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带自适应体偏置的宽带LC VCO自动幅度控制策略
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作者 周功孩 曾亦可 +1 位作者 张科峰 赵阳 《现代电子技术》 2012年第20期169-172,共4页
为了优化宽带LC型压控振荡器(LC VCOs)相位噪声性能,提出一种自动幅度控制策略。该策略结合了自适应体偏置和数字校准。当VCO开始工作时,自适应体偏置技术使VCO在不同的工艺角、电压和温度(PVT)情况下快速起振。当谐振频率变化时,在自... 为了优化宽带LC型压控振荡器(LC VCOs)相位噪声性能,提出一种自动幅度控制策略。该策略结合了自适应体偏置和数字校准。当VCO开始工作时,自适应体偏置技术使VCO在不同的工艺角、电压和温度(PVT)情况下快速起振。当谐振频率变化时,在自适应体偏置和数字校准的作用下,VCO的谐振幅度被控制在最优值附近,达到优化相位噪声的目的。在TSMC 0.18μm CMOS工艺中,覆盖频率范围为1.6~3.2GHz的宽带LC VCO用来验证该幅度控制策略的可行性。基于SpectreRF的仿真结果表明LC VCO的幅度变化率降低90%,且在3.2GHz谐振频率,10kHz频率偏移处的相位噪声改善8.2dB。 展开更多
关键词 宽带LCVCO 自适应体偏置 数字幅度校准 相位噪声
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某大长宽比及大高宽比的筒体偏置高层结构设计 被引量:1
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作者 吴珊 黄卓 宋徽 《山西建筑》 2023年第16期51-55,共5页
由于大高宽比、大长宽比、筒体偏置高层建筑结构和传统高宽比、长宽比的筒体结构受力特点不同,主要表现在两轴刚度差异较大、偏置墙体受拉等。首先对筒体与框架连接区域的楼板结构形式的方案进行比选,对比结果显示:梁板结构比厚板结构... 由于大高宽比、大长宽比、筒体偏置高层建筑结构和传统高宽比、长宽比的筒体结构受力特点不同,主要表现在两轴刚度差异较大、偏置墙体受拉等。首先对筒体与框架连接区域的楼板结构形式的方案进行比选,对比结果显示:梁板结构比厚板结构对提高刚度的效果更明显。结构设计时,通过加强底部加强区及以上部分重要墙体配筋,加强楼板薄弱相关部分配筋,结构主要指标、墙体偏拉、楼板应力、损伤等均能满足相关的规范要求,并满足既定的性能目标。 展开更多
关键词 高层建筑 大高宽比 体偏置 墙肢偏拉 楼板应力分析 弹塑性分析
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偏置筒体的抗扭转性能分析与设计
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作者 杨杰 《工程建设与设计》 2014年第4期37-41,45,共6页
偏置筒体结构由于其相对偏心距较大,其扭转振动效应一般较大,容易成为结构设计的控制因素。论文对偏置筒体进行弹塑性扭转振动效应分析,提出了采用PERFORM-3D对偏置筒体结构弹塑性扭转振动效应的敛散性补充分析的基本方法,并在此基础上... 偏置筒体结构由于其相对偏心距较大,其扭转振动效应一般较大,容易成为结构设计的控制因素。论文对偏置筒体进行弹塑性扭转振动效应分析,提出了采用PERFORM-3D对偏置筒体结构弹塑性扭转振动效应的敛散性补充分析的基本方法,并在此基础上,结合工程实例给出了关于偏置筒体抗扭转设计的一些建议。 展开更多
关键词 偏置结构 弹塑性 扭转振动效应 敛散性
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偏置筒体—大跨度框架结构体系设计实例
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作者 陈颖 李东存 张元坤 《广东土木与建筑》 2006年第5期3-5,共3页
常规的混凝土筒体—框架结构筒体均为居中布置,当使用上需要将筒体偏于一侧布置且框架跨度又较大时,设计中就要针对规范的定量计算要求采取一定的结构措施,才能在抗震设防区实现这种结构体系。
关键词 偏置 大跨度框架 高裙梁 预应力 钢管芯柱
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基于高摆率误差放大器的低功耗LDO设计 被引量:1
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作者 吴为清 黄继伟 《微电子学与计算机》 2023年第12期81-86,共6页
本文设计了一种具有低静态电流的低压差线性稳压器(LDO).针对传统LDO在低静态电流下瞬态响应不足的问题,电路中的误差放大器采用两个共栅差分跨导单元交叉耦合连接进行设计,提高其压摆率;利用体偏置运放改变功率管的阈值电压实现功率管... 本文设计了一种具有低静态电流的低压差线性稳压器(LDO).针对传统LDO在低静态电流下瞬态响应不足的问题,电路中的误差放大器采用两个共栅差分跨导单元交叉耦合连接进行设计,提高其压摆率;利用体偏置运放改变功率管的阈值电压实现功率管在不同负载的快速切换;同时采用动态偏置对电路进行偏置减少过欠冲值.电路采用台积电(TSMC)0.18µm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行设计,版图核心面积为220µm×140µm.仿真结果表明,该LDO在最小负载电流与最大负载电容的组合下相位裕度达到100度,消耗的静态电流仅为849 nA.当负载电流在500 ns时间内从100µA到100 mA进行切换时,电路表现出良好的瞬态响应,其中过冲电压为220 mV,欠冲电压为225 mV.经过计算,品质因数(FOM)值为0.198 mV. 展开更多
关键词 共栅差分跨导单元 低压差线性稳压器 体偏置运放 动态偏置 低静态电流 FOM
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基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计
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作者 韦俞鸿 黄冰 +2 位作者 孙晓玮 张润曦 张健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期262-267,273,共7页
