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降低SU-8光刻胶侧壁粗糙度的研究被引量：3: 1; 作者张晔陈迪 +3 位作者李建华靖向萌倪智萍朱军《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期118-121,共4页; SU-8负性光刻胶可通过UV-LIGA技术得到高深宽比微结构,是微机械系统(MEMS)制造中极具前景的一种技术。目前已有对于SU-8微结构的线宽变化,侧壁倾角,表面粗糙度,增加深宽比等方面的大量研究,但是鲜有对于SU-8微结构侧壁粗糙度的研究。该... 展开更多; 关键词 UV-LIGA SU-8 侧壁粗糙度; 在线阅读下载PDF 职称材料

微小型光开关侧壁反射镜光路传输效率优化方法: 2; 作者徐浩然卜瑛 +1 位作者代俊刘东芳《制导与引信》 2022年第1期56-60,共5页; 提出利用电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀工艺相结合的加工方法,以提高微小型光开关侧壁反射镜的表面粗糙度,进而提升光路传输效率。利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对微小型光开关侧壁反射镜表面粗糙度进行表征,并开展了光路传输... 展开更多; 关键词半导体工艺微小型光开关聚焦离子束侧壁反射镜粗糙度光路传输效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

高深宽比硅通孔检测技术研究: 3; 作者燕英强吉勇 +2 位作者明雪飞陈波陈桂芳《电子与封装》 2014年第11期9-12,共4页; 由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高,研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率,改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间,获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔,并用垂直扫描白光干涉技术进行检测... 展开更多; 关键词深硅刻蚀白光干涉侧壁粗糙度通孔形状通孔深度无损检测; 在线阅读下载PDF 职称材料

4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善: 4; 作者董志华刘辉 +5 位作者曾春红张璇孙玉华崔奇程知群张宝顺《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第3期239-243,共5页; 采用磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀。研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响。实验发现:提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应,并且提高腔室压强还可以... 展开更多; 关键词碳化硅深刻蚀微沟槽侧壁粗糙度; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名降低SU-8光刻胶侧壁粗糙度的研究被引量：3: 1; 作者张晔陈迪李建华靖向萌倪智萍朱军; 机构上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期118-121,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(50575132); 文摘 SU-8负性光刻胶可通过UV-LIGA技术得到高深宽比微结构,是微机械系统(MEMS)制造中极具前景的一种技术。目前已有对于SU-8微结构的线宽变化,侧壁倾角,表面粗糙度,增加深宽比等方面的大量研究,但是鲜有对于SU-8微结构侧壁粗糙度的研究。该文从造成微结构侧壁粗糙度的原因入手,讨论了各个工艺参数对侧壁粗糙度的影响,并且通过优化工艺参数达到了降低SU-8微结构侧壁粗糙度的目的。; 关键词 UV-LIGA SU-8 侧壁粗糙度; Keywords UV-LIGA SU-8 sidewall roughness; 分类号 TN23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微小型光开关侧壁反射镜光路传输效率优化方法: 2; 作者徐浩然卜瑛代俊刘东芳; 机构上海无线电设备研究所上海目标识别与环境感知工程技术研究中心中国航天科技集团有限公司交通感知雷达技术研发中心北京理工大学机电学院; 出处《制导与引信》 2022年第1期56-60,共5页; 文摘提出利用电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀工艺相结合的加工方法,以提高微小型光开关侧壁反射镜的表面粗糙度,进而提升光路传输效率。利用扫描电子显微镜和原子力显微镜对微小型光开关侧壁反射镜表面粗糙度进行表征,并开展了光路传输效率测试实验。结果表明,经聚焦离子束刻蚀后,微小型光开关侧壁反射镜表面粗糙度由190nm减小到56nm,光路传输效率由10.2%提高到39.1%。; 关键词半导体工艺微小型光开关聚焦离子束侧壁反射镜粗糙度光路传输效率; Keywords semiconductor technology micro-optical switch focused ion beam sidewall reflector roughness optical transmission efficiency; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高深宽比硅通孔检测技术研究: 3; 作者燕英强吉勇明雪飞陈波陈桂芳; 机构中国电子科技集团公司第; 出处《电子与封装》 2014年第11期9-12,共4页; 文摘由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高,研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率,改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间,获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔,并用垂直扫描白光干涉技术进行检测。研究结果表明垂直扫描白光干涉技术可以观察硅通孔的形状、测量侧壁粗糙度、精确无损测量硅通孔深度,可以替代SEM、FIB检测方法。; 关键词深硅刻蚀白光干涉侧壁粗糙度通孔形状通孔深度无损检测; Keywords DRIE white light interference via sidewall roughness via shape via depth nondestructive inspect; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善: 4; 作者董志华刘辉曾春红张璇孙玉华崔奇程知群张宝顺; 机构杭州电子科技大学电子信息学院中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第3期239-243,共5页; 基金国家自然科学基金青年科学基金资助课题(61804166)。; 文摘采用磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀。研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响。实验发现:提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应,并且提高腔室压强还可以改善深槽侧壁的粗糙度。分析了其中的刻蚀机理,实验结果和分析对研究SiC深槽刻蚀具有一定的指导意义。; 关键词碳化硅深刻蚀微沟槽侧壁粗糙度; Keywords silicon carbide(SiC) deep etching microtrenching roughness of sidewall; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料