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一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块被引量：14: 1; 作者王清源吴洪江 +1 位作者赵宇赵永志《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第4期300-304,336,共6页; 采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块。该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过... 展开更多; 关键词微系统微电子机械系统(mems)体硅工艺 T/R前端三维异构集成硅通孔(TSV); 在线阅读下载PDF 职称材料

基于体硅MEMS工艺的基片集成波导双工器被引量：2: 2; 作者陆宇《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期690-695,共6页; 基于体硅微电子机械系统(MEMS)工艺,采用多层基片集成波导(SIW)谐振腔的垂直堆叠耦合结构研制了一款工作在K/Ka波段的SIW双工器。实测结果表明:在K波段的接收通带内,该双工器插入损耗小于1.8 dB,带内回波损耗小于-15 dB;在Ka波段的发射... 展开更多; 关键词体硅微电子机械系统(mems) 基片集成波导(SIW) 双工器 K/Ka波段小型化; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiTime欲借硅MEMS时钟全面替代石英晶振: 3; 作者李明骏《集成电路应用》 2011年第12期30-31,共2页; 不断提高芯片集成度减少外围器件是半导体业界追求的目标,但传统晶体振荡器由于采用石英为原料一直无法与硅器件集成在一起,而全硅MEMS时钟的出现或将彻底改变这一局面。; 关键词石英晶振 mems 硅器件时钟芯片集成度晶体振荡器半导体业外围器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

MEMS微波谐振器被引量：1: 4; 作者朱健郁元卫 +1 位作者张勇贾世星《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期390-390,共1页; 关键词微波谐振器 mems 南京电子器件研究所单片集成微机械工艺硅衬底波导; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能微惯性器件单片集成技术被引量：1: 5; 作者张照云施志贵 +1 位作者张慧彭勃《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第4期622-626,共5页; 讨论了高性能微惯性器件单片集成技术。首先对单片集成MEMS技术的优势及面临的困难进行了讨论,并对目前主流的单片集成MEMS技术特点、工艺流程进行了介绍,最后,给出高性能微惯性器件单片集成技术的未来发展趋势。; 关键词微机电系统单片集成微惯性器件表面微机械加工体硅微机械加工; 在线阅读下载PDF 职称材料

深硅刻蚀实现3D集成封装被引量：1: 6; 作者 Dave Thomas 《集成电路应用》 2007年第4期52-53,共2页; Sematech在2004年提出，光靠改变互连的工艺和材料还不足以满足下一代IC的性能要求，同时预测所需的推动力可能来自于不同种类器件的混合集成。目前，各大器件制造商和封装厂都在积极研发晶圆级封装技术，以满足未来器件小型化和更多功... 展开更多; 关键词功率器件集成封装封装技术 3D结构制造商 mems 硅刻蚀通孔; 在线阅读下载PDF 职称材料

C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备: 7; 作者吴高米马晋毅 +5 位作者李尚志司美菊唐小龙蒋世义江洪敏张祖伟《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期285-289,共5页; 针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体... 展开更多; 关键词压电微机电系统(mems)器件 C波段射频滤波器横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR) 多频率高集成; 在线阅读下载PDF 职称材料

