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俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响被引量：1: 1; 作者贾国治姚江宏 +3 位作者刘国梁柏天国刘如彬邢晓东《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期105-109,共5页; 通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应... 展开更多; 关键词光电子学俄歇复合应变量子阱阈值电流密度特征温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管效率衰退的影响被引量：5: 2; 作者王玮东楚春双 +3 位作者张丹扬毕文刚张勇辉张紫辉《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期897-903,共7页; 研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10^(-32) cm^(6)·s^(-1)增大到10^(-30) cm^(6)·s^(-1)时,俄歇复合对效率衰退的影响很小。当俄歇复合系数增大到10... 展开更多; 关键词深紫外发光二极管俄歇复合电子泄漏空穴注入效率衰退; 在线阅读下载PDF 职称材料

140Mbit/s长波长激光发射机模型被引量：1: 3; 作者顾畹仪李国瑞《电信科学》 1985年第7期18-21,共4页; 本文介绍全部采用国产光电器件实现的、波长为1.3μm的140 Mbit/s激光发射机模型和实验结果。; 关键词激光发射机 bit/s 张弛振荡光电器件输出光功率光纤通信系统非辐射复合码型俄歇复合输出功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

高特征温度应变量子阱激光器材料设计与生长: 4; 作者王玉霞李辉刘春玲《长春理工大学学报（自然科学版）》 2006年第4期1-4,15,共5页; 为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高,波长飘移,发光效率下降等问题,设计并生长了一种具有高特征温度A lInGaAs/A lGaAs应变量子阱激光器。首先从理论上剖析影响半导体激光器特征温度的主要因素。分析了... 展开更多; 关键词高特征温度分子束外延(MBE) 俄歇复合 AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

Type-Ⅱ型中红外发光二极管及激光器的进展情况: 5; 作者宋振宇王一丁 +3 位作者安宇鹏李黎曹峰张宇《红外》 CAS 2007年第12期38-42,共5页; 目前,中红外器件的应用已越来越广泛。为了更好地了解此类器件的结构和发展状况,本文结合国外在此方向上所取得的结果,对这类器件的结构设计做了比较详细的介绍。这些器件已能在218K温度下连续工作,其功率达到了500mW,78K时的阈值电流... 展开更多; 关键词 Type-Ⅱ型W结构激光器多量子阱俄歇复合自由载流子吸收; 在线阅读下载PDF 职称材料

