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题名一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块
被引量：14
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作者
王清源
吴洪江
赵宇
赵永志
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第4期300-304,336,共6页
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文摘
采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块。该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过焊球互连。模块最终尺寸为8 mm×8 mm×3.5 mm。装配完成后对该模块进行测试,测试结果表明,在34~36 GHz内,模块的饱和发射功率为21 dBm,单通道发射增益达到21 dB,接收增益为23 dB,接收噪声系数小于3.5 dB,同时具备6 bit数控移相和5 bit数控衰减等功能。该模块在4个通道高密度集成的基础上实现了较高的性能。
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关键词
微系统
微电子机械系统(mems)体硅工艺
T/R前端
三维异构集成
硅通孔(TSV)
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Keywords
microsystem
bulk silicon micro-electromechanical system(mems)technology
T/R front-end
3D heterogeneous integration
through silicon via(TSV)
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分类号
TN838
[电子电信—信息与通信工程]
TN851
[电子电信—信息与通信工程]
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题名一种超宽带硅基MEMS射频收发组件
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作者
陆宇
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机构
中国电子科技集团公司第十研究所
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出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第6期480-485,共6页
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文摘
基于体硅微电子机械系统(MEMS)工艺,采用系统级封装(SiP)技术,研制了一款覆盖C-Ka频段高密度集成的射频收发组件。组件集成了宽带功率放大器、宽带低噪声放大器、宽带I/Q混频器、宽带频率源等多个芯片。同层信号传输采用接地共面波导传输线,不同层间信号互联采用硅通孔形成的类同轴结构,实现了射频信号宽带低损耗传输;通过有源芯片硅基内微腔分离化设计和大量接地硅通孔,实现了射频信号间的隔离和屏蔽。实测结果表明:在6~30 GHz的频带内,SiP组件的发射功率≥36.2 dBm,发射增益≥34 dB;接收噪声系数≤2.4 dB,接收增益≥31 dB,体积仅为19.9 mm×19.9 mm×1.3 mm,实现了小型化和收/发/源一体化集成。
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关键词
体硅mems工艺
超宽带
系统级封装
收发组件
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Keywords
bulk silicon mems process
ultra‑wideband
SiP
transceiver
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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