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高压SiC器件电流互感器型取能装置耦合电容特性和抑制研究
被引量：
1
1
作者
潘建宇
唐海博
+2 位作者
姜怡
付孝杰
闫升
《电工技术学报》
北大核心
2025年第3期800-811,共12页
高压碳化硅(SiC)器件驱动电路的隔离电源面临更高的dv/dt冲击,极易引起强共模干扰而导致器件失效。高频电流互感器(HCT)型取能是一种新型高压SiC器件隔离取能方法,但是其耦合电容与结构参量关联特性不清,难以有效提升抗dv/dt性能和实现...
高压碳化硅(SiC)器件驱动电路的隔离电源面临更高的dv/dt冲击,极易引起强共模干扰而导致器件失效。高频电流互感器(HCT)型取能是一种新型高压SiC器件隔离取能方法,但是其耦合电容与结构参量关联特性不清,难以有效提升抗dv/dt性能和实现小型化。该文首先,构建了HCT型隔离取能结构的三维仿真模型,系统地探究了其关键结构参量(隔离距离、偏心位置、绕组绕制方式、匝数等)对耦合电容的影响特性;然后,提出了HCT型取能结构多参量影响下的耦合电容优化方法,同等体积下达到耦合电容最小;最后,通过实验验证了所述方法和所研装置的有效性。结果表明,仅通过调整HCT型隔离取能结构穿心位置可降低约20%的耦合电容,所研取能装置隔离容值仅为0.74pF,比传统设计和同类商业产品分别降低了55%和70%,最大无局部放电电压达到15.5 kV。
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关键词
高压SiC器件
隔离取能装置
低耦合电容
电流互感器
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职称材料
题名
高压SiC器件电流互感器型取能装置耦合电容特性和抑制研究
被引量：
1
1
作者
潘建宇
唐海博
姜怡
付孝杰
闫升
机构
输变电装备技术全国重点实验室(重庆大学)
国家储能技术产教融合创新平台(重庆大学)
出处
《电工技术学报》
北大核心
2025年第3期800-811,共12页
基金
国家高层次青年人才项目(HW2021005)
重庆市自然科学基金面上项目(cstc2021jcyj-msxmX0871)资助。
文摘
高压碳化硅(SiC)器件驱动电路的隔离电源面临更高的dv/dt冲击,极易引起强共模干扰而导致器件失效。高频电流互感器(HCT)型取能是一种新型高压SiC器件隔离取能方法,但是其耦合电容与结构参量关联特性不清,难以有效提升抗dv/dt性能和实现小型化。该文首先,构建了HCT型隔离取能结构的三维仿真模型,系统地探究了其关键结构参量(隔离距离、偏心位置、绕组绕制方式、匝数等)对耦合电容的影响特性;然后,提出了HCT型取能结构多参量影响下的耦合电容优化方法,同等体积下达到耦合电容最小;最后,通过实验验证了所述方法和所研装置的有效性。结果表明,仅通过调整HCT型隔离取能结构穿心位置可降低约20%的耦合电容,所研取能装置隔离容值仅为0.74pF,比传统设计和同类商业产品分别降低了55%和70%,最大无局部放电电压达到15.5 kV。
关键词
高压SiC器件
隔离取能装置
低耦合电容
电流互感器
Keywords
High-voltagc SiC switch
isolatcd powcr supply
low coupling capacitance
current transformer
分类号
TM452 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高压SiC器件电流互感器型取能装置耦合电容特性和抑制研究
潘建宇
唐海博
姜怡
付孝杰
闫升
《电工技术学报》
北大核心
2025
1
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