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利用倒梯矩形电子阻挡层降低深紫外激光二极管的电子泄露 被引量:3
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作者 王瑶 王梦真 +2 位作者 魏士钦 王芳 刘玉怀 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2021年第6期108-112,共5页
为了有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种新颖的具有倒梯矩形的电子阻挡层(EBL)结构.通过使用Crosslight软件将矩形,梯矩形和倒梯矩形三种不同的结构进行仿真研究,比较三种结构器件的能带图、辐射复合率、... 为了有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种新颖的具有倒梯矩形的电子阻挡层(EBL)结构.通过使用Crosslight软件将矩形,梯矩形和倒梯矩形三种不同的结构进行仿真研究,比较三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P-I以及V-I特性等,得出倒梯矩形EBL更能有效地抑制电子的泄露,从而改善了器件的光学和电学性能. 展开更多
关键词 深紫外激光二极管 ALGAN 倒梯矩形电子阻挡层 电子泄露
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