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UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象被引量：2: 1; 作者吴贵斌崔继锋 +1 位作者黄靖云叶志镇《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期161-163,共3页; 本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的... 展开更多; 关键词超高真空化学气相沉积法锗硅合金偏析现象二次离子质谱仪 X射线光电子谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

Al-Mg合金点焊裂纹的镁偏析现象研究被引量：1: 2; 作者王晓伟张洪延《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期306-306,共1页; 关键词 AL-MG合金裂纹萌生偏析现象点焊抗腐蚀性能汽车工业热影响区焊接过程镁; 在线阅读下载PDF 职称材料

NiAl合金(B_2结构)的偏析现象: 3; 作者刘静聂惠权 +2 位作者周瑛玮程维李国珍《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期210-212,共3页; 采用ＬＭＴＯＣＰＡ方法，计算了ＮｉＡｌ合金（Ｂ２结构）在成分无序情况下的热力学性质，并讨论了ＮｉＡｌ合金的偏析现象·理论结果表明，当Ｎｉ的成分小于３５％（原子分数）时，则ＮｉＡｌ合金表面出现Ａｌ的偏析现象，当Ｎ... 展开更多; 关键词偏析现象 LMTO-CAP 镍铝合金力学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料