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用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布
被引量：
2
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作者
周振宇
陈涌海
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期580-583,共4页
利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布。测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差。实验测量得到的GaAs晶片和自支撑...
利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布。测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差。实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN衬底的[110]和[110]的应变差最大可以达到10-5数量级。蓝宝石衬底的可以达到10-6数量级。因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测。
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关键词
偏振差分透射谱
各向异性
内应力
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职称材料
题名
用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布
被引量：
2
1
作者
周振宇
陈涌海
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期580-583,共4页
基金
国家自然科学基金重点资助项目(60625402)
国家973计划项目(2006CB604908)
文摘
利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布。测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差。实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN衬底的[110]和[110]的应变差最大可以达到10-5数量级。蓝宝石衬底的可以达到10-6数量级。因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测。
关键词
偏振差分透射谱
各向异性
内应力
Keywords
TDS
anisotropy
inner-strain
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布
周振宇
陈涌海
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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