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孪晶结构Pt纳米晶体塑性变形行为的原位原子尺度观察 被引量:7
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作者 孙涛 郭谊忠 +3 位作者 符立波 王立华 张泽 韩晓东 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期101-105,共5页
孪晶结构金属材料具有高的强度和韧性,其变形机制受到研究者的广泛关注。然而之前大多数研究主要针对低层错能的金属,对于高层错能的金属变形机制研究相对较少。本文以高层错能金属Pt为研究对象,利用原创的双金属片拉伸装置,在原子尺度... 孪晶结构金属材料具有高的强度和韧性,其变形机制受到研究者的广泛关注。然而之前大多数研究主要针对低层错能的金属,对于高层错能的金属变形机制研究相对较少。本文以高层错能金属Pt为研究对象,利用原创的双金属片拉伸装置,在原子尺度下原位研究了具有孪晶结构的Pt纳米晶体的塑性变形机制。实验发现在剪切应变作用下,其塑性变形主要方式是偏位错行为导致的孪晶界迁移。这些偏位错在孪晶界-表面交界处形核,并沿着平行于孪晶界方向滑移,导致孪晶界迁移。随着切应变的增加,这种偏位错行为重复发生,导致孪晶界逐层迁移,孪晶厚度逐层减小。 展开更多
关键词 孪晶界 孪晶界迁移 偏位错 塑性变形 层错能
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硅表面热氧化缺陷的产生及增长 被引量:1
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作者 彭少麒 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS 1979年第4期18-23,共6页
一、概述伴随硅的热氧化过程,在硅表面往往形成一种特征线缺陷,这些缺陷对硅器件带来不良后果,十多年来对这种缺陷的产生、增长及消除规律进行了大量的研究,成为半导体应用基础研究的一个相当集中的课题。已证明这种热氧化缺陷是沿着(1... 一、概述伴随硅的热氧化过程,在硅表面往往形成一种特征线缺陷,这些缺陷对硅器件带来不良后果,十多年来对这种缺陷的产生、增长及消除规律进行了大量的研究,成为半导体应用基础研究的一个相当集中的课题。已证明这种热氧化缺陷是沿着(111)面的某局部范围外扦了一层原子,其四周被布格斯矢量为1/3(111)的偏位错所包围,是一种非本征堆垛层错,如(图1)所示,朝(111)面看去,这种层错是一园形,而在(100)则形成一特征线缺陷。其走向为〈110〉向。 展开更多
关键词 表面缺陷 偏位错 层错 抛光处理 硅表面 热氧化 表面固定电荷密度
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