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电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜
被引量：
1
1
作者
姚立勇
敖建平
+5 位作者
汤勇
曾海峰
钟福回
黄云翔
毕金莲
高守帅
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期1528-1532,共5页
在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSe_x(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSe_x(x=1,2)分压由Sn源温度控制,Se分压由Se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570℃。采用3种不同的硒化处理...
在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSe_x(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSe_x(x=1,2)分压由Sn源温度控制,Se分压由Se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570℃。采用3种不同的硒化处理工艺对金属预制层进行硒化处理。通过SEM及EDS表征CZTSe薄膜的结构、形貌及成分。综合SEM及EDS测试结果,确定CZTSe和Mo界面处MoSe_2相很薄。实验发现较低SnSe_x(x=1,2)气氛条件下可实现高温低Se压硒化CuZn预制层制备单相CZTSe薄膜,经工艺优化得到效率为7.6%的CZTSe太阳电池。
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关键词
CZTSe
电沉积
低硒压硒化
金属预制层
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职称材料
题名
电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜
被引量：
1
1
作者
姚立勇
敖建平
汤勇
曾海峰
钟福回
黄云翔
毕金莲
高守帅
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室
华南理工大学机械与汽车工程学院表面功能结构先进制造广东普通高校重点实验室
广东省阳江市汉能工业有限公司
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期1528-1532,共5页
基金
广东省科技计划(2012A032300009)
文摘
在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSe_x(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSe_x(x=1,2)分压由Sn源温度控制,Se分压由Se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570℃。采用3种不同的硒化处理工艺对金属预制层进行硒化处理。通过SEM及EDS表征CZTSe薄膜的结构、形貌及成分。综合SEM及EDS测试结果,确定CZTSe和Mo界面处MoSe_2相很薄。实验发现较低SnSe_x(x=1,2)气氛条件下可实现高温低Se压硒化CuZn预制层制备单相CZTSe薄膜,经工艺优化得到效率为7.6%的CZTSe太阳电池。
关键词
CZTSe
电沉积
低硒压硒化
金属预制层
Keywords
CZTSe
electrodeposition
selenylation in low selenium pressure
metal layer
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜
姚立勇
敖建平
汤勇
曾海峰
钟福回
黄云翔
毕金莲
高守帅
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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