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La掺杂对(In_(0.5)Nb_(0.5))_(0.10)Ti_(0.90)O_(2)陶瓷微观结构和介电性能的影响
1
作者
张翠玲
陈建宾
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期182-187,共6页
In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过...
In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过程中的能耗。结果表明,La掺杂减小了INTO陶瓷的晶粒尺寸,增加了陶瓷中晶界的数量,并且陶瓷中析出LaNbTiO_(6)二次相,在陶瓷晶粒之间形成高阻态的相界,降低陶瓷的低频介电损耗,优化了陶瓷介电常数的频率稳定性。
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关键词
共掺杂TiO_(2)陶瓷
内阻挡层电容效应
低频介电损耗
晶界数量
相界
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题名
La掺杂对(In_(0.5)Nb_(0.5))_(0.10)Ti_(0.90)O_(2)陶瓷微观结构和介电性能的影响
1
作者
张翠玲
陈建宾
机构
太原理工大学物理学院
出处
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期182-187,共6页
基金
山西省回国留学人员科研资助项目(2021-031)。
文摘
In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过程中的能耗。结果表明,La掺杂减小了INTO陶瓷的晶粒尺寸,增加了陶瓷中晶界的数量,并且陶瓷中析出LaNbTiO_(6)二次相,在陶瓷晶粒之间形成高阻态的相界,降低陶瓷的低频介电损耗,优化了陶瓷介电常数的频率稳定性。
关键词
共掺杂TiO_(2)陶瓷
内阻挡层电容效应
低频介电损耗
晶界数量
相界
Keywords
co-doped TiO_(2)ceramics
internal barrier layer capacitance effect
low frequency dielectric loss
number of grain boundaries
phase boundary
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
La掺杂对(In_(0.5)Nb_(0.5))_(0.10)Ti_(0.90)O_(2)陶瓷微观结构和介电性能的影响
张翠玲
陈建宾
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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