避免发生芯片裂纹的倒装片BGA技术概述

1

作者 杨建生 徐元斌 李红 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第1期62-66,共5页

介绍了把断裂力学法应用于倒装片ＢＧＡ的设计方法。概述了一些关键的材料特性和封装尺寸对倒装片ＢＧＡ芯片裂纹的影响作用，从而断定基板厚度和芯片厚度是倒装片ＢＧＡ芯片发生裂纹的两个最重要的因素．

关键词 BGA技术 球栅陈列封装 裂纹 芯片 有限单元分析 倒装片 断裂力学 设计工艺

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焊料凸点式倒装片与引线键合成本比较分析

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作者 杨建生 《电子与封装》 2007年第10期1-7,共7页

文章讨论了引线键合芯片与板上或有机基板上焊料凸点式倒装片的成本比较问题。核查了IC芯片效率、金丝与焊接材料及这些技术使用的主要设备对成本的影响。采用有用的公式和图表,确定成本,并比较了采用这些技术的成本状况。

关键词 成本分析 倒装片 焊料凸点 圆片凸点技术 引线键合

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倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景

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作者 杨建生 《电子与封装》 2001年第2期17-20,共4页

本文主要论述了现代微电子封装技术中倒装片封装技术和芯片规模封装技术的结构类型,应用产品,倒装片与晶片级规模封装,并阐述了倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景。

关键词 倒装片封装 芯片规模封装 综合比较 发展前景

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倒装片的无铅焊接

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作者 盛水源 《印制电路信息》 2007年第2期67-69,共3页

文章通过试验证明:纯锡焊料凸块和含钴底部凸块金属焊层结合可延长无铅焊接倒装片的寿命。锡和钴金属互化物具有比目前铜-UBM替代物更好的特性。

关键词 倒装片 无铅焊接 寿命

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超高亮度、超小型倒装片LED

5

作者 孙再吉 《光电子技术》 CAS 1997年第2期101-101,共1页

关键词 日本 HP公司 倒装片LED 驱动电流 亮度 封装高度

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倒装片PIN二极管串联电阻测试方法研究

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作者 胡永军 李熙华 顾晓春 《科技创新与应用》 2015年第25期56-57,共2页

文章介绍了一种利用矢量网络分析仪测试倒装片PIN二极管串联电阻的测试方法。希望通过文章的介绍,可以为相关的工作人员提供帮助。

关键词 倒装片PIN二极管 串联电阻 测试方法

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2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——通硅分析的倒装片超薄可靠性

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《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第4期62-62,共1页

关键词 倒装片 研磨工具 硅分析 可靠性 IC封装

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用于倒装片键合和BGA管座中的导电聚合物的导电性

8

作者 符正威 《电子与封装》 2001年第2期30-34,共5页

大量实验表明,当导电聚合物用于倒装片键合和BGA管座时,除了导电填充物本身的体电阻外,在接触点和导电聚合物之间以及在填充物中间都存在着一定的接触电组.接触面上的绝缘物的侵入会引起接触电组的增加.导电聚合物一般由粘附性聚合物母... 大量实验表明,当导电聚合物用于倒装片键合和BGA管座时,除了导电填充物本身的体电阻外,在接触点和导电聚合物之间以及在填充物中间都存在着一定的接触电组.接触面上的绝缘物的侵入会引起接触电组的增加.导电聚合物一般由粘附性聚合物母体和导电填充物组成,其导电性不仅取绝于填充材料、填充比例及工作环境,而且还取绝于填充物聚集的结构、聚集物上的电压降,以及材料热膨胀系数不匹配造成的芯片、基片和印刷电路板变形所引起的机械应力.本文根据基本的电接触物理学和材料动力学以及颗粒聚集结构,对聚合物键合系统导电性与诸如填充聚集结构、应力、电压降和工作环境这样的主要变量之间的联系进行了分析. 展开更多

关键词 倒装片 键合 管座 导电聚合物 功能聚合物 BGA 导电性

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PTS 0603，0805／1206：SMD倒装片温度传感器

