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利用倒梯矩形电子阻挡层降低深紫外激光二极管的电子泄露
被引量:
3
1
作者
王瑶
王梦真
+2 位作者
魏士钦
王芳
刘玉怀
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2021年第6期108-112,共5页
为了有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种新颖的具有倒梯矩形的电子阻挡层(EBL)结构.通过使用Crosslight软件将矩形,梯矩形和倒梯矩形三种不同的结构进行仿真研究,比较三种结构器件的能带图、辐射复合率、...
为了有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种新颖的具有倒梯矩形的电子阻挡层(EBL)结构.通过使用Crosslight软件将矩形,梯矩形和倒梯矩形三种不同的结构进行仿真研究,比较三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P-I以及V-I特性等,得出倒梯矩形EBL更能有效地抑制电子的泄露,从而改善了器件的光学和电学性能.
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关键词
深紫外激光二极管
ALGAN
倒梯矩形电子阻挡层
电子
泄露
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职称材料
题名
利用倒梯矩形电子阻挡层降低深紫外激光二极管的电子泄露
被引量:
3
1
作者
王瑶
王梦真
魏士钦
王芳
刘玉怀
机构
郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2021年第6期108-112,共5页
基金
国家重点研发计划重点专项(2016YFE0118400)
2019年度宁波市“科技创新2025”重大专项(2019B10129)。
文摘
为了有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种新颖的具有倒梯矩形的电子阻挡层(EBL)结构.通过使用Crosslight软件将矩形,梯矩形和倒梯矩形三种不同的结构进行仿真研究,比较三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P-I以及V-I特性等,得出倒梯矩形EBL更能有效地抑制电子的泄露,从而改善了器件的光学和电学性能.
关键词
深紫外激光二极管
ALGAN
倒梯矩形电子阻挡层
电子
泄露
Keywords
Deep ultraviolet laser diode
AlGaN
Inverted trapezoid rectangle electron barrier
Electron leakage
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用倒梯矩形电子阻挡层降低深紫外激光二极管的电子泄露
王瑶
王梦真
魏士钦
王芳
刘玉怀
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2021
3
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