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四甲基硅氧烷制备SiO_(x)低表面能薄膜
被引量：
2
1
作者
周美丽
陈强
+1 位作者
岳蕾
葛袁静
《包装工程》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期68-70,共3页
采用13.56MHz的射频等离子体聚合装置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表面能薄膜。在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电方式、工作压强、放...
采用13.56MHz的射频等离子体聚合装置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表面能薄膜。在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电方式、工作压强、放电功率、沉积时间、氩气和TMDSO单体的比例等参数,研究氧化硅薄膜的沉积速率;通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)等分析了沉积膜的化学组成和结合状态;利用接触角测定仪测量薄膜的接触角,从而计算薄膜的表面能,最终从结构分析上研究影响S iO2薄膜低表面能内在因素。
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关键词
PECVD
四甲基二硅氧烷
低表面能薄膜
SIOX
薄膜
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职称材料
题名
四甲基硅氧烷制备SiO_(x)低表面能薄膜
被引量：
2
1
作者
周美丽
陈强
岳蕾
葛袁静
机构
北京印刷学院等离子体物理及材料研究室
出处
《包装工程》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期68-70,共3页
基金
北京印刷学院大学生研究计划基金资助
文摘
采用13.56MHz的射频等离子体聚合装置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表面能薄膜。在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电方式、工作压强、放电功率、沉积时间、氩气和TMDSO单体的比例等参数,研究氧化硅薄膜的沉积速率;通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)等分析了沉积膜的化学组成和结合状态;利用接触角测定仪测量薄膜的接触角,从而计算薄膜的表面能,最终从结构分析上研究影响S iO2薄膜低表面能内在因素。
关键词
PECVD
四甲基二硅氧烷
低表面能薄膜
SIOX
薄膜
Keywords
PECVD
tetramethyldisiloxane
low surface energy film
SiO, film
分类号
TQ325 [化学工程—合成树脂塑料工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
四甲基硅氧烷制备SiO_(x)低表面能薄膜
周美丽
陈强
岳蕾
葛袁静
《包装工程》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
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