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《世界电子元器件》 2008年第4期56-56,共1页

Vishoy推出具有三种标准芯片尺寸-0603、0805及1206-采用先进薄膜技术的新型铂SMD倒装片温度传感器。这些器件具有≤5s（空中）的较短反应时间以及-55℃．＋．155℃的温度范围。

关键词 温度传感器 倒装片 SMD PTS 芯片尺寸 薄膜技术 温度范围 反应时间

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使用黏性焊接进行CSP与倒装片组装

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《电子工艺技术》 2003年第2期92-92,共1页

关键词 黏性焊接 CSP 倒装片组装 模板印刷焊膏

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FPC产品倒装片工艺的改善

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作者 郑志荣 崔崧 《中国集成电路》 2013年第3期57-62,共6页

本文主要分析了智能卡产品倒装片工艺固有的位置精度问题。通过数据分析,找出了设备长期工作后,精度下降引发产品倒装问题的主要原因。同时,采用AutoCAD软件对倒装片智能卡(Chip Card)产品的布局分析,并结合设备精度、FPC(挠性线路板)... 本文主要分析了智能卡产品倒装片工艺固有的位置精度问题。通过数据分析,找出了设备长期工作后,精度下降引发产品倒装问题的主要原因。同时,采用AutoCAD软件对倒装片智能卡(Chip Card)产品的布局分析,并结合设备精度、FPC(挠性线路板)制造精度等因素,进行倒装片工艺的仿真模拟,进而可以确定需要改进的设计布局图中的关键尺寸,从而彻底地解决了引发倒装片工艺精度差的问题。 展开更多

关键词 智能卡 FPC(挠性线路板) FLIP Chip(倒装片) 计算机辅助设计(AutoCAD)

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倒装芯片拉脱试验分析与测试方法改进研究 被引量：2

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作者 丁荣峥 马国荣 +1 位作者 陈波 杨轶博 《电子产品可靠性与环境试验》 2013年第5期29-32,共4页

倒装芯片工艺越来越广泛地应用于芯片与管壳/基板互连中。目前,倒装芯片拉脱试验均采用GJB548B-2005《微电子器件试验方法和程序》方法 2031倒装片拉脱试验。随芯片面积的增大及倒装芯片种类的增多,方法 2031中关于拉开棒与芯片表面法... 倒装芯片工艺越来越广泛地应用于芯片与管壳/基板互连中。目前,倒装芯片拉脱试验均采用GJB548B-2005《微电子器件试验方法和程序》方法 2031倒装片拉脱试验。随芯片面积的增大及倒装芯片种类的增多,方法 2031中关于拉开棒与芯片表面法线方向5°范围内无冲击拉芯片的测试,使用该方法所获得的试验数据不准确,与真实值偏差大。针对这一问题,进行了测试方法的改进研究,降低了测试夹具导致的测量误差,从而获取了高可信度的倒装芯片拉脱强度数据。 展开更多

关键词 倒装片 拉脱试验 测试方法

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倒装芯片的高速度、低成本、无铅化挑战

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作者 杨建生 《电子与封装》 2006年第9期7-10,共4页

有机基板上的倒装芯片已经成为一种具有稳定结构的成熟工艺技术。对高容积应用而言,这一技术更加可靠,并且比板上芯片更能节省成本,其成本价格已经接近于表面贴装技术的成本价格。对于很多需要高速的应用而言,也要求其具有优越的电性能... 有机基板上的倒装芯片已经成为一种具有稳定结构的成熟工艺技术。对高容积应用而言,这一技术更加可靠,并且比板上芯片更能节省成本,其成本价格已经接近于表面贴装技术的成本价格。对于很多需要高速的应用而言,也要求其具有优越的电性能。不过目前这一技术依然存在部分挑战,主要来自目前无铅化封装的全球趋势对于芯片封装无铅化提出的要求。 展开更多

