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低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证
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作者 王文娟 李雪 +5 位作者 陆卫 龚海梅 朱海军 丁瑞军 韩勤 王涛 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期766-768,共3页
面向国家"战略性先进电子材料"的发展目标,以国家重大战略需求,如全球气候观测、农林普查、国土资源探测、环境监测、深空探测和天文观测等领域的技术发展中面临的光探测器瓶颈问题为突破口,瞄准半导体材料及其光探测器正在... 面向国家"战略性先进电子材料"的发展目标,以国家重大战略需求,如全球气候观测、农林普查、国土资源探测、环境监测、深空探测和天文观测等领域的技术发展中面临的光探测器瓶颈问题为突破口,瞄准半导体材料及其光探测器正在朝全光谱覆盖、大面阵、高灵敏等方向快速发展的国际态势,开展低维半导体异质结构材料与光电器件研究,发展该体系材料人工设计精细调控的关键技术,推动多波段多种类型的光电探测器技术进步,促进我国经济、社会、国家安全及科学技术的发展. 展开更多
关键词 低维半导体 异质结构 光电探测材料 光电探测器
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超快速激光光谱学技术在晶态半导体低维材料中的应用
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作者 刘达 黄旭光 余振新 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期11-16,共6页
本文结合作者近年来的工作,评述了用超快速激光光谱学技术对晶态半导体低维材料研究的进展,分别讨论了用超快光谱研究晶态半导体低维材料中载流子各种非平衡过程的优势和原理,提出了需要进一步探讨的方面。
关键词 半导体材料 激光光谱学 载流子
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半导体超晶格属性的高分辨率X射线衍射研究 被引量:3
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作者 张党卫 张景文 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1007-1011,共5页
详细阐述了低维半导体材料的X射线衍射的动力学理论和运动学理论 从高木 陶平 (T T)方程出发 ,基于波动光学原理 ,推导出任意结构的多层膜的X射线衍射振幅的递推关系式 并编写X射线衍射的程序 ,分别用动力学和运动学衍射理论模型模拟... 详细阐述了低维半导体材料的X射线衍射的动力学理论和运动学理论 从高木 陶平 (T T)方程出发 ,基于波动光学原理 ,推导出任意结构的多层膜的X射线衍射振幅的递推关系式 并编写X射线衍射的程序 ,分别用动力学和运动学衍射理论模型模拟了 2 0层GaAlAs/GaAs超晶格的X射线衍射结果 。 展开更多
关键词 X射线衍射 低维半导体 超晶格 动力学理论 运动学理论 计算机模拟
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二维过渡金属硫族化合物中激子-极化激元的研究进展(特邀) 被引量:1
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作者 徐哲元 蒋英 潘安练 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期122-139,共18页
二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-... 二维过渡金属硫族化合物的直接带隙、大跃迁偶极矩、强激子结合能、可范德华集成和谷极化特性,使其在激子-极化激元研究与应用中显示出巨大潜力。当激发粒子密度达到一定程度时,激子-极化激元可通过受激散射凝聚成单个宏观量子态(玻色-爱因斯坦凝聚态),它们不受粒子数反转的限制,可实现超低阈值激光。同时结合其谷极化特性,可为强耦合状态的谷电子学应用如光自旋开关和谷极化双稳态器件等提供潜在应用。分别对二维过渡金属硫族化合物中的激子-极化激元、谷极化激子-极化激元和激子-极化激元的玻色爱因斯坦凝聚的研究进展进行了系统综述,最后总结分析了未来实现二维激子-极化激元激光需解决的关键科学问题并对其发展进行了展望。 展开更多
关键词 低维半导体光与物质相互作用 激子-极化激元 过渡金属硫族化合物 谷电子学 玻色-爱因斯坦凝聚
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柱形量子线中极化子的电子与LO声子之间相互作用能 被引量:14
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作者 丁朝华 肖景林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期501-504,共4页
采用变分法,研究了柱形量子线中在考虑电子与LO声子相互作用的情况下,极化子在基态时系统的能量以及电子 LO声子之间的相互作用能。数值计算结果表明:随着柱形量子线截面半径的减小,基态能量和电子 LO声子相互作用能的绝对值都增大。
关键词 量子线 极化子 变分法 基态能量 低维半导体材料 电子-LO声子耦合 相互作用能
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SiC纳米晶须的光致发光研究 被引量:3
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作者 张洪涛 徐重阳 +1 位作者 许辉 朱长虹 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期66-70,共5页
纳米碳化硅晶须作为一维半导体 ,其光学性质一直受到关注。研究结果显示 ,在Ar+ 激光 ( 51 4 5nm)激发下 ,纳米碳化硅晶须室温下发出极其强烈的红光 ,这种发光导致喇曼光散射消失 ,瑞利弹性散射极度减弱。由于低维半导体的体表面大 ,... 纳米碳化硅晶须作为一维半导体 ,其光学性质一直受到关注。研究结果显示 ,在Ar+ 激光 ( 51 4 5nm)激发下 ,纳米碳化硅晶须室温下发出极其强烈的红光 ,这种发光导致喇曼光散射消失 ,瑞利弹性散射极度减弱。由于低维半导体的体表面大 ,对称平移受到一定程度的破坏 ,应该产生大量的缺陷 ,其发光也应该是表面发光或缺陷发光。但分析表明这可能是低维半导体碳化硅室温下首次发现的极其稳定的强束缚激子或表面发光现象。对其发光机制给予讨论。并且探讨了合适条件下出现喇曼受激辐射 ,初步认为喇曼散射截面的增大会促进喇曼受激辐射的产生。 展开更多
关键词 SiC纳米晶须 低维半导体 光致发光 喇曼散射 Ar^+激光 碳化硅
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(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减
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作者 张振中 申德振 +6 位作者 张吉英 单崇新 张立功 杨春雷 吕有明 刘益春 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期257-260,共4页
为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦 探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZ... 为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦 探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间。 展开更多
关键词 低维半导体结构 超快速激子衰减 (CdZnTe ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱 泵浦-探测 光开关 全光计算机
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电子信息功能材料分论坛侧记