高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究被引量：3: 8; 作者朱泳闫桂珍 +1 位作者王成伟王阳元《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期113-115,共3页; 体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0～ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的D... 展开更多; 关键词高深宽比深隔离槽刻蚀技术体硅集成mems器件电隔离微电子机械系统; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI-21世纪VLSI的高端技术: 9; 作者李智群王志功《中国集成电路》 2002年第12期61-64,共4页; 概述体硅CMOS(bulk CMOS)技术在近20年获得了飞速发展,成为VLSI的主流技术。CMOS集成电路的特征尺寸正在向深亚微米发展,0.18μm; 关键词器件超大规模集成电路体硅电路主流技术短沟道效应微处理器浮体效应等比例缩小低电压凹陷沟道; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块被引量：14: 1; 作者王清源吴洪江赵宇赵永志; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第4期300-304,336,共6页; 文摘采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块。该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过焊球互连。模块最终尺寸为8 mm×8 mm×3.5 mm。装配完成后对该模块进行测试,测试结果表明,在34~36 GHz内,模块的饱和发射功率为21 dBm,单通道发射增益达到21 dB,接收增益为23 dB,接收噪声系数小于3.5 dB,同时具备6 bit数控移相和5 bit数控衰减等功能。该模块在4个通道高密度集成的基础上实现了较高的性能。; 关键词微系统微电子机械系统(mems)体硅工艺 T/R前端三维异构集成硅通孔(TSV); Keywords microsystem bulk silicon micro-electromechanical system(mems)technology T/R front-end 3D heterogeneous integration through silicon via(TSV); 分类号 TN838 [电子电信—信息与通信工程] TN851 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于体硅MEMS工艺的基片集成波导双工器被引量：2: 2; 作者陆宇; 机构中国电子科技集团公司第十研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期690-695,共6页; 文摘基于体硅微电子机械系统(MEMS)工艺,采用多层基片集成波导(SIW)谐振腔的垂直堆叠耦合结构研制了一款工作在K/Ka波段的SIW双工器。实测结果表明:在K波段的接收通带内,该双工器插入损耗小于1.8 dB,带内回波损耗小于-15 dB;在Ka波段的发射通带内,其插入损耗小于2 dB,带内回波损耗小于-12 dB;收/发隔离度大于50 dB,实测结果与仿真结果较吻合。该体硅MEMS SIW双工器体积仅为5.8 mm×4.4 mm×1.0 mm,在满足性能指标要求的同时实现了小型化且易于与微波、毫米波系统集成。该双工器的收/发输入、输出端口为异面结构,能够实现收/发信号的全双工垂直传输,符合目前瓦片式相控阵天线中信号的传输特点,具有良好的应用前景。; 关键词体硅微电子机械系统(mems) 基片集成波导(SIW) 双工器 K/Ka波段小型化; Keywords bulk silicon micro-electromechanical system(mems) substrate integrated waveguide(SIW) duplexer K/Ka band miniaturization; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiTime欲借硅MEMS时钟全面替代石英晶振: 3; 作者李明骏; 出处《集成电路应用》 2011年第12期30-31,共2页; 文摘不断提高芯片集成度减少外围器件是半导体业界追求的目标,但传统晶体振荡器由于采用石英为原料一直无法与硅器件集成在一起,而全硅MEMS时钟的出现或将彻底改变这一局面。; 关键词石英晶振 mems 硅器件时钟芯片集成度晶体振荡器半导体业外围器件; 分类号 TH-39 [机械工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MEMS微波谐振器被引量：1: 4; 作者朱健郁元卫张勇贾世星; 机构南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期390-390,共1页; 关键词微波谐振器 mems 南京电子器件研究所单片集成微机械工艺硅衬底波导; 分类号 TN957.3 [电子电信—信号与信息处理] TH-39 [机械工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能微惯性器件单片集成技术被引量：1: 5; 作者张照云施志贵张慧彭勃; 机构中国工程物理研究院电子工程研究所中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室; 出处《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第4期622-626,共5页; 基金中国工程物理研究院科学技术发展基金重点课题(20111A0403017); 文摘讨论了高性能微惯性器件单片集成技术。首先对单片集成MEMS技术的优势及面临的困难进行了讨论,并对目前主流的单片集成MEMS技术特点、工艺流程进行了介绍,最后,给出高性能微惯性器件单片集成技术的未来发展趋势。