件在室温下静置后栅极泄漏电流密度恢复约20%.结果表明,在正向偏置范围内,栅极泄漏电流是由热电子发射(TE)引起的.在反向偏置范围内,普尔-弗伦克尔(PF)发射在小电压范围内占主导地位.阈值电压附近的范围由势垒层中的陷阱辅助隧穿(TAT)引起;在大电压范围内,福勒-诺德海姆(FN)隧穿导致栅极发生泄漏.
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关键词
AlGaN/GaN
HEMT
高温栅
偏置应力
栅极泄漏电流机制
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职称材料
偏置应力对InAlN/GaN HEMT直流特性的影响
2
作者
王浩
谢生
+2 位作者
冯志红
刘波
毛陆虹
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期1051-1054,1060,共5页
采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的InAlN/GaN HEMT器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特性明显退化,退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明,关态应力引起...
采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的InAlN/GaN HEMT器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特性明显退化,退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明,关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的;而开态应力引起的退化是沟道热电子被势垒层陷阱及表面态俘获产生的。因此,只有消除表面态和势垒层陷阱或者隔绝表面态形成的虚栅才能有效抑制电流崩塌。偏置应力引起的性能退化是可逆过程,在无外界激励时,经过10d左右的静置,器件基本恢复初始性能。
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关键词
高电子迁移率晶体管
电流崩塌
偏置应力
铟铝氮
氮化镓
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职称材料
题名
AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析
被引量：
1
1
作者
陈欢欢
张贺秋
邢鹤
夏晓川
张振中
蔡涛
叶宇帆
郭文平
席庆南
黄慧诗
梁晓华
梁红伟
机构
大连理工大学集成电路学院
元旭半导体科技股份有限公司
江苏新广联科技股份有限公司
中国科学院高能物理研究所
出处
《大连理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期90-95,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(11975257,12075045,11875097,62074146)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45)。
文摘
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极泄漏电流机制.随着HTGB时间的增加,栅极泄漏电流持续增大,受到应力器件在室温下静置后栅极泄漏电流密度恢复约20%.结果表明,在正向偏置范围内,栅极泄漏电流是由热电子发射(TE)引起的.在反向偏置范围内,普尔-弗伦克尔(PF)发射在小电压范围内占主导地位.阈值电压附近的范围由势垒层中的陷阱辅助隧穿(TAT)引起;在大电压范围内,福勒-诺德海姆(FN)隧穿导致栅极发生泄漏.
关键词
AlGaN/GaN
HEMT
高温栅
偏置应力
栅极泄漏电流机制
Keywords
AlGaN/GaN HEMT
high temperature gate bias stress
mechanism of gate leakage current
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
偏置应力对InAlN/GaN HEMT直流特性的影响
2
作者
王浩
谢生
冯志红
刘波
毛陆虹
机构
天津大学电子信息工程学院
河北半导体研究所专用集成电路重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期1051-1054,1060,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60876009)
天津市基础研究重点资助项目(09JCZDJC16600)
文摘
采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的InAlN/GaN HEMT器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特性明显退化,退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明,关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的;而开态应力引起的退化是沟道热电子被势垒层陷阱及表面态俘获产生的。因此,只有消除表面态和势垒层陷阱或者隔绝表面态形成的虚栅才能有效抑制电流崩塌。偏置应力引起的性能退化是可逆过程,在无外界激励时,经过10d左右的静置,器件基本恢复初始性能。
关键词
高电子迁移率晶体管
电流崩塌
偏置应力
铟铝氮
氮化镓
Keywords
high electron mobility transistor
current collapse
bias stress
InAlN
GaN
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析
陈欢欢
张贺秋
邢鹤
夏晓川
张振中
蔡涛
叶宇帆
郭文平
席庆南
黄慧诗
梁晓华
梁红伟
《大连理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
偏置应力对InAlN/GaN HEMT直流特性的影响
王浩
谢生
冯志红
刘波
毛陆虹
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
已选择
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