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题名半绝缘GaAs倍频效应的研究
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作者
刘秀环
陈占国
贾刚
时宝
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机构
吉林大学电子科学与工程学院
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2007年第z1期378-381,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60476027)
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文摘
理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播。首次从光电流随基频光偏振方向的变化这一角度验证了波长为1.3μm的基频光沿GaAs晶体的[001]方向入射时的倍频吸收各向异性理论;实验测得了样品的光电流随外加偏压的非线性变化关系,实验中没有观察到光电流随外加偏压的增加而饱和的现象,进一步证明了GaAs样品中产生了倍频吸收。
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关键词
半绝缘GAAS
双光子响应
倍频吸收
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Keywords
Semi-insulating GaAs
Two-photon response
Double-frequency absorption
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分类号
O437
[机械工程—光学工程]
O472
[理学—半导体物理]
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题名[111]方向电场诱导的硅的倍频效应
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作者
刘秀环
陈占国
贾刚
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机构
吉林大学电子科学与工程学院
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2007年第z1期382-386,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60476027)
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文摘
理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与C3V点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直于{110}面入射,从而研究硅的场致倍频效应随基频光偏振方向的变化。设计了底面为(110)面的半球形硅样品,为从实验上研究[111]方向电场诱导的硅的倍频效应,提出了一种实验方案。
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关键词
硅晶体
场致等效二阶极化率
场致倍频吸收
双光子响应
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Keywords
Silicon crystal
Electric field induced effective second-order susceptibility
Electric field induced double-frequency absorption
Two-photon response
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分类号
O437:0472
[机械工程—光学工程]
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