提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,... 提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,利用负体偏置技术提高了开关在毫米波波段的性能。设计的单刀双掷开关芯片核心面积为0.35mm×0.16mm。测量结果显示全频段单刀双掷开关在DC^94GHz的插入损耗小于4dB,隔离度大于24dB,而Ka波段通带单刀双掷开关在25~45GHz的插入损耗为2.5~3.2dB,隔离度大于19dB。 展开更多
关键词 单刀双掷开关 超宽带 45nm绝缘上硅 体偏置
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面向生物电信号提取的超低功耗自举采样开关 被引量:2
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作者 李娜 段文娟 +3 位作者 张伟哲 刘鑫芳 孟庆端 刘博 《电子器件》 CAS 北大核心 2021年第5期1066-1071,共6页
为有效提取低频、微弱、易受干扰的人体生理信号,可穿戴和医疗植入式ASIC电极中的ADC需搭载低功耗、高输出线性的栅压自举采样开关,其性能直接影响生物界面上本征信号的完整性和提取精度。本研究采用65 nm/0.6 V CMOS工艺,设计了一种适... 为有效提取低频、微弱、易受干扰的人体生理信号,可穿戴和医疗植入式ASIC电极中的ADC需搭载低功耗、高输出线性的栅压自举采样开关,其性能直接影响生物界面上本征信号的完整性和提取精度。本研究采用65 nm/0.6 V CMOS工艺,设计了一种适配该应用的栅压自举采样开关。通过附加"虚拟管"抑制电荷注入效应提升采样精度,通过增设"动态体偏置模块"和"体偏置切换控制模块",抑制阈值波动,稳定输出线性度。考虑人体生物电信号的低幅度和低频特性,分别对峰值0.6 V的信频上限10 kHz和低频100 Hz的模拟生理电信号以10 Msample/s的采样频率进行高速采样仿真分析。结果显示:在高频10 kHz消耗功耗587.3 nW,有效采样位数达8.9 bit,获得非杂散动态范围62.02 dB;当信频降为100 Hz,功耗降至6 nW,有效位数6.33 bit,非杂散动态范围可提升至78.19 dB。Cadence仿真结果表明,设计的自举开关性能可较好地满足人体生物电信号的采样需求。 展开更多
关键词 模拟生物电信号 自举采样开关 高线性 低功耗 动态体偏置
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线性化的X波段CMOS低功耗高效率功放
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作者 刘江帆 朱华 +4 位作者 曹诚 夏青 王哲 李昱冰 李秀萍 《移动通信》 2019年第2期71-73,共3页
设计了一个X波段的高效率高线性度的宽带功率放大器。应用并联共源共栅结构减小三阶交调和三次谐波分量。应用体偏置技术,提高了功放的功率附加效率,降低了功耗。结合反馈技术,输入端采用双谐振网络,拓展了带宽。仿真结果表明,该功率放... 设计了一个X波段的高效率高线性度的宽带功率放大器。应用并联共源共栅结构减小三阶交调和三次谐波分量。应用体偏置技术,提高了功放的功率附加效率,降低了功耗。结合反馈技术,输入端采用双谐振网络,拓展了带宽。仿真结果表明,该功率放大器具有33%的相对带宽,14.5dBm的饱和输出功率,PAE_(max)达到45%,输入三阶交调点为6 dBm,同时功耗仅为28.5 mW。 展开更多
关键词 功率放大器 并联共源共栅 双谐振 体偏置
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全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介 被引量:1
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作者 赵晓松 顾祥 +2 位作者 张庆东 吴建伟 洪根深 《电子与封装》 2022年第6期77-85,共9页
随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon on Insulator,FD... 随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon on Insulator,FDSOI)技术被进一步研发和产品化。对FDSOI技术的特点和生态环境进行了总结。FDSOI利用体偏置平衡功耗与性能,采用应力优化提高迁移率,通过减薄硅膜厚度抑制短沟道效应并减小寄生电容,因此被应用到低功耗处理器、低噪声放大器、嵌入式存储器等低功耗产品。FDSOI具有巨大的市场潜力,将成为半导体技术一个重要的发展方向。 展开更多
关键词 全耗尽绝缘层上硅 超薄埋氧 体偏置
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上海绿地浦创国际广场超限高层建筑结构设计
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作者 薛永林 《城市建筑》 2016年第6期-,共2页
上海绿地浦创国际广场塔楼为超限高层,结构形式为框架-核心筒.塔楼一层大堂和楼电梯间前室全挑空,且筒体偏置,结构扭转不利.本文重点探讨了结构布置、构造措施、整体计算等方面,并进行了多遇地震下的弹性时程分析及罕遇地震下的静力弹... 上海绿地浦创国际广场塔楼为超限高层,结构形式为框架-核心筒.塔楼一层大堂和楼电梯间前室全挑空,且筒体偏置,结构扭转不利.本文重点探讨了结构布置、构造措施、整体计算等方面,并进行了多遇地震下的弹性时程分析及罕遇地震下的静力弹塑性分析.结果表明,各项指标均满足规范要求. 展开更多
关键词 超限高层 大堂及前室挑空 体偏置 弹性时程分析 静力弹塑性分析
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一种用于5G移动通信基站的大功率射频开关 被引量:1
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作者 谷江 丁理想 +2 位作者 高博 张晓朋 李沛鸣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期128-132,162,共6页