关键词 倒装片 高速度 低成本 无铅焊料 下填充物

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倒装芯片组装中IC裸芯片的在线KGD测试

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作者 曾允明 汪健 《电子与封装》 2002年第1期21-25,共5页

20世纪80～90年代,在电子领域开辟了一些新产品和服务,如个人计算机,通讯和互连网,使我们能够方便和快捷地获取所需的信息.该世纪的产品通常能很好的完成某一给定功能,但远未达到能够获取处理多重信息的要求.下一代产品应该是将传统产... 20世纪80～90年代,在电子领域开辟了一些新产品和服务,如个人计算机,通讯和互连网,使我们能够方便和快捷地获取所需的信息.该世纪的产品通常能很好的完成某一给定功能,但远未达到能够获取处理多重信息的要求.下一代产品应该是将传统产品的功能混合起来. 展开更多

关键词 KGD Star 半导体芯片 基片 片头 衬底 裸芯片 参数测量 芯片测试 焊料凸点 倒装片 压焊点 粘片机 IC

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大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术 被引量：2

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作者 吴林枫 唐文婷 +4 位作者 陈宝 易翰翔 李玉珠 王保兴 蔡勇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期565-571,共7页

提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板。采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LE... 提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板。采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mm×4.5 mm。在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA。当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20 W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08%,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W。 展开更多

关键词 自隔离散热技术 大功率倒装单片集成LED 光输出功率 插墙效率 热阻

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BGA/CSP和倒装焊芯片面积阵列封装技术 被引量：17

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作者 罗伟承 刘大全 《中国集成电路》 2009年第2期49-55,共7页

随着表面安装技术的迅速发展,新的封装技术不断出现,面积阵列封装技术成了现代封装的热门话题,而BGA/CSP和倒装焊芯片(Flip Chip)是面积阵列封装主流类型。BGA/CSP和倒装焊芯片的出现,适应了表面安装技术的需要,解决了高密度、高性能、... 随着表面安装技术的迅速发展,新的封装技术不断出现,面积阵列封装技术成了现代封装的热门话题,而BGA/CSP和倒装焊芯片(Flip Chip)是面积阵列封装主流类型。BGA/CSP和倒装焊芯片的出现,适应了表面安装技术的需要,解决了高密度、高性能、多功能及高I/O数应用的封装难题。本文介绍了BGA/CSP和倒装焊芯片的封装理论和技术优势及制造流程,并阐述了植球机的基本构成和工作原理。 展开更多

关键词 面积阵列封装 BGA CSP 倒装焊芯片 植球机

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基于超薄贴合技术的单片集成大功率倒装LED 被引量：1

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作者 庞佳鑫 唐文婷 +5 位作者 陈宝瑨 易翰翔 王宝兴 张秀 田立君 蔡勇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第9期755-760,共6页

采用超薄贴合技术,通过改进封装散热结构来解决大功率倒装发光二极管(LED)芯片散热和电学绝缘之间的矛盾。采用串并联的内部拓扑结构和三角电极原理开发了一款尺寸为5 mm×5 mm的单片集成大功率倒装LED芯片。使用起芯片电学延伸作... 采用超薄贴合技术,通过改进封装散热结构来解决大功率倒装发光二极管(LED)芯片散热和电学绝缘之间的矛盾。采用串并联的内部拓扑结构和三角电极原理开发了一款尺寸为5 mm×5 mm的单片集成大功率倒装LED芯片。使用起芯片电学延伸作用的金属片和绝缘导热凸台这一散热结构对LED芯片进行封装。在驱动电流为0.1 A时,芯片的开启电压为29 V,芯片可正常发光。在2 A的恒流电源驱动下,芯片到散热器的峰值热阻为0.44 K/W,平均热阻为0.38 K/W。加装透镜后,蓝光LED的插墙效率达到42%,白光LED的光效达到86.19 lm/W。使用超薄贴合技术成功地制备了75 W单片集成大功率倒装LED,为开发单片集成大功率LED提供了有效的途径。超薄贴合技术对单片集成大功率倒装LED的发展具有一定的推动作用。 展开更多

