针对高速数据传输的需要,设计一款低功耗的高速C MOS LVDS(低电压差分信号)接收器。接收器采用S MIC 0.13μm CMOS工艺,应用工艺中提供的厚栅氧化器件(3.3 V器件)和薄栅氧化器件(1.2 V器件)两种器件,使其满足输入L VDS信号的共模电压范...针对高速数据传输的需要,设计一款低功耗的高速C MOS LVDS(低电压差分信号)接收器。接收器采用S MIC 0.13μm CMOS工艺,应用工艺中提供的厚栅氧化器件(3.3 V器件)和薄栅氧化器件(1.2 V器件)两种器件,使其满足输入L VDS信号的共模电压范围为0.05 V^2.4 V、差模电压范围为100 m V^400 m V的情况下工作,完全符合L VDS接口标准的要求。所设计芯片具有功耗低、传输速度快、成本低等优点。展开更多
研制了一种适用于高能物理中探测器读出系统的LVDS芯片,采用极低的电压摆幅实现高速差动传输数据,可以实现点对点或一点对多点的连接和传输。芯片包括驱动和接收两部分,均采用0.35um/3.3 V CMOS工艺设计,测试结果显示芯片基本达到预期...研制了一种适用于高能物理中探测器读出系统的LVDS芯片,采用极低的电压摆幅实现高速差动传输数据,可以实现点对点或一点对多点的连接和传输。芯片包括驱动和接收两部分,均采用0.35um/3.3 V CMOS工艺设计,测试结果显示芯片基本达到预期研制目标。展开更多
文摘针对高速数据传输的需要,设计一款低功耗的高速C MOS LVDS(低电压差分信号)接收器。接收器采用S MIC 0.13μm CMOS工艺,应用工艺中提供的厚栅氧化器件(3.3 V器件)和薄栅氧化器件(1.2 V器件)两种器件,使其满足输入L VDS信号的共模电压范围为0.05 V^2.4 V、差模电压范围为100 m V^400 m V的情况下工作,完全符合L VDS接口标准的要求。所设计芯片具有功耗低、传输速度快、成本低等优点。
