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辅助方法对热丝CVD金刚石生长速率的影响被引量：3: 1; 作者孙心瑗周灵平 +3 位作者李绍禄李德意张刚陈本敬《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期393-397,共5页; 在热丝化学气相沉积金刚石系统中 ,通过双灯丝间的热阴极放电产生等离子体 ,对衬底施加正负偏压形成电子促进 ,比较分析了它们及其组合的各种辅助方法对金刚石生长速率的影响。结果表明 ,在以丙酮为碳源、灯丝总功率不变的情况下 ,等离... 展开更多; 关键词辅助方法热丝金刚石膜金刚石多晶球生长速率等离子体增强偏压热丝化学气相沉积成核密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文): 2; 作者李世鸿叶忠信 +2 位作者张永平汪岛军黄柏仁《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期223-229,共7页; 以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板... 展开更多; 关键词多晶金刚石薄膜微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD) 两段成长偏压增强成核(ben); 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米光学金刚石薄膜的分析与改进(英文) 被引量：1: 3; 作者胡广王林军 +4 位作者祝雪丰刘建民黄健徐金勇夏义本《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期548-552,共5页; 由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜... 展开更多; 关键词纳米金刚石光学性质表面粗糙度偏压增强成核-热丝辅助化学气相沉积法; 在线阅读下载PDF 职称材料

单晶金刚石异质外延用铱复合衬底研究现状: 4; 作者屈鹏霏金鹏 +5 位作者周广迪王镇许敦洲吴巨郑红军王占国《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期857-877,共21页; 金刚石优异的物理性质使其成为下一代最有发展潜力的半导体材料之一。目前来看,基于微波等离子体化学气相沉积的异质外延可能是未来制备大尺寸单晶金刚石的最佳方法。在过去的三十年间,铱复合衬底上异质外延生长单晶金刚石取得了一定进... 展开更多; 关键词金刚石铱复合衬底半导体异质外延偏压增强成核微波等离子体化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

镀膜技术及设备: 5; 《中国光学》 EI CAS 1997年第1期62-62,共1页; O484.1 97010436非晶态有机聚合物薄膜脉冲激光沉积=Pulsedlaser deposition of non-crystal organic polymer[刊,中]/张兵临(郑州大学物理系.河南,郑州(450052)),马会中,张兰(郑州工学院.河南,郑州(450002))∥激光与光电子学进展.—199... 展开更多; 关键词有机聚合物薄膜脉冲激光沉积偏压增强成核非晶态金刚石薄膜光电子学微波等离子体离子镀郑州大学镀膜技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名辅助方法对热丝CVD金刚石生长速率的影响被引量：3: 1; 作者孙心瑗周灵平李绍禄李德意张刚陈本敬; 机构湖南大学材料科学与工程学院; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期393-397,共5页; 文摘在热丝化学气相沉积金刚石系统中 ,通过双灯丝间的热阴极放电产生等离子体 ,对衬底施加正负偏压形成电子促进 ,比较分析了它们及其组合的各种辅助方法对金刚石生长速率的影响。结果表明 ,在以丙酮为碳源、灯丝总功率不变的情况下 ,等离子体可明显增强金刚石的生长 ,其生长速率约为纯热丝法的三倍 ;而正偏压对等离子体辅助沉积金刚石不仅没有增强形核作用 ,而且抑制金刚石的生长 ;电子促进法可以显著提高金刚石的成核密度 ,但并不能提高金刚石生长速率。; 关键词辅助方法热丝金刚石膜金刚石多晶球生长速率等离子体增强偏压热丝化学气相沉积成核密度; Keywords diamond polycrystalline sphere growth rate plasma enhancing biasing hot filament chemical vapour deposition; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文): 2; 作者李世鸿叶忠信张永平汪岛军黄柏仁; 机构大叶大学电机工程学系国立云林科技大学工程科技研究所建国科技大学电子工程系国立台湾科技大学电子工程系暨光电工程研究所; 出处《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期223-229,共7页; 文摘以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜。典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段。研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长I阶段),第二阶段压力较高(成长II阶段)。结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金刚石半绝缘的性质。