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倍增层Si浓度对β-FeSi_(2)/Si红外探测器性能的影响研究
1
作者
朱朝阳
叶伟
+1 位作者
彭慧龙
陈昱坤
《河南科技》
2025年第1期73-77,共5页
【目的】为降低暗电流,改善器件性能,对不同的倍增层Si掺杂浓度在电场分布、暗电流和响应度等性能方面的影响进行探讨,以获得掺杂浓度的最优值。【方法】利用半导体仿真软件Silvaco-TCAD深入探讨了倍增层Si掺杂浓度对β-FeSi_(2)/Si近...
【目的】为降低暗电流,改善器件性能,对不同的倍增层Si掺杂浓度在电场分布、暗电流和响应度等性能方面的影响进行探讨,以获得掺杂浓度的最优值。【方法】利用半导体仿真软件Silvaco-TCAD深入探讨了倍增层Si掺杂浓度对β-FeSi_(2)/Si近红外探测器性能的影响规律。【结果】随着倍增层掺杂浓度的提升,倍增层内部电场强度峰值逐渐增加,暗电流密度与电容值也将相应提高,光响应度基本保持不变。进一步研究表明,当倍增层掺杂浓度为1×10^(15) cm^(-3)时,器件获得良好的性能,暗电流密度为9.93×10^(-6) A/cm^(2),在波长为1.5μm时,光响应度和比探测率分别为0.4452 A/W和1.77×10^(11) cm·Hz^(1/2)W^(-1)。【结论】研究结果对制备高性能的β-FeSi_(2)/Si红外探测器具有指导意义。
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关键词
掺杂浓度
倍增层
暗电流
红外探测器
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职称材料
基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化
被引量：
5
2
作者
蒋毅
陈俊
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第5期598-603,共6页
使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的...
使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的异质结倍增层.同时,文章研究了异质结倍增层的厚度和掺杂浓度对暗电流和增益的影响.通过对掺杂浓度的优化,击穿电压和穿通电压可以同时下降.
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关键词
InAlAsSb
雪崩光电二极管
异质结
倍增层
击穿电压
穿通电压
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职称材料
光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管
被引量：
1
3
作者
尹顺政
齐利芳
+3 位作者
赵永林
张豫黔
车向辉
张宇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期759-763,共5页
针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通...
针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通电压、击穿电压、倍增因子等特性的影响,实验结果与模拟结果相吻合,表明此方法可以用于器件的结构设计优化及特性分析。在此方法指导下,制作出了SAGCM APD。测试结果表明器件穿通电压小于30V,击穿电压小于45V,在倍增因子为1时,器件响应度大于0.9A/W,在倍增因子为10时,器件暗电流小于10nA,在倍增因子为5-12时,-3dB带宽均大于3GHz,其性能满足2.5Gbit/s光纤通信应用要求。
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关键词
InP
吸收、渐变、电荷、
倍增层
分离结构的雪崩二极管(SAGCM
APD)
雪崩
本地电场模型
光通信
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职称材料
题名
倍增层Si浓度对β-FeSi_(2)/Si红外探测器性能的影响研究
1
作者
朱朝阳
叶伟
彭慧龙
陈昱坤
机构
陕西理工大学机械工程学院
出处
《河南科技》
2025年第1期73-77,共5页
基金
陕西省教育厅重点实验室项目(16JS016)
陕西省教育厅专项科研计划(18JK0151)
陕西“十四五”教育科学规划2022年度课题(SGH22Y1351)。
文摘
【目的】为降低暗电流,改善器件性能,对不同的倍增层Si掺杂浓度在电场分布、暗电流和响应度等性能方面的影响进行探讨,以获得掺杂浓度的最优值。【方法】利用半导体仿真软件Silvaco-TCAD深入探讨了倍增层Si掺杂浓度对β-FeSi_(2)/Si近红外探测器性能的影响规律。【结果】随着倍增层掺杂浓度的提升,倍增层内部电场强度峰值逐渐增加,暗电流密度与电容值也将相应提高,光响应度基本保持不变。进一步研究表明,当倍增层掺杂浓度为1×10^(15) cm^(-3)时,器件获得良好的性能,暗电流密度为9.93×10^(-6) A/cm^(2),在波长为1.5μm时,光响应度和比探测率分别为0.4452 A/W和1.77×10^(11) cm·Hz^(1/2)W^(-1)。【结论】研究结果对制备高性能的β-FeSi_(2)/Si红外探测器具有指导意义。
关键词
掺杂浓度
倍增层
暗电流
红外探测器
Keywords
doping concentration
multiplication layer
dark current
infrared detector
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化
被引量：
5
2
作者
蒋毅
陈俊
机构
苏州大学电子信息学院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第5期598-603,共6页
基金
国家自然科学基金(61774108)~~
文摘
使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的异质结倍增层.同时,文章研究了异质结倍增层的厚度和掺杂浓度对暗电流和增益的影响.通过对掺杂浓度的优化,击穿电压和穿通电压可以同时下降.
关键词
InAlAsSb
雪崩光电二极管
异质结
倍增层
击穿电压
穿通电压
Keywords
InAlAsSb
avalanche photodiode
hetero-junction multiplication layer
break-down voltage
punch-through voltage
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
TN362 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管
被引量：
1
3
作者
尹顺政
齐利芳
赵永林
张豫黔
车向辉
张宇
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期759-763,共5页
文摘
针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通电压、击穿电压、倍增因子等特性的影响,实验结果与模拟结果相吻合,表明此方法可以用于器件的结构设计优化及特性分析。在此方法指导下,制作出了SAGCM APD。测试结果表明器件穿通电压小于30V,击穿电压小于45V,在倍增因子为1时,器件响应度大于0.9A/W,在倍增因子为10时,器件暗电流小于10nA,在倍增因子为5-12时,-3dB带宽均大于3GHz,其性能满足2.5Gbit/s光纤通信应用要求。
关键词
InP
吸收、渐变、电荷、
倍增层
分离结构的雪崩二极管(SAGCM
APD)
雪崩
本地电场模型
光通信
Keywords
In P
absorption
grading
charge and multiplication avalanche photodiode（SAGCM APD）
avalanche
local field model
optical communication
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
倍增层Si浓度对β-FeSi_(2)/Si红外探测器性能的影响研究
朱朝阳
叶伟
彭慧龙
陈昱坤
《河南科技》
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化
蒋毅
陈俊
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管
尹顺政
齐利芳
赵永林
张豫黔
车向辉
张宇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
在线阅读
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职称材料
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