基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关。提出了一种体区自适应偏置技术,无需偏置电阻对开关管体区进行偏置。采用并联电容补偿技术优化最大输入功率,在长期演进(LTE)9 dB峰均... 基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关。提出了一种体区自适应偏置技术,无需偏置电阻对开关管体区进行偏置。采用并联电容补偿技术优化最大输入功率,在长期演进(LTE)9 dB峰均比(PAR)信号输入下,发射通道平均承受功率可达20 W。在3.5 GHz芯片发射通道的插入损耗为0.49 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为47 dBm,隔离度为38 dB。在3.5 GHz芯片接收通道的插入损耗为0.43 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为31 dBm,隔离度为38 dB。该射频开关芯片适用于5G移动通信LTE基站。 展开更多
关键词 射频开关 绝缘上硅(SOI) 5G移动通信 基站 区自适应偏置
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Influence of void space on microscopic behavior of fluid flow in rock joints 被引量:3
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作者 Zhang Zhenyu Jan Nemcik +1 位作者 Ren Ting Zhang Jun 《International Journal of Mining Science and Technology》 SCIE EI 2014年第3期335-340,共6页
Advanced microfluidic technology was used to examine the microscopic viscous and inertial effects evolution of water flow in rock joints. The influence of void space on fluid flow behaviour in rock joints under differ... Advanced microfluidic technology was used to examine the microscopic viscous and inertial effects evolution of water flow in rock joints. The influence of void space on fluid flow behaviour in rock joints under different flow velocities was experimentally investigated at the micro scale. Using advanced fabrication technology of microfluidic device, micro flow channels of semicircular, triangular, rectangular and pentagonal cavities were fabricated to simulate different void space of rock joints, respectively. Using the fluorescence labelling approach, the trajectory of water flow was captured by the microscope digital camera when it passed over the cavity under different flow velocities. The flow tests show that the flow trajectory deviated towards the inside of the cavity at low flow velocities. With the increase in flow velocity, this degree of flow trajectory deviation decreased until there was no trajectory deviation for flow in the straight parallel channel. The flow trajectory deviation initially reduced from the void corner near the entrance. At the same time, a small eddy appeared near the void corner of the entrance. The size and intensity of the eddy increased with the flow velocity until it occupied the whole cavity domain. The gradual reduction of flow trajectory near the straight parallel channel and the growth of eddy inside the cavity reflect the evolution of microscopic viscous and inertial forces under different flow velocities.The eddy formed inside the cavity does not contribute to the total flow flux, but the running of the eddy consumes flow energy. This amount of pressure loss due to voids could contribute to the nonlinear deviation of fracture fluid flow from Darcy's law. This study contributes to the fundamental understanding of non-Darcy's flow occurrence in rock joints at the micro scale. 展开更多
关键词 Water flow Void space Joint flow Electron microscopy
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