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倒装芯片封装技术的凸点、压焊及下填充 被引量:2
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作者 杨建生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期35-37,共3页
简要叙述了IBM公司的倒装片技术,包括凸点形成技术、压焊技术和下填充技术,并展望了倒装片技术的发展前景。
关键词 倒装芯片封装 凸点 压焊 下填充
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道康宁推出新型上盖密封粘着剂支持快速成长的倒装芯片封装应用
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期80-80,共1页
全球材料、应用技术及服务的供应商一美国道康宁公司日前宣布推出DOW CORNING EA-6700微电子粘着剂,这种新型上盖密封材料(lid-seal materiall具备独特的化学成份,最适合新一代倒装芯片(flip.chip)封装。EA-6700是道康宁不断大扩大... 全球材料、应用技术及服务的供应商一美国道康宁公司日前宣布推出DOW CORNING EA-6700微电子粘着剂,这种新型上盖密封材料(lid-seal materiall具备独特的化学成份,最适合新一代倒装芯片(flip.chip)封装。EA-6700是道康宁不断大扩大的封装材料产品系列中最新推出的粘着剂。 展开更多
关键词 倒装芯片封装 粘着剂 推出 上盖 美国道康宁公司 速成 应用技术 密封材料 化学成份 产品系列 封装材料 DOW 供应商 微电子
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热循环条件下高密度倒装微铜柱凸点失效行为分析 被引量:2
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作者 任宁 田野 +1 位作者 吴丰顺 尚拴军 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期25-28,130,共4页
基于圣维南原理,采用全局模型和子模型相结合的建模方针,建立倒装芯片封装的有限元模型.分析热循环条件下微铜柱凸点的应力及应变分布,研究高密度倒装芯片封装微铜柱凸点的失效机理,对关键微铜柱凸点的裂纹生长行为进行分析.结果表明,... 基于圣维南原理,采用全局模型和子模型相结合的建模方针,建立倒装芯片封装的有限元模型.分析热循环条件下微铜柱凸点的应力及应变分布,研究高密度倒装芯片封装微铜柱凸点的失效机理,对关键微铜柱凸点的裂纹生长行为进行分析.结果表明,距芯片中心最远处的微铜柱凸点具有最大的变形与应力,为封装体中的关键微铜柱凸点;累积塑性应变能密度主要分布在关键微铜柱凸点的基板侧,在其外侧位置最大,向内侧逐渐减小,这表明裂纹萌生在基板侧微铜柱凸点外侧,向内侧扩展,试验结果与模拟结果相一致. 展开更多
关键词 倒装芯片封装 微铜柱凸点 累积塑性应变能密度 失效行为
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不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响
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作者 赵妍 马毅超 吴卫东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期128-131,共4页
肖特基二极管是太赫兹接收机的关键器件,通过在高频下对不同封装形式的肖特基二极管进行建模仿真,研究不同封装方式对肖特基二极管性能的影响。首先通过建立肖特基二极管的仿真模型,在高频结构仿真软件HFSS中对肖特基二极管在0-120GHz... 肖特基二极管是太赫兹接收机的关键器件,通过在高频下对不同封装形式的肖特基二极管进行建模仿真,研究不同封装方式对肖特基二极管性能的影响。首先通过建立肖特基二极管的仿真模型,在高频结构仿真软件HFSS中对肖特基二极管在0-120GHz频段进行仿真,得到该肖特基二极管的S参数,并对S参数仿真结果和实测结果进行对比,证明了该二极管模型的准确性。然后分别建立肖特基二极管的普通封装模型和肖特基二极管的倒装芯片(flip-chip)封装模型,并对这两种封装模型进行仿真,得到其在两种不同封装结构下的S参数,进而对两种不同封装方式的S参数的-3dB带宽以及相位一致性进行对比分析。最终,对应用于太赫兹波段的肖特基二极管由于封装不同而带来的带宽以及相位的区别及其成因进行分析,论证了flipchip封装更适合应用于太赫兹波段的肖特基二极管,与普通封装相比,该封装在高频下对肖特基二极管的电性能有比较大的改进。 展开更多
关键词 太赫兹 肖特基二极管 信号完整性 倒装芯片封装
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热时效过程中微米级SnAgCu焊点的界面金属间化合物形成及演变 被引量:5
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作者 田野 吴懿平 +1 位作者 安兵 龙旦风 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期101-104,118,共4页
研究微米级倒装组装焊点在150℃热时效过程中界面金属间化合物(intermetalic compound,IMC)的形成及演化.结果表明,在热时效300 h后,受铜焊盘界面扩散过来的Cu原子影响,镍焊盘界面(Ni,Cu)3Sn4全部转化成(Cu,Ni)6Sn5;在铜焊盘界面,热时效... 研究微米级倒装组装焊点在150℃热时效过程中界面金属间化合物(intermetalic compound,IMC)的形成及演化.结果表明,在热时效300 h后,受铜焊盘界面扩散过来的Cu原子影响,镍焊盘界面(Ni,Cu)3Sn4全部转化成(Cu,Ni)6Sn5;在铜焊盘界面,热时效至100 h后,形成一层薄的Cu3Sn,在随后的热时效过程中,由于Ni原子对Cu3Sn生长的抑制作用,Cu3Sn几乎没有生长.此外在时效100 h内,两侧界面(Cu,Ni)6Sn5生长速率增加较快,但随着时效时间的增加逐渐减慢.两侧界面(Cu,Ni)6Sn5顶端形貌随着时效时间的增加逐渐变平. 展开更多
关键词 无铅焊料 金属间化合物 倒装芯片封装 界面反应 热时效
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