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低阻硅TSV与铜填充TSV热力学特性对比分析
被引量：
2
1
作者
邓小英
于思齐
+1 位作者
王士伟
谢奕
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期1109-1113,共5页
对低阻硅TSV以及铜填充TSV的热力学性能通过有限元仿真的方法进行对比分析.低阻硅TSV在绝缘层上方以及低阻硅柱上方的铝层区域中凸起最为显著,且高度分别为82 nm和76 nm;铜填充TSV的凸起位置主要集中在通孔中心铜柱的上方,最大值为150 ...
对低阻硅TSV以及铜填充TSV的热力学性能通过有限元仿真的方法进行对比分析.低阻硅TSV在绝缘层上方以及低阻硅柱上方的铝层区域中凸起最为显著,且高度分别为82 nm和76 nm;铜填充TSV的凸起位置主要集中在通孔中心铜柱的上方,最大值为150 nm.应力方面,低阻硅TSV在绝缘层两侧的应力最大,且最大值为1005 MPa;铜填充TSV在中心铜柱外侧应力最大,且最大值为1227 MPa.另外,两种结构TSV的界面应力都在靠近TSV两端时最大.低阻硅TSV界面应力没有超过400 MPa,而铜填充TSV在靠近其两端时界面应力已经超过800 MPa.综上所述,相比于铜填充TSV,低阻硅TSV具有更高的热力学可靠性.
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关键词
低阻硅tsv
铜填充
tsv
凸起
应力
热力学性能
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职称材料
题名
低阻硅TSV与铜填充TSV热力学特性对比分析
被引量：
2
1
作者
邓小英
于思齐
王士伟
谢奕
机构
北京理工大学信息与电子学院
北京理工大学光电学院
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期1109-1113,共5页
基金
国家自然科研基金资助项目(61404008,61574016)
111引智计划项目(B14010)
北京理工大学基础研究基金项目(20130542015)。
文摘
对低阻硅TSV以及铜填充TSV的热力学性能通过有限元仿真的方法进行对比分析.低阻硅TSV在绝缘层上方以及低阻硅柱上方的铝层区域中凸起最为显著,且高度分别为82 nm和76 nm;铜填充TSV的凸起位置主要集中在通孔中心铜柱的上方,最大值为150 nm.应力方面,低阻硅TSV在绝缘层两侧的应力最大,且最大值为1005 MPa;铜填充TSV在中心铜柱外侧应力最大,且最大值为1227 MPa.另外,两种结构TSV的界面应力都在靠近TSV两端时最大.低阻硅TSV界面应力没有超过400 MPa,而铜填充TSV在靠近其两端时界面应力已经超过800 MPa.综上所述,相比于铜填充TSV,低阻硅TSV具有更高的热力学可靠性.
关键词
低阻硅tsv
铜填充
tsv
凸起
应力
热力学性能
Keywords
LRS-
tsv
copper-filled
tsv
protrusion
stress
thermal mechanical reliability
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低阻硅TSV与铜填充TSV热力学特性对比分析
邓小英
于思齐
王士伟
谢奕
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
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