针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor,GaN HEMT)小信号等效电路模型参数提取和优化过程中存在的误差累计问题,基于GaN HEMT 19元件小信号模型,提出了一种扫参与迭代相结合的参数提取算法.该算法在迭代...针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor,GaN HEMT)小信号等效电路模型参数提取和优化过程中存在的误差累计问题,基于GaN HEMT 19元件小信号模型,提出了一种扫参与迭代相结合的参数提取算法.该算法在迭代过程中,每次使用比前一次更准确的元件值进行计算,可使结果趋向最优解.通过Matlab编程实现后计算结果表明,仿真与实测S参数在0.1~40GHz频率范围内吻合良好.展开更多
文摘针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor,GaN HEMT)小信号等效电路模型参数提取和优化过程中存在的误差累计问题,基于GaN HEMT 19元件小信号模型,提出了一种扫参与迭代相结合的参数提取算法.该算法在迭代过程中,每次使用比前一次更准确的元件值进行计算,可使结果趋向最优解.通过Matlab编程实现后计算结果表明,仿真与实测S参数在0.1~40GHz频率范围内吻合良好.
