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一种采用Li_3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备
被引量：
7
1
作者
张睿
李传南
+4 位作者
李涛
崔国宇
侯晶莹
赵毅
刘式墉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期199-203,共5页
采用Li3N掺杂电子注入层Alq3∶Li3N,制作了一种结构为ITO/Alq3Alq3∶Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极,金属Al作为顶部阳极,在ITO阴极与电子传输层之间加入Li3Nn型掺杂层,改善了该器件的电子注...
采用Li3N掺杂电子注入层Alq3∶Li3N,制作了一种结构为ITO/Alq3Alq3∶Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极,金属Al作为顶部阳极,在ITO阴极与电子传输层之间加入Li3Nn型掺杂层,改善了该器件的电子注入和传输能力;在Al阳极与空穴传输层之间加入MoO3缓冲层,降低了Al阳极与NPB之间较大的空穴注入势垒,改善了空穴注入能力.实验表明:此结构的倒置底发射有机发光器件性能可达到传统结构的常用有机发光器件如ITO/NPB/Alq3/LiF/Al的性能,完全可以满足非晶硅薄膜晶体管有源有机发光器件中驱动电路的匹配及性能要求.
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关键词
有机发光器件
倒置底发射结构
Li3N
N型掺杂
势垒
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职称材料
题名
一种采用Li_3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备
被引量：
7
1
作者
张睿
李传南
李涛
崔国宇
侯晶莹
赵毅
刘式墉
机构
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期199-203,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(No.2010CB327701)
吉林省科技厅支撑计划重点项目(No.20093056)资助
文摘
采用Li3N掺杂电子注入层Alq3∶Li3N,制作了一种结构为ITO/Alq3Alq3∶Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极,金属Al作为顶部阳极,在ITO阴极与电子传输层之间加入Li3Nn型掺杂层,改善了该器件的电子注入和传输能力;在Al阳极与空穴传输层之间加入MoO3缓冲层,降低了Al阳极与NPB之间较大的空穴注入势垒,改善了空穴注入能力.实验表明:此结构的倒置底发射有机发光器件性能可达到传统结构的常用有机发光器件如ITO/NPB/Alq3/LiF/Al的性能,完全可以满足非晶硅薄膜晶体管有源有机发光器件中驱动电路的匹配及性能要求.
关键词
有机发光器件
倒置底发射结构
Li3N
N型掺杂
势垒
Keywords
Organic light-emitting device
Inverted bottom emitting
Li3N
n-type doping
Barrier
分类号
TN873.3 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种采用Li_3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备
张睿
李传南
李涛
崔国宇
侯晶莹
赵毅
刘式墉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
7
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