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作者 朱洪雷 张露露 王瑞 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期716-717,共2页
随着5G移动通信时代的到来,微电子/光电子/磁电子材枓与器件的研究开发展现了更为诱人的发展前景。目前,微电子材枓技术正处于延续摩尔定律和超越摩尔定律的关健时期,光电子忖料及器件制备技术取得了飞速的发展、磁电子材枓与器件嶄露头... 随着5G移动通信时代的到来,微电子/光电子/磁电子材枓与器件的研究开发展现了更为诱人的发展前景。目前,微电子材枓技术正处于延续摩尔定律和超越摩尔定律的关健时期,光电子忖料及器件制备技术取得了飞速的发展、磁电子材枓与器件嶄露头角,其研究与应州水平将决定各国在世界高科技产业的战略地位,各国纷纷均积极发展先进的电子信息材枓技术,旨在占领该领域的制高点。科技部印发的《“十三五”材料领域科技创新专項规划》建议囤捷战略新兴材枓产业和前沿科学技术,在低维半导体异质结材料、半导体传感材料与器件、新型高密度存储与自旋耦合材料、高性能合金导电材枓、微纳电子制造用新一代支撑材枓、高性能电磁介质材料和无源电子元件关鍵材料、声表面波材枓与器件技承等领域,紧密结合经济社会发展和国防建设的重大需求,重点发展基础材料技术提升与产止升级。 展开更多
关键词 信息功能材料 光电子 高科技产业 低维半导体 高性能合金 论坛 制备技术 经济社会发展
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OPTICAL SPECTRA OF LOW-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
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作者 Fu Y Chiragwandi Z +1 位作者 Gthberg P Willander M 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期401-405,共5页
We have studied the optical spectra of low-dimensional semiconductor systems by calculating all possible optical transitions between electronic states. Optical absorption and emission have been obtained under differen... We have studied the optical spectra of low-dimensional semiconductor systems by calculating all possible optical transitions between electronic states. Optical absorption and emission have been obtained under different carrier population conditions and in different photon wavelengths. The line-shapes of the peaks in the optical spectrum are determined by the density of electronic states of the system, and the symmetries and intensities of these peaks can be improved by reducing the dimensionality of the system. Optical gain requires in general a population inversion, whereas for a quantum-dot system, there exists a threshold value of the population inversion. 展开更多
关键词 光谱 低维半导体 光学增益 总体反转 数值分析
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中国科学院激发态物理重点实验室——我国惟一专门从事发光学研究的开放实验室
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《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期409-409,共1页
关键词 发光学 开放实验室 物理 激发态 科学院 能级 中华人民共和国 低维半导体
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中国科学院激发态物理开放研究实验室——我国惟一从事发光学研究的开放实验室
11
《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期110-110,共1页
关键词 开放研究实验室 中国科学院 开放实验 发光学 激发态 光谱实验室 光物理 低维半导体 高分辨 学术论文
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光电功能材料
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《中国光学》 EI CAS 2001年第1期94-95,共2页
O471.1 2001010640质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整=Modify of GaAs/AlGaAs quantum wellby proton implantation and rapid thermalannealing[刊,中]/李娜,李宁,陆卫,刘兴权,窦红飞,沈学础(中科院上海技术物理研... O471.1 2001010640质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整=Modify of GaAs/AlGaAs quantum wellby proton implantation and rapid thermalannealing[刊,中]/李娜,李宁,陆卫,刘兴权,窦红飞,沈学础(中科院上海技术物理研究所,红外物理国家实验室.上海(200083)),Fu lan,Tan H H,Jagadish C(Department of Electronic Materials Engineering,TheResearch School of Physical Sciences and Engineering,The Australian National University.Canbera ACT0200.Australia),Johnston M B,Gal M(school 展开更多
关键词 应变补偿 快速退火 量子阱结构 质子注入 国家实验室 上海技术物理研究所 能级结构 低维半导体材料 中科院 光电功能材料
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中国科学院激发态物理开放研究实验室——我国唯一从事发光学研究的开放实验室
13
《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期385-385,共1页
关键词 中国科学院 激发态物理开放研究实验室 发光学研究 长春 低维半导体发光物理 稀土离子发光物理
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激光光谱技术
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《中国光学》 EI CAS 1995年第2期15-16,共2页
O433.54 95020789 玻璃碎屑同—性认定的激光喇曼光谱研究一Studyof the laser Raman spectra to determine theidentity of bits of broken glasse[刊,中]/郭萍,唐岳湘,熊平(衡阳医学院.湖南,衡阳(130021))
关键词 光谱研究 染料激光 学术报告会 基础光学 光谱烧孔 玻璃碎屑 高分辨率激光光谱 半导体材料 超连续谱 光谱技术
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