关键词 超薄贴合技术 单片集成大功率倒装LED 插墙效率 光效 热阻

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倒装晶片装配工艺及其对表面贴装设备的要求 被引量：2

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作者 李忆 《电子与封装》 2008年第6期6-11,共6页

随着市场对于电子产品特别是消费型电子产品持续要求越来越高,要求其短小轻薄、功能高度集成、价格更加便宜、储空间更大,元件的小型化高密度封装形式越来越多,如多模块封装(MCM)、系统封装(SiP)、倒装晶片(FC)等应用得越来越多。这些... 随着市场对于电子产品特别是消费型电子产品持续要求越来越高,要求其短小轻薄、功能高度集成、价格更加便宜、储空间更大,元件的小型化高密度封装形式越来越多,如多模块封装(MCM)、系统封装(SiP)、倒装晶片(FC)等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线,勿庸置否,随着小型化高密度封装的出现,对高速与高精度装配的要求变得更加关键。相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。由于倒装晶片比BGA或CSP具有更小的外形尺寸,更小的球径和球间距,它对植球工艺、基板技术、材料的兼容性、制造工艺以及检查设备和方法提出了前所未有的挑战。 展开更多

关键词 小型化 高密度封装 倒装晶片 先进性与高灵活性

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倒装晶片(Flip Chip)装配工艺及其对表面贴装设备的要求 被引量：1

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作者 李忆 《电子工业专用设备》 2007年第12期1-7,共7页

元件的小型化高密度封装形式越来越多,如多模块封装(MCM),系统封装(SiP),倒装晶片(FC)等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线,勿庸置否,随着小型化高密度封装的出现,对高速与高精度装配的要求变得更... 元件的小型化高密度封装形式越来越多,如多模块封装(MCM),系统封装(SiP),倒装晶片(FC)等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线,勿庸置否,随着小型化高密度封装的出现,对高速与高精度装配的要求变得更加关键。相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。由于倒装晶片比BGA或CSP具有更小的外形尺寸,更小的球径和球间距,它对植球工艺,基板技术,材料的兼容性,制造工艺以及检查设备和方法提出了前所未有的挑战。 展开更多

关键词 小型化 高密度封装 倒装晶片 先进性与高灵活性

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C4NP-无铅倒装晶片焊凸形成生产工艺与可靠性数据(英文)

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作者 Eric Laine Klaus Ruhmer +4 位作者 Luc Belanger Michel Turgeon Eric Perfecto Hai Longworth David Hawken 《电子工业专用设备》 2007年第8期45-53,共9页

受控倒塌芯片连接新工艺是一种由IBM公司开发、由Suss Micro Tec公司推向商品化的新型焊凸形成技术。受控倒塌芯片连接新工艺采用各种无铅焊料合金致力于解决现有的凸台。形成技术限定,使低成本小节距焊凸形成成为可能。受控倒塌芯片连... 受控倒塌芯片连接新工艺是一种由IBM公司开发、由Suss Micro Tec公司推向商品化的新型焊凸形成技术。受控倒塌芯片连接新工艺采用各种无铅焊料合金致力于解决现有的凸台。形成技术限定,使低成本小节距焊凸形成成为可能。受控倒塌芯片连接新工艺是一种焊球转移技术,熔焊料被注入预先制成并可重复使用的玻璃模板(模具)。这种注满焊料的模具在焊料转入圆片之前先经过检查以确保高成品率。注满焊料的模具与圆片达到精确的接近后以与液态熔剂复杂性无关的简单工序转移在整个300mm(或300mm以下)圆片上。受控倒塌芯片连接新工艺技术能够在焊膏印刷中实现小节距凸台形成的同时提供相同合金选择的适应性。这种简单的受控倒塌芯片连接新工艺使低成本、高成品率以及快速封装周期的解决方法对于细节距FCiP以及WLCSP凸台形成均能适用。 展开更多

关键词 倒装晶片封装 圆片级芯片尺寸封装 焊凸形成 焊球转移

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