; 关键词微机电系统单片集成微惯性器件表面微机械加工体硅微机械加工; Keywords Micro-Electro-Mechanical Systems(mems) monolithic integration micro-inertial devices surface micromachining bulk micromachining; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深硅刻蚀实现3D集成封装被引量：1: 6; 作者 Dave Thomas; 机构 Aviza Technology Inc.; 出处《集成电路应用》 2007年第4期52-53,共2页; 文摘 Sematech在2004年提出，光靠改变互连的工艺和材料还不足以满足下一代IC的性能要求，同时预测所需的推动力可能来自于不同种类器件的混合集成。目前，各大器件制造商和封装厂都在积极研发晶圆级封装技术，以满足未来器件小型化和更多功能的要求。; 关键词功率器件集成封装封装技术 3D结构制造商 mems 硅刻蚀通孔; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备: 7; 作者吴高米马晋毅李尚志司美菊唐小龙蒋世义江洪敏张祖伟; 机构中国电子科技集团公司第二十四研究所中电科芯片技术(集团)有限公司国知创芯(重庆)科技有限公司; 出处《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期285-289,共5页; 基金重庆市博士后科学基金资助项目(CSTB2023NSCQ-BHX0030)。; 文摘针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)的结构设计、参数优化和制备方法,并进行了工艺验证。通过剥离和刻蚀等步骤制备了谐振频率4.464 GHz、品质因数3039、品质因数与频率之积(f×Q)达到1.56×10^(13)GHz、面积小于0.12 mm^(2)的低杂波XBAR谐振器,并仿真分析了其用于射频滤波器的可行性。该研究为进一步研制多频率、高集成的小型化XBAR滤波器组件提供了有效的设计技术和工艺技术支撑。; 关键词压电微机电系统(mems)器件 C波段射频滤波器横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR) 多频率高集成; Keywords piezoelectric micro-electro-mechanical systems device C-band radio-frequency filter laterally excited bulk acoustic resonator multi-frequency high-integration; 分类号 TN384 [电子电信—物理电子学] TN65 [电子电信—电路与系统] TN713 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究被引量：3: 8; 作者朱泳闫桂珍王成伟王阳元; 机构北京大学微电子学研究院; 出处《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期113-115,共3页; 文摘体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容 ,所以形成高深宽比的深隔离槽 (宽约 3μm ,深 2 0～ 10 0μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的DRIE (DeepReactiveIonEtching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术 ,形成了高深宽比的深电隔离槽 (宽 3.6 μm ,深 85μm)。还提出了一种改变深槽形状的方法 ,使深槽的开口变大 ,以利于多晶硅的填充。; 关键词高深宽比深隔离槽刻蚀技术体硅集成mems器件电隔离微电子机械系统; Keywords bulk silicon mems electrical isolation DRIE; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI-21世纪VLSI的高端技术: 9; 作者李智群王志功; 机构东南大学射频与光电集成电路研究所; 出处《中国集成电路》 2002年第12期61-64,共4页; 文摘概述体硅CMOS(bulk CMOS)技术在近20年获得了飞速发展,成为VLSI的主流技术。CMOS集成电路的特征尺寸正在向深亚微米发展,0.18μm; 关键词器件超大规模集成电路体硅电路主流技术短沟道效应微处理器浮体效应等比例缩小低电压凹陷沟道; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块	王清源吴洪江赵宇赵永志	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	14	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于体硅MEMS工艺的基片集成波导双工器	陆宇	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	SiTime欲借硅MEMS时钟全面替代石英晶振	李明骏	《集成电路应用》	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	MEMS微波谐振器	朱健郁元卫张勇贾世星	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高性能微惯性器件单片集成技术	张照云施志贵张慧彭勃	《太赫兹科学与电子信息学报》	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	深硅刻蚀实现3D集成封装	Dave Thomas	《集成电路应用》	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备	吴高米马晋毅李尚志司美菊唐小龙蒋世义江洪敏张祖伟	《压电与声光》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究	朱泳闫桂珍王成伟王阳元	《微纳电子技术》 CAS	2003	3	在线阅读下载PDF 职称材料
9	SOI-21世纪VLSI的高端技术	李智群王志功	《中国集成电路》	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料