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在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变
被引量：
2
1
作者
王元樟
陈路
+4 位作者
巫艳
吴俊
于梅芳
方维政
何力
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期861-863,共3页
文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构...
文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角γ[1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且γ[1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变。
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关键词
CdTe/Si
倒易点二维扫描图
剪切应变
正应变
分子束外延
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职称材料
在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的剪切应变
2
作者
王元樟
陈路
+4 位作者
巫艳
吴俊
于梅芳
方维政
何力
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第4期429-431,494,共4页
利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe缓冲层的剪切应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚...
利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe缓冲层的剪切应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角[γ1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且[γ1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si结构,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。
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关键词
CdTe/Si
倒易点二维扫描图
剪切应变
分子束外延
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职称材料
题名
在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变
被引量：
2
1
作者
王元樟
陈路
巫艳
吴俊
于梅芳
方维政
何力
机构
中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期861-863,共3页
文摘
文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角γ[1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且γ[1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变。
关键词
CdTe/Si
倒易点二维扫描图
剪切应变
正应变
分子束外延
Keywords
CdTe/Si
two dimension reciprocal space mapping
shear strain
strain
molecular-beam epitaxy
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的剪切应变
2
作者
王元樟
陈路
巫艳
吴俊
于梅芳
方维政
何力
机构
中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006年第4期429-431,494,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60221502)
文摘
利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe缓冲层的剪切应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角[γ1-1-1]和[γ01-1]都有变小的趋势,且[γ1-1-1]的大小约为[γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si结构,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变。
关键词
CdTe/Si
倒易点二维扫描图
剪切应变
分子束外延
Keywords
CdTe/Si
Two dimension reciprocal space mapping
Shear strain
Molecular beam epitaxy（MBE）
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变
王元樟
陈路
巫艳
吴俊
于梅芳
方维政
何力
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
在线阅读
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职称材料
2
在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的剪切应变
王元樟
陈路
巫艳
吴俊
于梅芳
方维政
何力
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2006
0
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