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碳化硅MOSFET的高温栅偏特性
1
作者
崔江
王景霖
+1 位作者
陈一凡
林华
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第11期915-920,共6页
针对碳化硅(SiC)MOSFET存在的栅氧可靠性问题,对其展开高温栅偏(HTGB)试验研究。以阈值电压(V_(TH))和体二极管通态压降(V_(SD))作为特征参数,设计搭建应力及测试试验平台,研究SiC MOSFET在高温栅偏应力下的特征参数退化特性,并对短期...
针对碳化硅(SiC)MOSFET存在的栅氧可靠性问题,对其展开高温栅偏(HTGB)试验研究。以阈值电压(V_(TH))和体二极管通态压降(V_(SD))作为特征参数,设计搭建应力及测试试验平台,研究SiC MOSFET在高温栅偏应力下的特征参数退化特性,并对短期恢复下特征参数的不稳定现象以及长期恢复对特征参数的影响进行了分析。试验结果表明,SiC MOSFET的VTH和VSD均受负向和正向高温栅偏的影响,并能够产生相反方向的参数漂移。撤去应力后存在恢复现象,使电参数受可恢复部分偏移量的影响具有不稳定性,且经过长期室温储存后仍存在进一步的恢复。
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关键词
碳化硅(SiC)MOSFET
高温栅偏(HTGB)
阈值电
压
体二极管通态压降
恢复现象
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职称材料
题名
碳化硅MOSFET的高温栅偏特性
1
作者
崔江
王景霖
陈一凡
林华
机构
南京航空航天大学自动化学院
航空工业上海航空测控技术研究所
故障诊断与健康管理技术航空科技重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第11期915-920,共6页
基金
航空科学基金资助项目(201933052001)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NS2021021)。
文摘
针对碳化硅(SiC)MOSFET存在的栅氧可靠性问题,对其展开高温栅偏(HTGB)试验研究。以阈值电压(V_(TH))和体二极管通态压降(V_(SD))作为特征参数,设计搭建应力及测试试验平台,研究SiC MOSFET在高温栅偏应力下的特征参数退化特性,并对短期恢复下特征参数的不稳定现象以及长期恢复对特征参数的影响进行了分析。试验结果表明,SiC MOSFET的VTH和VSD均受负向和正向高温栅偏的影响,并能够产生相反方向的参数漂移。撤去应力后存在恢复现象,使电参数受可恢复部分偏移量的影响具有不稳定性,且经过长期室温储存后仍存在进一步的恢复。
关键词
碳化硅(SiC)MOSFET
高温栅偏(HTGB)
阈值电
压
体二极管通态压降
恢复现象
Keywords
SiC MOSFET
high-temperature gate bias(HTGB)
threshold voltage
on-state voltage drop of the body diode
recovery phenomenon
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
碳化硅MOSFET的高温栅偏特性
崔江
王景霖
陈一凡
林华
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
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