可以认为金刚石薄膜品质的改善完全为低压成长所致。实验发现在成长I阶段或成长II阶段施加偏压时,只会降低多晶金刚石薄膜的品质。; 关键词多晶金刚石薄膜微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD) 两段成长偏压增强成核(ben); Keywords Polycrystalline diamond Microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition （MPECVD） Two-stage growth Bias-enhanced nucleation （ben）; 分类号 TQ164 [化学工程—高温制品工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米光学金刚石薄膜的分析与改进(英文) 被引量：1: 3; 作者胡广王林军祝雪丰刘建民黄健徐金勇夏义本; 机构上海大学材料科学与工程学院; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期548-552,共5页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China (No .60577040) Shanghai Foundation of Applied Ma-terials Research and Development ( No .0404) +1 种基金 Shanghai Leading Academic Disciplines (No .T0101); 文摘由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜,采用的偏压为-30 V。通过表征制备的纳米金刚石薄膜,发现它具有光滑的表面,表面均方根粗糙度(RMS)约为10 nm,并且对自支撑纳米金刚石薄膜进行透射光谱分析得到其透射率达到了50 %。; 关键词纳米金刚石光学性质表面粗糙度偏压增强成核-热丝辅助化学气相沉积法; Keywords nano-diamond optical properties surface roughness bias enhanced nucleation hot filament chemical vapor deposition; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单晶金刚石异质外延用铱复合衬底研究现状: 4; 作者屈鹏霏金鹏周广迪王镇许敦洲吴巨郑红军王占国; 机构中国科学院半导体研究所中国科学院大学材料与光电研究中心; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期857-877,共21页; 基金国家重点研发计划(2022YFB3608602) 北京市科技计划(Z181100004418009) 国家自然科学基金(61927806)。; 文摘金刚石优异的物理性质使其成为下一代最有发展潜力的半导体材料之一。目前来看,基于微波等离子体化学气相沉积的异质外延可能是未来制备大尺寸单晶金刚石的最佳方法。在过去的三十年间,铱复合衬底上异质外延生长单晶金刚石取得了一定进展,特别是近几年实现了2英寸(1英寸=2.54 cm)以上的大尺寸自支撑单晶金刚石的生长。本文总结了金刚石异质外延用的衬底,简要介绍了异质衬底上的偏压增强成核,详细介绍了目前最成功的铱/氧化物、铱/氧化物层/硅复合衬底,最后对金刚石异质衬底和异质外延进行了总结,指出目前存在的问题并给出了一些可能的解决思路。; 关键词金刚石铱复合衬底半导体异质外延偏压增强成核微波等离子体化学气相沉积; Keywords diamond iridium-based composite substrate semiconductor heteroepitaxy bias-enhanced nucleation microwave plasma chemical vapor deposition; 分类号 O78 [理学—晶体学] TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名镀膜技术及设备: 5; 出处《中国光学》 EI CAS 1997年第1期62-62,共1页; 文摘 O484.1 97010436非晶态有机聚合物薄膜脉冲激光沉积=Pulsedlaser deposition of non-crystal organic polymer[刊,中]/张兵临(郑州大学物理系.河南,郑州(450052)),马会中,张兰(郑州工学院.河南,郑州(450002))∥激光与光电子学进展.—1996,(1).—1—; 关键词有机聚合物薄膜脉冲激光沉积偏压增强成核非晶态金刚石薄膜光电子学微波等离子体离子镀郑州大学镀膜技术; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	辅助方法对热丝CVD金刚石生长速率的影响	孙心瑗周灵平李绍禄李德意张刚陈本敬	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文)	李世鸿叶忠信张永平汪岛军黄柏仁	《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	纳米光学金刚石薄膜的分析与改进(英文)	胡广王林军祝雪丰刘建民黄健徐金勇夏义本	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	单晶金刚石异质外延用铱复合衬底研究现状	屈鹏霏金鹏周广迪王镇许敦洲吴巨郑红军王占国	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	镀膜技术及设备		《中国光学》 EI CAS	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料