影响量子阱激光器热特性的主要因素: 6; 作者王玉霞刘春玲王丹《长春理工大学学报（自然科学版）》 2004年第4期35-37,共3页; 本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素 ,包括 :(1)俄歇复合几率的大小 ;(2 )有源区的载流子泄漏 ;(3)价带间光吸收 ;(4)激光器有源区材料的禁带宽度Eg。并分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系。; 关键词量子阱激光器特征温度T0 应变量子阱俄歇复合; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响: 7; 作者刘亚莹蒋府龙 +6 位作者刘梦涵方华杰高鹏陈鹏施毅张荣郑有炓《微纳电子技术》北大核心 2017年第8期509-513,共5页; 主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加产生了先蓝移后红移的现象,蓝光和绿光LED分别蓝移3 nm和8 nm;而AlGaInP基红光LED器件的峰位仅红移。进... 展开更多; 关键词 INGAN 电致发光峰位相对外量子效率极化效应俄歇复合; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响被引量：1: 1; 作者贾国治姚江宏刘国梁柏天国刘如彬邢晓东; 机构南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期105-109,共5页; 基金国家自然科学基金(60476042) 长江学者和创新团队发展计划资助; 文摘通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高．; 关键词光电子学俄歇复合应变量子阱阈值电流密度特征温度; Keywords optoelectronics Auger recombination strained quantum well threshold current density characteristic temperature; 分类号 TN253 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管效率衰退的影响被引量：5: 2; 作者王玮东楚春双张丹扬毕文刚张勇辉张紫辉; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期897-903,共7页; 基金国家自然科学基金(62074050,61975051) 河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室研究项目(EERI_PI2020008) 东旭集团与河北工业大学联合研究项目(HI1909)资助。; 文摘研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10^(-32) cm^(6)·s^(-1)增大到10^(-30) cm^(6)·s^(-1)时,俄歇复合对效率衰退的影响很小。当俄歇复合系数增大到10^(-29) cm^(6)·s^(-1)时,俄歇复合对效率衰退有显著的影响。然而,对于AlGaN材料而言,俄歇复合系数很难达到10^(-29) cm^(6)·s^(-1)。此外,本研究还发现,即使设置的俄歇复合系数等于10^(-32) cm^(6)·s^(-1),DUV LED的效率衰退依旧随着电子泄漏的增加而增大。因此,这进一步证明了电子泄漏是导致DUV LED效率衰退的主要因素。此外,本工作还证明了空穴注入效率的提高可以有效地抑制DUV LED的效率衰退问题,这主要是由于更多的电子与空穴在量子阱中复合产生了光子,降低了电子从有源区中泄漏的几率。; 关键词深紫外发光二极管俄歇复合电子泄漏空穴注入效率衰退; Keywords DUV LED Auger recombination electron leakage hole injection efficiency droop; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名140Mbit/s长波长激光发射机模型被引量：1: 3; 作者顾畹仪李国瑞; 机构北京邮电学院; 出处《电信科学》 1985年第7期18-21,共4页; 文摘本文介绍全部采用国产光电器件实现的、波长为1.3μm的140 Mbit/s激光发射机模型和实验结果。; 关键词激光发射机 bit/s 张弛振荡光电器件输出光功率光纤通信系统非辐射复合码型俄歇复合输出功率; 分类号 TN2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高特征温度应变量子阱激光器材料设计与生长: 4; 作者王玉霞李辉刘春玲; 机构长春理工大学重点实验室; 出处《长春理工大学学报（自然科学版）》 2006年第4期1-4,15,共5页; 基金武器装备预研基金项目(51456010103zk1001); 文摘为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高,波长飘移,发光效率下降等问题,设计并生长了一种具有高特征温度A lInGaAs/A lGaAs应变量子阱激光器。首先从理论上剖析影响半导体激光器特征温度的主要因素。分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系。通过综合考虑各个因素,选用了A lInGaAs四元系统作为有源材料,优化设计出了高特征温度的半导体激光器结构,并用MBE设备生长这种结构,测试样品质量达到了设计要求。; 关键词高特征温度分子束外延(MBE) 俄歇复合 AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器; Keywords high characteristic temperature molecular beam epitaxy （MBE） Auger recombinationprobability AIInGaAs/AlGaAs strained layer quantum well lasers; 分类号 O614 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Type-Ⅱ型中红外发光二极管及激光器的进展情况: 5; 作者宋振宇王一丁安宇鹏李黎曹峰张宇; 机构吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室; 出处《红外》 CAS 2007年第12期38-42,共5页; 文摘目前,中红外器件的应用已越来越广泛。为了更好地了解此类器件的结构和发展状况,本文结合国外在此方向上所取得的结果,对这类器件的结构设计做了比较详细的介绍。这些器件已能在218K温度下连续工作,其功率达到了500mW,78K时的阈值电流密度为31A/cm^2,特征温度也达到了103K。; 关键词 Type-Ⅱ型W结构激光器多量子阱俄歇复合自由载流子吸收; Keywords Type-Ⅱ ＂ W ＂ laser multi-quantum well Auger recombination free carrier absorption; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学] TN248 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名影响量子阱激光器热特性的主要因素: 6; 作者王玉霞刘春玲王丹; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《长春理工大学学报（自然科学版）》 2004年第4期35-37,共3页; 基金高功率半导体国家重点实验室项目 (5 14 5 60 10 10 3ZS3 60 1); 文摘本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素 ,包括 :(1)俄歇复合几率的大小 ;(2 )有源区的载流子泄漏 ;(3)价带间光吸收 ;(4)激光器有源区材料的禁带宽度Eg。并分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系。; 关键词量子阱激光器特征温度T0 应变量子阱俄歇复合; Keywords QW LD Characteristic Temperature T_0 Strained- layed QW Auger Recombination; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响: 7; 作者刘亚莹蒋府龙刘梦涵方华杰高鹏陈鹏施毅张荣郑有炓; 机构南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学扬州光电研究院; 出处《微纳电子技术》北大核心 2017年第8期509-513,共5页; 基金国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400100 2016YFB0400602 +9 种基金 2016YFB0400402) 2015AA033305) 61422401 51461135002 61334009) BK20141320 BE2015111); 文摘主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加产生了先蓝移后红移的现象,蓝光和绿光LED分别蓝移3 nm和8 nm;而AlGaInP基红光LED器件的峰位仅红移。进一步研究发现,InGaN基LED的外量子效率在注入电流为50 mA处开始剧烈下降,AlGaInP基LED的外量子效率在100 mA处才开始缓慢下降,并且两者呈现不同的下降规律。通过与模拟结果对比发现,InGaN基LED的效率在下降开始阶段与俄歇复合引起的效率下降规律类似。以上实验结果表明,InGaN基LED器件中存在极化电场,且该极化电场会对LED器件的效率衰减产生促进作用。; 关键词 INGAN 电致发光峰位相对外量子效率极化效应俄歇复合; Keywords InGaN electroluminescence peak position relative external quantum efficiency polarization effect Auger recombination; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响	贾国治姚江宏刘国梁柏天国刘如彬邢晓东	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管效率衰退的影响	王玮东楚春双张丹扬毕文刚张勇辉张紫辉	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	140Mbit/s长波长激光发射机模型	顾畹仪李国瑞	《电信科学》	1985	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高特征温度应变量子阱激光器材料设计与生长	王玉霞李辉刘春玲	《长春理工大学学报（自然科学版）》	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Type-Ⅱ型中红外发光二极管及激光器的进展情况	宋振宇王一丁安宇鹏李黎曹峰张宇	《红外》 CAS	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	影响量子阱激光器热特性的主要因素	王玉霞刘春玲王丹	《长春理工大学学报（自然科学版）》	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响	刘亚莹蒋府龙刘梦涵方华杰高鹏陈鹏施毅张荣郑有炓	《微纳电子技术》北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料